인피니언 테크놀로지스는 OptiMOS 모스펫(MOSFET) 기술이 적용된 SSO10T TSC 패키지 제품을 출시한다고 4일 밝혔다. 이 패키지는 상단면 직접 냉각 컨셉으로 뛰어난 열 성능을 제공한다. 따라서 자동차 전자 제어 유닛의 PCB로 또는 PCB를 통한 열 전달을 하지 않는다. 이 패키지는 간단하고 컴팩트한 양면 PCB 디자인을 가능하게 하고, 미래의 자동차 전력 디자인의 냉각 요구와 시스템 비용을 최소화한다. SSO10T TSC는 전자식 파워 스티어링(EPS), EMB, 전력 분배, BLDC(brushless DC) 드라이브, 안전 스위치, 리버스 배터리, DCDC 컨버터 등의 애플리케이션에 적합하다. SSO10T TSC는 5mm x 7mm 풋프린트로 업계 표준인 SSO8 5mm x 6mm 하우징을 기반으로 한다. SSO10 TSC는 상단면 냉각이므로 사용된 TIM(열 계면 물질)과 TIM 두께에 따라서 표준 SSO8 대비 20퍼센트에서 50퍼센트까지 향상된 성능을 제공한다. SSO10T TSC 패키지는 오픈 마켓용 JEDEC에 등록돼 있어 폭넓은 세컨드 소스 호환성을 제공한다. 따라서 상단면 냉각을 위한 미래의 표준으로 이 패키지를 쉽고 빠르게 도
MOSFET 주요 성능 최대 20% 개선하면서 품질과 신뢰성 유지해 인피니언 테크놀로지스(이하 인피니언)는 차세대 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 트렌치 기술을 출시한다고 밝혔다. 새로운 인피니언 CoolSiC MOSFET 650V 및 1200V 2세대 제품은 이전 세대 대비 저장 에너지와 전하 같은 MOSFET 주요 성능을 최대 20% 개선하면서 품질과 신뢰성은 그대로다. 따라서 에너지 효율을 높이고 탈탄소화에 기여한다. CoolSiC MOSFET 2세대 기술은 실리콘 카바이드의 고유한 성능 이점을 활용해 에너지 손실을 낮추고 전력 변환 시 높은 효율을 달성한다. 따라서 태양광, 에너지 저장, DC EV 충전, 모터 드라이브, 산업용 전원장치 등 다양한 전력 반도체 애플리케이션에 적합하다. 전기차 DC 급속 충전기에 CoolSiC G2를 사용하면 이전 세대 대비 전력 손실을 최대 10%까지 낮출 수 있어, 폼팩터를 키우지 않고 충전 용량을 높인다. 트랙션 인버터에 CoolSiC G2 디바이스를 채택하면 전기차 주행 거리를 늘린다. 신재생 에너지 분야에서 태양광 인버터에 CoolSiC G2를 채택하면 높은 전력 출력을 유지하면서 크기를 줄일 수 있어 와
전기차 충전, UPS, ESS용 인버터 등 고성능 SiC MOSFET 수요 충족할 것으로 보여 넥스페리아가 오늘 RDS(on) 값이 40mΩ 및 80mΩ인 3핀 TO-247 패키지의 1200V 개별 소자 2종 출시로 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 시장에 진출했다고 발표했다. 이번에 선보인 NSF040120L3A0 및 NSF080120L3A0는 넥스페리아가 향후 출시할 SiC MOSFET 제품들 스루홀 및 표면 실장 패키지에 다양한 RDS(on) 값을 가진 포트폴리오의 첫 제품이다. 이 제품들은 전기 자동차(EV) 충전 파일, 무정전 전원 공급 장치(UPS) 및 태양광 및 에너지 저장 시스템(ESS)용 인버터를 포함한 산업 응용 분야에서 필요로 하는 고성능 SiC MOSFET의 수요를 충족시켜준다. 넥스페리아의 카트린 퓨를(Katrin Feurle) 수석 이사 겸 SiC 제품 그룹 책임자는 "당사는 더 많은 와이드 밴드갭 장치 공급업체를 요구해온 이 시장에서 미쓰비시 전기의 혁신적인 기술을 접목했다. 넥스페리아는 높은 RDS(on) 온도 안정성, 낮은 바디 다이오드 전압 강하, 엄격한 임계 전압 사양, 균형 잡힌 게이트 전하비 등 여러 매개변수에서 동급
SiC 와이드 밴드갭 반도체 효율 개선으로 고효율 전력 반도체 수요 대응 넥스페리아가 14일 미쓰비시 전기와 전략적 파트너십을 체결해 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET을 공동 개발한다고 발표했다. 반도체 분야에서 각각의 전문성을 가진 양사는 이번 협력으로 실리콘 카바이드 와이드 밴드갭 반도체의 에너지 효율성과 성능을 한 단계 끌어올리게 된다. 양사는 이를 통해 고효율 전력 반도체의 급증하는 수요에 대응할 것으로 보인다. 미쓰비시 전기의 전력 반도체 제품군은 고객사가 자동차, 가전 제품, 산업용 장비 및 트랙션 모터 등 다양한 부문에서 에너지를 상당히 절감하도록 해준다. 고신뢰도, 고성능 실리콘 카바이드 모듈 업계에서 기술력을 인정받은 미쓰비시 전기의 제품들은 대표적으로 일본의 신칸센 고속 열차에 채용되고 있다. 넥스페리아는 부품 개발, 생산 및 적격성 평가 분야에서 수십 년의 경험을 보유한 회사다. 넥스페리아는 고효율 및 신뢰성 전력 반도체의 급증하는 수요를 충족하도록 설계된 고품질 와이드 밴드갭 소자를 제공하고 있다. 유럽에 본거지를 두고 자동차 및 산업에서 모바일 및 소비 가전에 이르기까지 다양한 영역의 글로벌 고객사를 확보한 넥스페리아는 특히 개별
ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 자동차 품질 등급을 획득해 기능 안전 애플리케이션을 지원하는 통합 핫스왑(Hot-Swap) 및 아이디얼-다이오드(Ideal-Diode) 컨트롤러인 STPM801을 출시했다고 밝혔다. 아이디얼-다이오드 컨트롤러는 역 입력보호 및 출력전압 홀드업(Holdup)에 일반적으로 사용되는 쇼트키 다이오드(Schottky Diode)를 대체해 외부 MOSFET을 구동한다. MOSFET 전반의 전압 강하를 줄임으로써 쇼트키 다이오드의 순방향 전압에 비해 정상동작 중 전력손실을 줄이게 된다. 역 전압 이벤트가 발생할 경우, 전원 장애, 브라운아웃(Brownout) 또는 입력 단락과 같은 결함 등이 발생하면, MOSFET을 턴오프해 역 전류 과도현상을 차단한다. 또한 아이디얼-다이오드 컨트롤러 회로는 자율주행 및 ADAS(Advanced Driver Assistance Systems)과 같은 안전 필수 장비에 중단 없이 전원공급이 이뤄지도록 메인 배터리와 백업 배터리 간의 스위칭을 지원하는 전원 오링(ORing)을 제공한다. 통합 핫스왑 컨트롤러는 2차측 외부 N-채널 MOSFET을 구동해 핫스왑 이벤트 중 부하를 보호한다. 소프트-스타트
탑 사이드 쿨링 기능, 설계 단순화하고 콤팩트 전력 솔루션의 비용 절감 온세미가 모터 제어 및 DC/DC 컨버터 설계자를 지원하기 위해 혁신적인 탑 사이드 쿨링 기능을 갖춘 새로운 모스펫(MOSFET) 디바이스 시리즈를 17일 발표했다. 5x7mm 크기의 TCPAK57 패키지인 새로운 탑 쿨(Top Cool) 디바이스의 윗면에는 16.5mm2 크기의 열 패드가 있어 일반적으로 PCB를 통하지 않고 히트 싱크로 직접적인 방열이 가능하다. PCB 양면의 사용을 가능하게 하고 PCB로 들어가는 열의 양을 줄임으로써, TCPAK57은 향상된 전력 밀도를 제공한다. 이로써 신뢰성이 향상된 새로운 설계로 전체적인 시스템 수명은 늘어난다. 온세미 오토모티브 파워 솔루션 부사장 겸 총괄 책임자인 파비오 네코는 "쿨링은 고전력 설계에서 가장 큰 문제 중 하나이며, 이를 성공적으로 해결하는 것이 현대의 자동차 설계에서 가장 중요한 크기와 무게를 줄이는데 있어서 핵심 요소"라고 설명했다. 이어 "뛰어난 효율과 PCB를 통한 방열을 없앰으로써, 크기와 비용을 줄이는 동시에 설계는 크게 단순화된다"고 전했다. 이 디바이스는 1mΩ의 낮은 RDS(ON) 값으로 고전력 애플리케이션에서
소자의 성능을 저하시키지 않고도 크기 감소 달성 넥스페리아가 11일인 오늘 업계 최소형의 DFN 패지징으로 제공되는 20V 및 30V MOSFET을 출시했다. 넥스페리아는 이미 이 패키지로 ESD 보호 소자들을 공급하지만 아직 업계에서 달성하지 못한 이 최소형의 패키지를 MOSFET 포트폴리오에 적용하는 데에 성공했다. 새로운 수준의 AI 및 머신러닝을 통합한 차세대 웨어러블 및 청각기기들은 제품 설계자에게 몇 가지 과제를 안겨준다. 여러 기능들이 추가됨에 따라 사용 가능한 보드 공간의 해결이 가장 큰 문제로 대두되며 전력 소비의 증가에 따른 발열도 문제가 된다. 넥스페리아는 이산 부품 생산 분야에서의 경험을 바탕으로 소형 MOSFET 제품군을 설계함으로써 이 두 가지 문제를 성공적으로 극복했다. 크기가 0.63 x 0.33 x 0.25mm에 불과한 초소형 DFN0603 패키지는 두 번째로 작은 패키지(DFN0604)의 MOSFET보다 13% 더 적은 공간을 사용한다. 이러한 크기 감소는 소자의 성능을 저하시키지 않고도 달성됐다. 실제로 이 소자의 RDS(on)는 74%나 감소해 효율성 향상에 도움이 되므로 웨어러블 기기 설계자들은 훨씬 더 큰 전력 밀도를
ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 STPOWER MDmesh M9 및 DM9 N-채널 슈퍼정션(Super-Junction) 멀티-드레인 실리콘 전력 MOSFET을 출시했다. 이 디바이스는 데이터센터 서버와 5G 인프라에서 평면패널 TV까지 다양한 애플리케이션의 스위칭 모드 전원공급장치에 적합하다. 가장 먼저 출시된 디바이스는 650V STP65N045M9 및 600V STP60N043DM9이다. 두 디바이스 모두 단위면적당 매우 낮은 온저항을 갖춰 전력밀도를 극대화하고 시스템 크기를 소형화 할 수 있다. 최대 RDS(on)(RDS(on)max)으로 STP65N045M9은45mΩ, STP60N043DM9의 경우 43mΩ으로 최적의 값을 가지고 있다. 이 디바이스들은 일반적으로 400V 드레인 전압에서 80nC의 매우 낮은 게이트 전하를 사용하므로 현재 이용 가능한 최상의 RDS(on)max x Qg 성능지수를 갖추고 있다. 게이트 임계전압은 일반적으로 STP65N045M9의 경우 3.7V, STP60N043DM9의 경우 4.0V이며, 이전 MDmesh M5 및 M6/DM6에 비해 모두 턴온 및 턴오프 스위칭 손실을 최소화한다. MDmesh M9 및 DM9
ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 도어존 시스템 IC인 L99DZ200G를 출시해 자동차 차체 전장장치의 통합을 가속화한다. L99DZ200G는 단일칩으로 프론트-드라이브-리어 설정을 지원해 프론트-도어 윈도우, 미러, 조명은 물론, 리어-윈도우 리프트를 제어한다. 풍성한 기능으로 시스템 대기전류 감소, 신뢰성 향상, 빠른 조립속도, 부품원가(BoM) 절감, 개발시간 단축 등 다양한 이점을 제공한다. L99DZ200G에는 2개의 H-브리지 게이트 드라이버, 미러 열선을 제어하는 외부 MOSFET용 게이트 드라이버를 비롯해 감광식 미러 디밍을 위한 하이-사이드 드라이버 및 제어 블록, LED 제어가 가능한 5개의 하이-사이드 드라이버가 포함돼 있다. 하이-사이드 드라이버 중 3개는 정전류 모드로 동작이 가능해 입력 커패시턴스가 높은 조명 모듈에 전원을 공급할 수 있다. 다른 2개의 하이-사이드 드라이버는 일반 LED 제어용으로 적합하다. 2개의 H-브리지 드라이버를 갖춘 L99DZ200G는 스핀들 모터 2개를 동시에 제어하고, 추가로 신치 모터를 제어해 파워 테일게이트나 파워 트렁크를 닫을 수 있다. 두 드라이버 모두 전원 레일에서 과전압이 감지되면, 디바
클래스 D 오디오 전력 증폭기는 작은 크기, 낮은 열 발생, 높은 통합 수준, 우수한 음질 등 여러 장점을 제공한다. 인피니언 테크놀로지스는 자사의 우수한 전력 MOSFET 기술을 활용해 MERUS 2채널 아날로그 입력 클래스 D 오디오 증폭기 멀티칩 모듈(MCM) MA5332MS를 출시한다고 밝혔다. 인피니언에 따르면, 이전 세대 제품에서 크게 업그레이드된 MA5332MS는 히트싱크 없이 50% 더 작은 풋프린트로 모노리딕 솔루션과 동일하거나 더 높은 출력을 제공한다. 채널당 100W~400W를 제공하는 MA5332MS는 홈시어터 박스, 사운드바, 서브 우퍼, 미니 컴포넌트 시스템 등 컨슈머 제품에 적합하다. 뿐만 아니라 액티브 스피커, 액티브 스튜디오 모니터, 기타 앰프, 자동차 애프터마켓, 선박용 오디오 앰프 같은 전문가용 애플리케이션에도 활용할 수 있다. MA5332MS는 컴팩트한 7mm x 7mm 42핀 QFN 패키지에 듀얼 채널 PWM 컨트롤러, 고전압 게이트 드라이버, RDS (on)이 낮은 4개 MOSFET을 통합했다. 클래스 D 출력 스테이지 RDS (on)(24.4 mΩ typ.)이 매우 낮으므로 히트싱크 없이 2x100W @ 4Ω, 소형
헬로티 전자기술 기자 | 현업 실무자가 가진 현실적인 궁금증을 전문가가 현명하게 직접 답해주는 [산업지식인] 입니다. 산업지식인은 스마트 팩토리, 머신비전, RPA, 3D프린팅 등 첨단 기술과 연관된 솔루션과 해당 산업 동향을 다룹니다. 이 과정에서 ‘이 용어는 무슨 뜻이지?’, ‘이 솔루션을 도입했을 때의 장점은?’ 등 다양한 질문들이 떠오를 텐데요. 산업지식인에서는 질문의 종류와 상관없이 전문가의 이론과 경험이 담긴 생생한 답변을 들을 수 있습니다. 앞으로 산업지식인은 산업 현장에 있는 실무자가 혁신 기술과 가까워질 수 있는 기회를 제공할 것입니다. 이번 시간에 다뤄볼 내용은 ‘전기차 충전의 전력 관리 및 보호 솔루션’입니다. 전기는 자동차를 비롯한 미래 모빌리티의 주요 에너지원으로 손꼽힙니다. 전기 자동차에 대한 수요가 점차 증가함에 따라, 안전한 충전 시스템에 대한 요구도 동시에 증가하고 있죠. 리틀휴즈는 일찍이 자동차 퓨즈에 대한 산업 표준을 정의하고 회로 보호, 전력 제어 및 감지 분야에 뛰어들었습니다. 이와 함께 전기차 충전소를 위한 효율적인 시스템을 설계하는데 주력하고 있는데요. 리틀휴즈는 지난 7월 웨
헬로티 서재창 기자 | 우주 애플리케이션 분야의 전원 공급장치는 극심한 입자 상호 작용과 태양 및 전자기 활동을 극복하기 위해 강화된 방사선 기술이 필요한 환경에서 동작한다. 이러한 태양 및 전자기 활동은 우주 기반 시스템을 저하시키고 동작을 방해한다. 마이크로컨트롤러, 혼합 신호, 아날로그 반도체 및 플래시-IP 솔루션 분야의 전문업체인 마이크로칩테크놀로지(아시아 총괄 및 한국대표: 한병돈)는 이러한 문제를 해결하고자 상용 항공우주 및 우주 방위 애플리케이션용 인증을 획득한 250V, 온저항(Rds(on)) 0.21 옴을 갖춘 방사선 내성 강화 MOSFET인 M6 MRH25N12U3를 출시했다고 밝혔다. 마이크로칩의 방사선 내성 강화 M6 MRH25N12U3 MOSFET은 POL(point-of-load) 컨버터, DC-DC 컨버터, 모터 드라이브 및 제어, 범용 스위칭 등 전력 변환 회로에 대한 주요 스위칭 요소를 제공한다. MOSFET은 가혹한 우주 환경을 견디고, 전력 회로의 신뢰성을 확장하며, 향상된 성능으로 MIL-PRF19500/746의 모든 요건을 충족한다. 마이크로칩은 해당 디바이스를 미군 공급망에 조달하기 위해 국방물류청(Defense Lo
헬로티 함수미 기자 | 온세미컨덕터가 APEC 2021서 1200V 풀 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 하프브리지 모듈을 발표했다. 6월 14일부터 17일까지 진행되는 세계 최대 응용전력전자 행사인 APEC 2021서 온세미컨덕터는 하프브리지 모듈 발표와 전기차 시장의 요구에 적합한 제품을 더욱 넓혀 나가겠다고 밝혔다. 전기차 판매량이 지속해서 증가함에 따라, 운전자의 요구를 충족시킬 수 있는 인프라 구축에 대한 중요성이 높아졌다. 또한, 이를 통해 주행거리 불안 없이 신속하게 목적지까지 도착하도록 돕는 급속 충전소 네트워크에 대한 필요성이 커지고 있다. 전기차 관련 요구사항이 빠르게 변화해, 350kW 이상의 전력을 95%가 넘는 효율로 공급하는 것이 표준이 되고 있다. 충전기가 배치되는 다양한 환경과 위치를 고려할 때, 소형화, 견고성, 그리고 향상된 신뢰성 등이 설계자가 직면하게 되는 도전과제가 된다. 새로운 1200V M1 풀 SiC MOSFET 하프 브리지 모듈은 플라나(Planar) 기술을 기반으로 하고, 18-20V 범위의 드라이브 전압을 네거티브 게이트 전압으로 인가해 간단하게 구동된다. 해당 제품은 트렌치 MOSFET에 비해서 더 큰 크
[첨단 헬로티] ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 800V 애벌런치(Avalanche-rugged) MOSFET이 내장된 오프라인 컨버터 VIPer11을 출시했다. VIPer11은 장치 제조사들의 보조 전력 공급 장치, 전력 어댑터의 설계가 원활하도록 도와주며, 26Vdc 드레인-스타트 전압 특성은 초광폭 라인 입력 전압 범위를 가능하게 하여 다양한 고객과 산업 애플리케이션에서 폭넓게 적용될 수 있는 유연성을 높인다. VIPer11이 폭넓은 공급 전압 범위(4.5V~30V)에서 동작할 수 있도록 로직 레벨의 1차 측 MOSFET으로 구성되어 상당히 효율적인 5V 출력 SMPS 설계를 구현할 수 있다. 또한 집적화된 고전압 스타트업, 에러 앰프, EMI 감소시키는 지터 오실레이터와 같은 기능이 결합하여 설계 간소화, 공간의 최적화를 구현할 수 있으며 부품 원가도 낮출 수 있다. 고전압 컨버터 VIPer11는 정류된 AC 라인이나 기타 DC 소스로부터 직접 전원을 공급 받는 플라이백, 부스트, 벅/부스트 전력 공급 방식의 간단한 전압 분할기를 이용하여 원하는 출력을 생산할 수 있다. 또한 로직 레벨 MOSFET 덕분에 5V
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UPDATE: 2024년 04월 19일 10시 44분
