반도체 ST, 전기차 파워 트레인 설계 지원하는 인버터 드라이버 출시
ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 SiC MOSFET 및 IGBT를 지원하는 갈바닉 절연 자동차 게이트 드라이버인 STGAP4S를 출시했다. STGAP4S는 다양한 정격 전력의 인버터를 제어하는 유연성을 제공하며, 풍부한 진단 기능으로 ISO 26262 ASIL D 인증을 준수한다. ADC(Analog-Digital Converter)와 보호 기능이 내장된 플라이백 컨트롤러를 통합하고 있기 때문에 다양한 기능의 안전 인증 드라이버를 개발할 수 있어 확장성 있게 전기차 파워트레인 설계를 지원한다. STGAP4S는 고전력 스테이지와 외부 MOSFET의 푸시풀 버퍼(Push-Pull Buffer)에 연결해 게이트 전류 용량을 확장할 수 있는 출력 회로 유연성을 제공한다. 엔지니어는 STGAP4S의 기능을 활용해 각기 다른 정격 전력의 인버터를 제어할 수 있으며, 여러 개의 전력 스위치가 병렬로 연결된 고전력 설계까지 가능하다. 이 드라이버는 최대 수십 암페어(Ampere)의 게이트 구동 전류를 생성하며 최대 1200V의 동작 전압을 처리한다. 이 드라이버의 주요 기능 중 하나로 첨단 진단 기능이 있다. 이는 안전이 핵심인 애플리케이션에서 ISO 26262 AS