방열성과 실장 신뢰성 향상
고밀도화가 가속화되는 자동차 ECU 및 ADAS 관련 기기에 유용
▲ 로옴이 초소형 MOSFET ‘RV8C010UN’, ‘RV8L002SN’, ‘BSS84X’를 개발했다고 밝혔다. (사진 : 로옴)
[헬로티 = 김동원 기자] 최근 자동차의 전장화에 따라 자동차 1대당 탑재되는 전자부품과 반도체 부품 수가 증가하는 추세다. 따라서 한정된 공간에 많은 부품이 실장되어 부품의 고밀도화가 가속화되고 있다.
실제로 자동차 ECU 1개당 반도체와 적층 세라믹 콘덴서의 평균 탑재 수는 2019년에는 186개였지만, 2025년에는 230개로 30% 가까이 증가할 것으로 예상된다. 한정된 공간에 많은 부품이 들어가면서 차량용 어플리케이션의 소형화에 대한 시장 요구가 높아졌다. 또한, 소형과 고방열을 동시에 실현할 수 있는 하면전극 패키지의 검토도 추진 중이다.
로옴은 시장 상황에 맞춰 최근 1.0mmX1.0mm 사이즈의 초소형 MOSFET ‘RV8C010UN’, ‘RV8L002SN’, ‘BSS84X’를 개발했다고 밝혔다.
이번 신제품은 독자적인 공법을 사용한 Wettable Flank 형성 기술을 도입함으로써, 1.0mm×1.0mm 사이즈로는 최고 수준인 패키지 측면의 전극 부분 높이 125μm를 보증한다. 또, 고품질이 요구되는 자동차 관련 기기에서 중요시되는, 부품 실장 후의 자동 광학 검사에서 매우 높은 솔더 실장 신뢰성을 실현한다.
뿐만 아니라 새로운 하면전극 패키지를 채용함으로써, 일반적으로 트레이드 오프 관계인 소형화와 고방열화를 동시에 실현시켜 기판의 고밀도화가 가속화되는 자동차 ECU 및 첨단 운전 지원 시스템 (ADAS) 관련 기기 등에 최적으로 평가받는다.
▲ 로옴의 신제품은 1.0mm×1.0mm 사이즈를 자랑한다. (사진 : 로옴)
패키지 측면 전극 부분 높이 125μm 보증
기존 기술의 하면전극 패키지는 리드 프레임 측면에 도금 가공을 할 수 없으므로, 자동차기기에서 필요시되는 솔더 높이를 확보할 수 없어 AOI가 어려웠다.
로옴이 이번에 출시한 지품은 독자적인 Wettable Flank 형성 기술을 통해 리드 프레임 상한까지의 도금 가공을 실현해 1.0mm×1.0mm 사이즈로 업계 최고 수준인 패키지 측면 전극 부분의 높이 125μm를 보증한다.
하면전극 패키지에서도 안정된 솔더 fillet 형성이 가능하여, 부품 실장 후의 AOI에서 솔더링 상태를 확실하게 확인할 수 있다.
▲ ▲ 이번 제품은 패키지 측면 전극 부분의 높이 125μm 이상 확보로 실장 시인성을 향상시켰다. (사진 : 로옴)
초소형·고방열 MOSFET로의 대체 사용으로 기판의 고밀도화에 대응
이번 제품은 2.9mm×2.4mm 사이즈와 동등한 성능을 1.0mm×1.0mm 사이즈로 실현함으로써, 약 85％의 실장 면적 삭감이 가능하다. 또한, 고방열 하면전극을 채용함으로써, 통상적으로 소형화하면 저하되는 방열성을 SOT-23 패키지 대비 65％ 향상시킬 수 있다.
소형화와 고방열화를 동시에 실현함으로써, 기능의 증가에 따른 기판의 고밀도화가 가속화되는 자동차 ECU 및 ADAS 관련 기기 등의 어플리케이션에 유용할 것으로 전망된다.
