삼성전자는 세계 정상급 학술지인 '어드밴스드 머티리얼스'(Advanced Materials)에 플래시 메모리 저장 원리에 대한 논문을 게재했다고 14일 밝혔다. 삼성전자 혁신센터 CSE(Computational Science and Engineering)팀은 기존과 차별화된 접근 방식을 통해 플래시 메모리 정보 저장의 핵심 역할을 하는 비정질 실리콘 질화물에서 전자가 안정되게 저장되는 근본 원리를 밝혀내는 데 성공했다. 논문에는 CSE팀 최운이 박사가 제1저자 및 교신저자로 참여했으며, 김대신 상무와 권의희 DE, 손원준 파트장, 양승열 SAIT(구 종합기술원) 마스터 등이 공동 저자로 참여했다. 이번 연구는 그동안 간과했던 원자 수준에서의 작동 원리를 밝혀냈다는 데 의미가 있다는 것이 삼성전자의 설명이다. 최근까지도 원자 수준에서는 플래시 메모리의 근본적인 저장 메커니즘에 대한 논쟁과 연구가 지속됐다. 셀을 수직으로 쌓아 올려 저장 용량을 극대화하는 V낸드 기술도 세대를 거듭하면서 고도의 미세화가 필요한 상황에서 원자 수준에서 일어나는 현상에 대한 근본적인 이해 없이는 메모리 기술 혁신을 이뤄내기 힘든 단계에 직면했다. 특히 비정질 실리콘 질화물에 전자를
삼성전자가 5일(현지시간) 차세대 단기 기억장치 D램과 장기 기억장치 V낸드 양산 계획을 밝혔다. 삼성전자 메모리사업부장 이정배 사장은 이날 미 캘리포니아주 실리콘밸리에서 열린 '삼성 테크 데이'에서 "내년에 5세대 10나노급 D램을 생산하고, 2024년에는 9세대 V낸드(Vertical NAND)를 양산할 계획"이라고 발표했다. 삼성 테크 데이는 삼성전자가 2017년부터 차세대 반도체 기술을 선보이는 자리다. D램은 가령 휴대전화 사진 촬영 후 저장 이전 단계에 이용되는 단기 기억 반도체이고, 낸드는 촬영 후 저장 시 사용되는 장기 기억 반도체다. 현재 D램은 4세대 10나노급이 생산 중이고, 데이터를 저장하는 셀(cell·저장공간)을 수직으로 쌓는 형태의 V낸드는 7세대를 양산 중이다. 삼성전자는 올해 하반기에 8세대 V낸드를 생산한 데 이어 내년에 5세대 10나노급 D램을 생산하고 2년 뒤 9세대 V낸드를 양산할 계획이라고 구체적인 로드맵을 제시했다. 8세대 V낸드는 7세대보다 단위 면적당 저장되는 비트 수가 42% 향상됐다. 5세대 10나노급 D램은 기존 같은 사양의 4세대보다 크기는 작고 성능은 뛰어나다. 삼성전자는 8세대 V낸드 512Gb TLC(
헬로티 조상록 기자 | 삼성전자가 날로 기술경쟁이 치열해지는 낸드플래시 부문에서 현재 200단이 넘는 8세대 V낸드 기술을 확보했으며, 향후 1천단 낸드 시대도 주도해나갈 것이라며 자신감을 피력했다. 삼성전자의 플래시 개발실장 송재혁 부사장은 6월 8일 삼성전자 뉴스룸 기고문에서 "낸드플래시도 언젠가는 높이의 한계에 마주하게 될 것"이라며 "삼성전자는 업계 최소 셀사이즈를 구현한 '3차원 스켈링(3D Scaling)' 기술로 가장 먼저 높이의 한계를 극복하는 회사가 될 것"이라며 이같이 밝혔다. 송 부사장은 자사가 세계 최초로 개발한 V낸드의 단수 경쟁이 치열해지면서 똑같은 단수여도 높이를 최대한 낮게 쌓아 크기를 줄이는 것이 핵심 경쟁력이 됐다고 설명했다. 삼성전자가 올해 하반기 출시할 7세대 V낸드는 3차원 스켈링 기술로 체적을 최대 35%까지 줄였다. 이는 마이크론 등 다른 경쟁업체의 6세대 낸드와 비슷한 크기로, 똑같은 176단 낸드라도 삼성전자 제품의 크기가 더 작다는 의미다. 송 부사장은 "현재 삼성전자가 200단이 넘는 8세대 차세대 낸드 동작 칩도 확보했다"고 소개하고 "시장 상황과 고객의 요구에 따라 적기에 제품을 선보이기 위해 만반의 준비를
[헬로티] 삼성전자가 성능과 가격 모두를 만족해 고성능 SSD의 대중화를 이끌 ‘NVMe SSD 980’을 출시한다. ▲삼성전자 NVMe SSD 980 이번 제품은 고성능 NVMe 인터페이스 기반 소비자용 SSD로 기존 SATA SSD 대비 최대 6배의 연속읽기 속도를 구현할 수 있어 일반 노트PC 사용자는 물론 최근 증가하는 컨텐츠 크리에이터, 홈게임 유저 등 다양한 소비자층에 최고의 성능을 제공한다. 최신 6세대 V낸드가 탑재된 NVMe SSD 980은 최대 3,500MB/s, 3,000MB/s의 연속 읽기·쓰기 속도와 500K IOPS, 480K IOPS의 임의 읽기·쓰기 성능을 제공한다. 특히 이번 제품은 컨트롤러 및 펌웨어 기술 최적화로 SSD 내부에 탑재되는 D램 없이 PC에 탑재된 D램과 직접 연결하는 HMB(Host Memory Buffer)기술을 적용했다. 이를 통해 SSD 내부에 탑재되는 D램을 제거해 비용은 줄이고 성능은 유지시켰다. 또한, 사용자의 작업량에 따라 성능을 최적화하는 인텔리전트 터보라이트 기능도 개선해 보다 안정적인 성능을 제공한다. NVMe SSD 980은 과열 방지 기능, 니
[첨단 헬로티] 삼성전자가 기존 고성능 NVMe SSD보다 응답 속도가 5배 이상 빠른 세계 최고 성능의 '800GB Z-SSD'를 업계 최초로 출시하며, 3차원 V낸드 플래시 기술로 새로운 프리미엄 시장을 열었다. 2017년에 세계 최초로 Z-SSD를 개발한 삼성전자는 '800GB Z-SSD' 제품을 출시하며, 인공지능, 빅데이터, IoT와 같은 차세대 시장에서 캐시 데이터, 로그 데이터의 초고속 처리·분석에 최고 효율의 솔루션을 제공하게 됐다. 삼성전자의 '800GB Z-SSD'는 △3비트 V낸드보다 읽기 속도가 10배 이상 빠른 Z-NAND △고속 응답(Ultra Low Latency) 컨트롤러 △1.5GB용량의 초고속 초절전 LPDDR4 모바일 D램을 탑재해 기존 3비트 기반 고성능 NVMe SD(PM963)의 쓰기응답 속도보다 5배 이상 빠른 16㎲와 1.7배 빠른 임의 읽기 성능 750K IOPS를 구현한다. 또한 '800GB Z-SSD'는 800GB를 매일 30번씩 쓰는 경우에는 최대 5년의 사용 기간을 보증하며, 일일 사용량이 이를 더 초과할 경우에는 최대 총 쓰기 사용 용량을 42,000TB(테라바이트)까지 보증한다. 특히 최고
[첨단 헬로티] 삼성전자가 최첨단 반도체 기술이 집약된 SSD 신제품 '860 PRO, 860 EVO' 시리즈를 한국, 미국, 중국, 독일 등 전 세계 50여개국에 동시에 런칭한다. 삼성전자는 이번 '860 PRO, 860 EVO' 시리즈의 전 모델에 최신 64단 V낸드, 데이터센터급 MJX 컨트롤러, 10나노급 모바일 D램(LPDDR4) 등 최첨단 반도체를 탑재했다고 밝혔다. 2014년, 업계 최초로 3차원 V낸드를 탑재하며 소비자 스토리지 시장에서 SSD의 대중화를 주도한 '850 PRO, 850 EVO' 시리즈에 이어, 이번 '860 PRO, 860 EVO'는 더욱 빨라진 속도와 안정성을 바탕으로 고용량 SSD 시장을 확대할 전망이다. '860 PRO, 860 EVO'는 4세대(64단) V낸드와 최신 10나노급 모바일 D램(LPDDR4)을 탑재해 연속 읽기, 쓰기 속도 최대 560 MB/s, 530 MB/s, 임의 읽기, 쓰기 속도는 최대 100K IOPS, 90K IOPS를 구현해 복잡한 멀티태스킹 작업을 더욱 원활하게 처리한다. 또한 삼성전자가 자체개발 한 데이터센터급 MJX 컨트롤러를 채용해 윈도우에서 리눅스까지 OS 호환성을 확대했다. 내구성과
▲삼성전자 3D 낸드플래시. (삼성전자 제공)© News1 올해 3분기 역대 최대 분기매출을 기록한 삼성전자 메모리반도체 사업이 64단 3D낸드플래시 램프업(수율 향상) 총력전을 펼친다. 삼성전자가 V(vertical) 낸드라 이름 붙인 3D낸드는 삼성전자 반도체사업의 새로운 '캐시카우'다. 삼성전자 메모리사업부는 올 연말 화성 공장에서 4세대 64단 3D 낸드플래시를 첫 양산한다. 이 제품은 이후 평택 공장에서도 동일 공정으로 생산된다. 21일 업계에 따르면, 권오현 삼성전자 부회장을 비롯한 수뇌부들은 연말까지 64단 3D낸드의 성공적인 램프업에 역량을 집중하라고 지시한 것으로 알려졌다. 현재 세계 반도체기업 중 48단 3D낸드를 성공적으로 양산하고 있는 기업은 삼성전자뿐이다. 64단 3D낸드 기술 역시 삼성이 글로벌 경쟁사들을 제치고 앞서가고 있다. 삼성전자는 평택산업단지에 건설 중인 반도체공장을 '18라인'으로 정하고, 내년 2분기 초부터 4세대 64단 3D낸드플래시를 생산하기로 했다. 내년 4분기 평택공장의 생산규모는 6만장 수준으로 추정된다. 낸드 플래시는 D램과 달리 전원이 꺼져도 데이터를 기억하기 때문에 스마트폰 등에서 동영상 음악 사진
삼성전자가 3세대(48단) V낸드를 탑재한 소비자용 SSD와 초고속 NVMe 인터페이스 기반의 기업용 SSD 등 신제품을 대거 출시하며 프리미엄 SSD시장 공략 강화에 나선다. 삼성전자는 이달 22일 서울 호텔신라에서 열린 ‘삼성 SSD 글로벌 서밋 (2015 Samsung SSD Global Summit)’에서 V낸드 기반의 SSD 신제품 5개 라인업(용량별 19개 모델)을 선보이고 이달부터 한국, 미국, 중국, 독일 등 세계 50개국에서 출시한다고 밝혔다. 이번에 새롭게 출시한 제품은 3세대(48단) V낸드 기반의 ▲2.5인치 소비자용 SSD ‘850 EVO’와 2세대 128기가비트 V낸드 기반의 ▲초고속 기업용 SSD ‘950 PRO’ M.2, ▲카드타입 스토리지용 SSD ‘PM1725’, ▲데이터센터용 SSD ‘SM863’ ▲‘PM863’ 등 5종이다. 삼성전자는 기존의 5개 제품군에 이번에 새롭게 선보인 제품까지 총 10개 제품군(39개 모델)을 구성하고 제품별 용량도 2테라바이트 (TB)부터 6.4테라바이트까지 크게 높
삼성전자가 세계 최초로 기존 2세대(32단) 128기가비트 낸드보다 용량을 2배 향상시킨 256기가비트 3차원 V낸드’ 양산에 성공했다. 이번 256기가비트 V낸드는 데이터를 저장하는 3차원 셀(Cell)을 기존(32단)보다 1.5배 더 쌓아 올리는 삼성전자의 ‘3세대(48단) V낸드 기술’이 적용된 업계 최고 용량의 메모리 칩이다. 256기가비트 V낸드는 칩 하나만으로도 스마트폰에 탑재하는 32기가바이트 용량의 메모리카드를 만들 수 있으며, 기존 128기가비트 낸드가 적용된 SSD와 동일 크기를 유지하면서 용량을 2배 높일 수 있어 테라 SSD 대중화를 위한 최적의 솔루션을 제공한다. 이번에 양산을 시작한 3세대 V낸드는 셀(Cell)이 형성될 단층을 48단으로 쌓고 나서 약 18억개의 원형 홀을 수직으로 뚫은 다음, 총 853억개 이상의 셀을 고속 동작시키며, 각 셀(Cell)마다 3개의 데이터(3비트)를 저장할 수 있어 총 2,560억개의 데이터를 읽고 쓴다. 특히 3차원 원통형 CTF(3D Charge Trap Flash) 셀 구조와 48단 수직 적층 공정, 3비트 저장기술을 적용해 2세대 V낸드보다 데이터를 더욱 빠르
상호명(명칭) : (주)첨단 | 등록번호 : 서울,자00420 | 등록일자 : 2013년05월15일 | 제호 :헬로티(helloT) | 발행인 : 이종춘 | 편집인 : 김진희 |
본점 : 서울시 마포구 양화로 127, 3층, 지점 : 경기도 파주시 심학산로 10, 3층 | 발행일자 : 2012년 4월1일 | 청소년보호책임자 : 김유활 | 대표이사 : 이준원 | 사업자등록번호 : 118-81-03520 | 전화 : 02-3142-4151 | 팩스 : 02-338-3453 | 통신판매번호 : 제 2013-서울마포-1032호
copyright(c) HelloT all right reserved
UPDATE: 2026년 01월 25일 19시 25분
