삼성전자가 5일(현지시간) 차세대 단기 기억장치 D램과 장기 기억장치 V낸드 양산 계획을 밝혔다.
삼성전자 메모리사업부장 이정배 사장은 이날 미 캘리포니아주 실리콘밸리에서 열린 '삼성 테크 데이'에서 "내년에 5세대 10나노급 D램을 생산하고, 2024년에는 9세대 V낸드(Vertical NAND)를 양산할 계획"이라고 발표했다.
삼성 테크 데이는 삼성전자가 2017년부터 차세대 반도체 기술을 선보이는 자리다.
D램은 가령 휴대전화 사진 촬영 후 저장 이전 단계에 이용되는 단기 기억 반도체이고, 낸드는 촬영 후 저장 시 사용되는 장기 기억 반도체다.
현재 D램은 4세대 10나노급이 생산 중이고, 데이터를 저장하는 셀(cell·저장공간)을 수직으로 쌓는 형태의 V낸드는 7세대를 양산 중이다.
삼성전자는 올해 하반기에 8세대 V낸드를 생산한 데 이어 내년에 5세대 10나노급 D램을 생산하고 2년 뒤 9세대 V낸드를 양산할 계획이라고 구체적인 로드맵을 제시했다.
8세대 V낸드는 7세대보다 단위 면적당 저장되는 비트 수가 42% 향상됐다. 5세대 10나노급 D램은 기존 같은 사양의 4세대보다 크기는 작고 성능은 뛰어나다.
삼성전자는 8세대 V낸드 512Gb TLC(Triple Level Cell·1개 셀에 3개 비트 저장) 제품도 공개하며, 512Gb TLC 제품 중 업계 최고 수준이라고 설명했다.
삼성전자는 2030년까지 데이터 저장장치인 셀을 1000단까지 쌓는 V낸드를 개발하겠다고 목표도 밝혔다. 현재 176단의 7세대 V낸드보다 5배 이상 저장할 수 있다.
자율주행(AD), 첨단운전자지원시스템(ADAS) 등 차량용 메모리 시장 진입 10년이 되는 2025년에는 이 시장 1위를 달성하겠다는 목표도 제시했다.
헬로티 이창현 기자 |
