헬로티 서재창 기자 |
신일본무선(New Japan Radio)이 세계 최소 수준의 SiC SBD를 개발했다고 밝혔다.
제품 사이즈는 4.0x6.5x0.9(LxWxT unit：mm)로, 클립 본딩 패키지를 채용했고, 타사와 동등한 특성으로 세계 최소 클래스의 SiC SBD를 실현했다. 적용 분야는 산업용 인버터, 산업·가전용 모터 구동, 데이터 서버, 5G용 전원 등 전력변환용 기기다.
특히 SiC 고유의 역 회복 시간이 매우 짧은 고속 스위칭 특성에 더해 본 제품의 소형, 얇은 두께, 고방열 특성은 PFC, LLC, 서지 클램프 등에도 적합하다.
또한, 종래의 FRD보다 효율이 높아 장비의 저전력화, 소형화, 저노이즈화에 기여한다. SiC SBD는 저손실·고속 스위칭 동작이 가능하며, JBS 구조에 의한 높은 서지 내압을 실현해 높은 신뢰성을 보장한다. 또한, 650V와 1200V 내압의 제품에 대해서는 커스터마이징이 가능하다.
| PARAMETER | SYMBOL | TEST CONDITION | MIN | TYP | MAX | UNIT |
| Forward voltage | VF | IF=10A, Tj=25℃ | - | 1.5 | 1.7 | V |
| IF=10A, Tj=175℃ | - | 1.9 | - | |||
| Reverse current | IR | VR=650V, Tj=25℃ | - | 10 | 60 | µA |
| VR=650V, Tj=175℃ | - | 100 | - | |||
| Switching time | tC | IF=10A, VR=400V, di/dt=320A/µs | - | 10 | - | ns |
| Total capacitance | Ct | VR=1V, f=1MHz | - | 296 | - | pF |
| VR=400V, f=1MHz | - | 32.6 | - | |||
| Thermal resistance | Rth(JC) | Junction to case | - | 2.1 | - | deg-C/W |
▲전기적 특성(650V/10A 제품)
| 제품명 | 품번 | 사양 | 샘플 제공 여부 | 발매일 | 비고 |
| SiC SBD | NJDCD010A065AZA1 | 650V/10A | 가능 | 2022/2Q | PKG 완성품 |
| NJDCD040A120AWS | 1200V/40A | 소량 가능 | 2022/3Q | Wafer, Dice만 제공※ |
▲판매 개요
※PKG 제품은 별도 문의
