[첨단 헬로티]
에너지 효율 혁신을 주도하는 온세미컨덕터가 두 개의 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 제품군을 출시하며, 와이드밴드갭(WBG) 디바이스의 범위를 확장했다고 밝혔다.
이번에 출시한 제품은 1200V 및 900V N-채널 SiC MOSFET다.
▲ 온세미컨덕터가 출시한 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 제품군은 요구조건이 까다로운 고성장 애플리케이션을 위해 고안됐다.
이 제품은 태양광 발전 인버터, 전기 자동차(EV)를 위한 온-보드 충전, 무정전 서버 전원 공급장치(UPS), 서버 공급 장치, EV 충전소 등을 포함한 다양하고, 요구조건이 까다로운 고성장 애플리케이션을 위해 고안됐으며, 실리콘(Si) MOSFET으로는 불가능했던 수준의 성능을 제공한다.
기존의 Si와 비교했을 때, 이 제품은 스위칭 성능을 높이고 신뢰성을 개선했다고 평가받는다.
역회복 전하가 작은 고속의 내장 다이오드는 전력 손실을 크게 줄이고 동작 주파수를 높이며 전체 솔루션의 전력 밀도를 높였다.
칩 크기가 작을수록 소자 커패시턴스가 낮아지고 게이트 전하-Qg가 작아져 고주파수 동작이 더욱 향상되어 고주파수에서 동작할 때 스위칭 손실이 줄어든다. 이러한 개선으로 효율성이 향상되거, Si기반 MOSFET과 비교했을 때 EMI를 감소시키며, 더 적고 작은 패시브 구성품을 사용할 수 있다.
또, 이번 제품은 견고한 것이 특징이다. 기존 Si디바이스와 비교했을 때 서지 능력이 향상되고, 아발란치 성능과 쇼트 서킷 견고성이 개선돼 까다로운 최신 전력 애플리케이션에 필수적인 높은 신뢰성과 더욱 긴 수명을 제공한다.
1200V 디바이스의 정격 최대 전류는 130A(ID 최대)이며, 900V 디바이스는 최대 118A이다. 더 높은 전류를 필요로 하는 애플리케이션의 경우, 양의 온도 계수 및 독립성으로 인해 온세미컨덕터 MOSFET은 쉽게 병렬로 동작시킬 수 있다.
게리 스트레커(Gary Straker) 온세미컨덕터의 파워 솔루션 그룹 부사장은 “설계 엔지니어가 최신 재생 에너지, 자동차, IT 및 통신 애플리케이션에서 요구되는 까다로운 효율성 및 전력 밀도 목표를 충족하기 위해서는 높은 성능과 높은 신뢰성을 갖은 MOSFET 디바이스를 필요로 한다”며 “온세미컨덕터의 WBG SiC MOSFET은 저손실, 더 높은 동작 온도, 더 빠른 스위칭, EMI 개선 및 더 나은 신뢰성을 제공함으로써 Si 디바이스에서 가능했던 것 이상으로 성능을 높여준다”라고 설명했다.
이어 그는 “온세미컨덕터는 엔지니어링 커뮤니티를 더욱 지원하면서, 설계 프로세스를 단순화하고 가속화하는 광범위한 리소스와 툴을 제공한다”며 새로운 SiC MOSFET 디바이스 출시에 대한 소감을 밝혔다.
