GaN 로드맵 가속화 및 전력 시스템 분야에서 리더십 강화할 것으로 보여 인피니언 테크놀로지스(이하 인피니언)는 지난 24일 GaN Systems Inc 인수를 완료했다고 발표했다. 인피니언은 GaN Systems가 보유하고 있는 광범위한 GaN 기반 전력 변환 솔루션과 첨단 애플리케이션 노하우를 확보하게 됐다. 요흔 하나벡(Jochen Hanebeck) 인피니언 CEO는 “GaN 기술은 탈탄소화를 지원하는 에너지 효율 향상 및 이산화탄소 절감 솔루션을 구현하는데 중요하다. GaN Systems 인수로 GaN 로드맵을 가속화하고 전력 시스템 분야에서 인피니언의 리더십을 강화하게 됐다"고 말했다. 인피니언은 총 450명의 GaN 전문가와 350개 이상의 GaN 특허 제품군을 보유하고, 이를 통해 전력 반도체 분야에서 선도적인 입지를 확대하고 시장 출시 기간을 단축할 것으로 보인다. 인피니언은 양사의 IP 및 애플리케이션 이해에 대한 상호 보완적인 강점과 고객 프로젝트 파이프라인을 통해 다양한 애플리케이션을 지원하는 유리한 위치에 서게 됐다. 헬로티 서재창 기자 |
GaN 소자 기술 협력으로 제품 개발과 세계 시장 확대 겨냥 알에프세미가 5일 캐나다 GaN Systems과 GaN(질화갈륨) 전력반도체 제품 개발과 시장 확대를 위한 MOU를 체결했다고 밝혔다. GaN Systems는 650V급 GaN 전력반도체 기술을 보유하고 있으며 이 분야에서 세계 선두 기업으로 시장을 주도하고 있다. 이번 협약은 알에프세미의 패키지 기술과 GaN Systems의 GaN 소자 기술 협력을 통한 제품 개발과 세계 시장 확대를 위한 것으로 보인다. 알에프세미는 전략반도체 패키지를 위해 최근 개발해 특허 등록한 '가변 적층형 방열판 패키지' 기술을 제품 개발에 적용할 예정이다. 이 기술은 기존 패키지 대비 열 방출이 뛰어나 고온에서도 안정적인 동작을 지원한다. 차세대 전력반도체로 주목받는 GaN 전력반도체는 실리콘에 질화갈륨을 입혀 제작돼 SiC(실리콘카바이드) 전력반도체 대비 가격 경쟁력을 가졌으며 사용 전압이 낮지만 고속 스위칭이 가능해 소형 가전에 주로 사용되고 있다. 1000V 이상 높은 전압에서 잘 견디는 SiC 전력반도체는 전기차 분야의 충전 및 모터구동 분야에서, 650V급에서 빠른 동작 속도를 갖는 GaN 전력반도체는 휴대폰,
[헬로티] 접합부-케이스 열저항 낮아 고전력 애플리케이션용으로 적합해 ▲Teledyne e2v HiRel이 650V 고전력 GaN HEMT 신제품 2종을 출시했다. (출처 : Teledyne e2v HiRe) Teledyne e2v HiRel이 GaN 시스템즈의 기술을 기반으로 한 고전력 650V 제품군에 러기다이즈드(ruggedized, 내구성이 강화된) GaN 전력 HEMT(High Electron Mobility Transistor, 고전자 이동도 트랜지스터) 2종을 추가했다고 7일 밝혔다. 새로운 고전력 HEMT인 TDG650E30B와 TDG650E15B는 2020년 선보인 650V HEMT(60A)보다 낮은 30A, 15A의 전류 성능을 갖고 있다. 650V GaN HEMT 제품군은 시중에서 판매되는 제품 가운데 가장 높은 전압을 갖고 있는 GaN 전력 기기로서 높은 신뢰성이 요구되는 군사·항공·우주 애플리케이션에 적합하다. 전원, 모터 제어, 하프 브릿지 토폴로지(half bridge topology) 등의 애플리케이션용으로도 적합한 제품이다. TDG650E30B와 TDG650E15B는 바닥 냉방 구조와 초저 ‘
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