연구 통해 NextPower 80/100V MOSFET에서 생성되는 스파이크 수준 크게 줄여
넥스페리아가 오늘 NextPower 80V 및 100V MOSFET 포트폴리오를 업계 표준 5mm x 6mm 및 8mm x 8mm 실장 면적의 새로운 소형 폼팩터 패키지인 'LFPAK'로 늘리고 있다고 발표했다.
이 새로운 NextPower 80/100V MOSFET은 낮은 RDS(on)및 낮은 Qrr에 최적화해 서버, 전원 공급 장치, 고속 충전기, USB-PD를 비롯해 통신, 모터 제어, 기타 다양한 산업용 장비에서 높은 효율과 낮은 스파이크를 제공한다. 이에 설계자는 1.8mΩ에서 15mΩ에 이르는 RDS(on) 값의 80V 및 100V 소자를 필요에 따라 선택하게 됐다.
여러 MOSFET 제조업체들은 타사 제품들과 비교해 소자의 스위칭 성능을 벤치마킹할 때 낮은 QG(tot) 및 낮은 QGD를 통해 높은 효율성을 달성하는 데 중점을 둔다. 그러나 넥스페리아는 광범위한 연구를 통해 스파이킹에 미치는 영향과 소자 전환 중에 생성되는 전자기 간섭(EMI)의 양으로 인해 Qrr이 훨씬 더 중요하다는 것을 확인했다.
넥스페리아는 이 매개변수에 집중함으로써 NextPower 80/100V MOSFET에서 생성되는 스파이크 수준을 크게 줄였으며 이에 수반되는 EMI의 양도 줄였다. 이에 따라 응용 제품이 전자기 호환성(EMC) 테스트에 실패할 경우 외부 부품을 추가하기 위해 비용이 많이 들어가는 후반 단계 재설계 필요성을 줄임으로써 최종 사용자에게 상당한 이점을 제공하게 됐다. 이 새로운 MOSFET의 온스테이트 저항(RDSon) 값은 기존에 제공하던 소자에 비해 최대 31%까지 감소했다.
한편 넥스페리아는 올해 말에 RDS(on) 값을 80V에서 1.2mΩ로 낮게 제공하는 LFPAK88 MOSFET을 추가로 출시할 계획이다. 이와 함께 전력 밀도 CCPAK1212를 출시해 NextPower 80/100V 포트폴리오를 강화할 예정이다. 넥스페리아는 이러한 제품들의 설계 및 검증을 더욱 지원하기 위해 수상 경력에 빛나는 대화형 데이터시트를 통해 엔지니어에게 소자 동작에 대한 포괄적이고 사용자 친화적인 통찰력을 제공하고 있다.
헬로티 서재창 기자 |
