게이트 드라이버 IC서 레벨 시프터 절연 및 갈바닉 절연 방식 동시 사용하는 환경 제공
DB하이텍은 27일 초고전압(UHV) 전력반도체 공정 기술을 업그레이드하며 사업을 본격화하고 있다고 밝혔다.
초고전압 전력반도체 공정은 가전, 자동차, 통신 등 폭넓은 분야에서 모터를 구동하는 게이트 드라이버 IC의 설계와 제조를 지원한다. DB하이텍은 이번 공정 기술 업그레이드로 게이트 드라이버 IC에서 레벨 시프터 절연 방식과 갈바닉 절연 방식을 동시에 사용하는 환경을 제공한다.
이를 통해 고객은 칩 설계가 용이한 레벨 시프터와 고전압 동작에서 안정성이 높은 갈바닉 방식 각각의 장점을 살린다. DB하이텍은 공정 활용도 기존 가전 분야에서 자동차나 태양광 분야로 확장될 것으로 기대했다. DB하이텍은 "향후 실리콘 전력반도체에서 구현하는 전 영역대의 공정 기술을 확보하면서, 응용 분야별로 최적화된 게이트 드라이버 IC 설계 환경을 제공할 것"이라고 밝혔다.
헬로티 서재창 기자 |
