팹리스 기업의 최첨단 GAA 공정에 대한 접근성 높이고, 시간·비용 절감에 주력해 삼성전자가 Arm과 손잡고 게이트올어라운드(GAA·Gate All Around) 공정 기반 최첨단 반도체를 만든다. 삼성전자 파운드리 사업부는 GAA 기반 최첨단 공정에 Arm의 차세대 시스템온칩(SoC) IP을 최적화해 양사 협력을 강화한다고 21일 밝혔다. Arm의 설계 자산(IP)을 GAA 공정에 심어 3나노 이하 선단 공정 경쟁력에서 앞서가겠다는 계획이다. 이를 통해 팹리스 기업의 최첨단 GAA 공정에 대한 접근성을 높이고, 차세대 제품 개발에 소요되는 시간과 비용을 최소화할 계획이다. GAA 기술은 공정 미세화에 따른 트랜지스터 성능 저하를 극복하고 데이터 처리 속도와 전력 효율을 높이는 차세대 반도체 핵심 기술이다. 삼성전자는 2022년 6월 세계 최초로 GAA를 3나노 공정에 도입했다. 현재 GAA 기반 3나노 1세대를 양산 중이며, 2세대 공정을 개발 중이다. 삼성 파운드리는 2018년 7월 Arm과 7나노, 5나노 핀펫 공정 기술로 협력 확대를 발표하는 등 Arm과 10년 넘게 협력을 이어오고 있다. 이재용 삼성전자 회장이 2022년 10월 방한한 Arm의 최대
TSMC 3나노 파운드리 첫 고객은 '애플 M2 프로 칩', 다음달 양산 시작 TSMC가 다음 달부터 3나노 반도체를 양산하면서 삼성전자와 TSMC 간 파운드리 기술 경쟁이 본격화될 것으로 보인다. 22일 업계와 외신 등에 따르면, TSMC는 3나노 공정 파운드리 첫 고객으로 애플을 확보하고 다음 달 3나노 칩 양산에 들어간다. 대만 IT매체 디지타임스 등은 애플이 자체 설계한 M2 프로 칩에 TSMC의 3나노 공정이 적용될 것이라고 보도했다. TSMC가 다음 달 3나노 양산에 돌입하게 되면 삼성전자에 이어 두 번째로 3나노 양산을 시작하는 셈이다. 삼성전자는 앞서 올해 6월 30일 세계 최초로 GAA(Gate-All-Around) 기술을 적용한 3나노 파운드리 공정 기반 초도 양산을 공식 발표한 뒤 7월 25일 제품 출하식을 개최했다. 3나노 공정은 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술로 평가된다. 3나노는 반도체 칩의 회로 선폭을 머리카락 굵기의 10만 분의 3 수준으로 좁힌 것으로, 삼성은 초미세 공정의 한계를 돌파하기 위해 기존의 '핀펫' 기술 대신 업계 최초로 GAA 기술을 적용했다. GAA는 기존의 핀펫 기술보다 칩 면적과 소비 전력은 줄이고
SW·장비 수출규제, 반도체법, 반도체 동맹 등 다각도로 中 압박 나서 미국이 인공지능(AI) 칩 설계·제조 핵심 소프트웨어의 중국 수출 금지를 추진하고 있다고 정보기술 매체 프로토콜이 지난 2일(현지시간) 보도했다. 보도에 따르면 백악관은 최근 반도체 전자설계자동화(EDA) 소프트웨어의 수출 통제를 상무부에 지시했다. 상무부는 수 주 내에 EDA 수출 규제에 나설 것으로 보이며 이는 AI 애플리케이션 개발을 추진하는 중국 기업들을 겨냥한 것이라고 프로토콜은 분석했다. EDA는 차세대 트랜지스터 GAA(Gate All Around) 기술을 이용한 칩 제조에 필수적인 소프트웨어로 케이던스, 시놉시스, 지멘스 등이 생산한다. 삼성전자는 지난 6월 세계 최초로 GAA를 적용한 3나노 공정 양산에 돌입했다고 발표한 바 있다. 미국 칩 설계 소프트웨어 회사들의 주요 고객은 중국이다. 미국 증권거래위원회(SEC)에 따르면, 최근 분기 케이던스와 시놉시스의 매출액 가운데 각각 13%, 17%가 중국에서 나왔다. 이런 상황에서 미국이 EDA의 대중국 수출 차단에 나서는 것은 중국의 '반도체 굴기'를 막으려는 조처의 연장선으로 해석된다. 상무부는 자국 내 모든 반도체 장비업
지난달 세계 최초로 GAA 기술이 적용된 3나노 공정 양산 발표 삼성전자가 25일인 오늘 경기도 화성캠퍼스 V1라인(EUV 전용)에서 차세대 트랜지스터 GAA(Gate All Around) 기술을 적용한 3나노 파운드리 제품 출하식을 개최했다. 이 날 행사는 산업통상자원부 이창양 장관, 협력사, 팹리스, 삼성전자 DS부문장 경계현 대표이사(사장)와 임직원 등 100여 명이 참석해 3나노 GAA 연구개발과 양산에 참여한 임직원들을 격려했다. 삼성전자 파운드리사업부는 ‘혁신적인 기술력으로 세계 최고를 향해 나아가겠습니다’는 자신감과 함께, 3나노 GAA 공정 양산과 선제적인 파운드리 기술로 사업 경쟁력을 강화해 나가겠다는 포부를 밝혔다. 삼성전자 파운드리사업부 기술개발실장 정기태 부사장은 기술 개발 경과보고를 통해 파운드리사업부, 반도체연구소, 글로벌 제조&인프라총괄 등 사업부를 넘어서는 협업으로 기술개발 한계를 극복한 점을 강조하는 등 개발에서부터 양산에 이르기까지의 과정을 설명했다. 이어 삼성전자 DS부문장 경계현 대표이사는 “삼성전자는 이번 제품 양산으로 파운드리 사업에 한 획을 그었다”고 임직원들을 격려하며, “핀펫 트랜지스터가 기술적 한계에 다다
3나노 양산 시작되면, 글로벌 IT 기업들이 잠재 고객될 것으로 보여 삼성전자가 지난 30일 세계 최초로 GAA(Gate-All-Around) 기술을 적용한 3㎚(10억 분의 1ｍ) 파운드리 공정 양산을 공식 발표함에 따라 업계의 판도 변화가 예상된다. 삼성전자의 3나노 양산은 업계 1위인 대만 TSMC보다 한발 앞선 것으로, 메모리 분야에 이어 파운드리 분야에서도 삼성의 '초격차 전략'이 본격적으로 속도를 내는 모습이다. 삼성이 양산을 시작한 3나노 공정은 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술이다. 3나노는 반도체 칩의 회로 선폭을 머리카락 굵기의 10만 분의 3 수준으로 좁힌 것으로, 회로의 선폭을 가늘게 만들수록 더 많은 소자를 집적할 수 있어 성능을 높이는 데 유리하다. 삼성은 이런 초미세 공정의 한계를 돌파하기 위해 기존의 핀펫 기술 대신 업계 최초로 GAA 기술을 적용했다. GAA는 핀펫의 3차원 구조와 비교해 전류가 흐르는 통로인 채널의 아랫면까지 모두 게이트가 감싸 전류 흐름을 세밀하게 제어하는 기술이다. 핀펫이 가지는 3나노 이하 공정의 한계를 극복할 수 있어 차세대 파운드리의 게임 체인저로 꼽혀왔다. 삼성전자는 이에 더해 채널을 얇고 넓
차세대 반도체 소자인 GAA(Gate All Around)소자나 3차원 반도체 집적기술에 적용 기대 카이스트(KAIST)는 신소재공학과 전석우 교수와 신종화 교수 공동연구팀이 차세대 반도체 공정 핵심기술인 3차원의 나노구조를 단일 노광으로 효율적으로 제작하는 방법을 개발했다고 27일 밝혔다. 노광 공정이란 빛을 이용해 실리콘 웨이퍼에 전자 회로를 새기는 공정을 말한다. 이번 연구 성과는 갈수록 복잡해지는 반도체 구조와 배선구조 등을 기존 2차원 평면 노광 방식으로 건물을 한층 한층 제작하듯이 진행하던 방식에 비해 훨씬 더 낮은 비용과 공정으로 제작할 수 있는 근거를 마련한 획기적인 연구 결과로 판단된다. 공동연구팀은 수반행렬 방법(Adjoint method) 기반 역설계 알고리즘을 활용해, 적은 연산으로 원하는 형태의 나노 홀로그램을 생성하는 위상 마스크의 격자구조를 효율적으로 찾아내는 방법론을 제시했다. 이는 기존의 반도체 리소그래피 공정에 적용됐으며, 연구팀은 광감응성 물질에 단 한 번의 빛을 쏘아 목표하는 나노 홀로그램을 형성하고, 물질화해 원하는 3차원 나노구조를 단 한 번의 노광으로 구현할 수 있음을 실험적으로 증명했다. 최근 리소그래피 및 패터닝
강화되는 한미 반도체 동맹, TSMC와의 3나노 경쟁 '주목' 삼성전자가 조 바이든 미국 대통령의 방한을 계기로 파운드리 시장 공략에 박차를 가한다. 바이든 대통령은 방한 첫날인 지난 20일 삼성전자의 평택 반도체 공장을 찾아 세계 최초로 양산할 예정인 3나노미터 반도체 웨이퍼에 서명했다. 이는 한미 '반도체 동맹'을 보여주는 상징적인 장면이자 삼성전자에 대한 미국 정부의 강한 신뢰를 보여주는 것으로 해석됐다. 특히 미국 고객사들에 삼성전자의 높아진 위상을 각인시킨 만큼 삼성전자는 미국 투자를 더욱 가속화하고 미국 기업들과의 협력 강화를 통해 파운드리 시장 점유율을 끌어올린다는 계획이다. 23일 업계에 따르면 삼성전자는 다음 달 미국 텍사스주 테일러시에서 대대적으로 파운드리 공장 착공식을 열 것으로 알려졌다. 앞서 삼성전자는 지난해 11월 이곳에 170억 달러(약 20조 원)를 투자해 신규 파운드리 공장을 짓겠다고 발표했으며, 그간 부지 정지 작업을 진행해왔다. 삼성전자는 바이든 대통령 방한을 계기로 고조된 한미간 반도체 협력 분위기가 착공식에서도 이어질 수 있도록 대규모 행사를 준비하고 있는 것으로 전해졌다. 착공식에는 텍사스주 정관계 인사들이 대거 참석할
램리서치는 10일인 오늘 혁신적인 웨이퍼 제조 기술과 새로운 케미스트리 솔루션을 적용해 GAA(Gate-All-Around) 트랜지스터 구조의 개발을 지원하는 고선택비 식각 장비 제품군을 발표했다. Argos, Prevos, Selis의 세 가지 신제품으로 구성된 램리서치의 고선택비 식각 장비 포트폴리오는 첨단 로직 및 메모리 반도체 개발을 위한 설계 및 공정에 강력한 이점을 제공한다. 반도체 성능 및 효율성 향상을 위해 소자의 집적도를 높일 필요성이 더욱 높아지고 이에 맞춰 반도체 제조업체는 현재 3D 구조의 트랜지스터를 개발하고 있다. 이는 중요 막질을 변형하거나 손상시키지 않기 위해 초고도 선택비를 통한 정밀 식각과 등방성 식각을 요구하는 복잡한 공정이다. 램리서치의 고선택비 식각 솔루션은 첨단 로직 구조인 나노시트 또는 나노와이어 형성을 지원하는 데 필요한 초고도 선택적 식각과 막질을 손상시키지 않는 기술을 제공한다. 반도체 제조 공정에서 집적도의 한계에 도달할 경우 평면 구조에서 3D 구조로의 혁신적 도약을 이루도록 지원하는 핵심 기술이다. 로직 및 파운드리 반도체 제조업체와 협력해 개발한 램리서치의 고선택비 식각 기술은 이미 삼성전자와 같은 업계를
맹추격 삼성전자와 격차 유지 위해 2㎚ 공정 도입 속도 내 올해 4분기 2㎚ 공정 기반 반도체 시험 생산팀 발족 목표 세계 파운드리(반도체 위탁생산) 업계의 최강자인 대만 TSMC가 업계 2위인 삼성전자의 추격을 따돌리려고 최첨단 2㎚(나노미터) 공정 도입에 속도를 내는 것으로 전해졌다. 대만 연합보(聯合報)는 1월 5일 TSMC가 올해 4분기 차세대 GAA(Gate-All-Around) 기반의 2㎚ 공정이 적용된 반도체 시험 생산팀을 발족하기로 결정했다고 전하면서 TSMC의 선진 제조 공정에 중대 돌파구가 마련되게 됐다고 평가했다. GAA는 기존 핀펫(FinFET) 기술보다 칩 면적은 줄이고 소비 전력은 감소시키면서 성능은 높인 신기술로 파운드리 업계 1·2위인 TSMC와 삼성전자가 경쟁적으로 도입을 서두르고 있다. TSMC는 업계에서 가장 먼저 2㎚ 공정 반도체를 양산하기 위해 신규 공장 부지 마련에 미리 들어간 것으로 알려졌다. TSMC가 2㎚ 공정 기술 개발을 서두르는 것은 파운드리 업계에서 삼성전자와 기술 격차를 유지하기 위한 노력의 일환이다. 연합보는 "삼성전자가 적극적으로 GAA 기술 분야에서 돌파를 시도하고 있는 상황이 TSMC로 하여금 2㎚
헬로티 서재창 기자 | 삼성전자가 ‘Adding One More Dimension’을 주제로 ‘삼성 파운드리 포럼 2021’을 온라인으로 개최했다. 삼성전자는 이번 포럼을 통해 ‘GAA 기술 기반 3나노 및 2나노 공정 양산 계획’과 ‘17나노 신공정 개발’ 등을 소개하고, 공정기술∙라인운영∙파운드리 서비스를 한 차원 더 발전시켜, 빠르게 성장하는 파운드리 시장에서 경쟁력을 강화하겠다고 밝혔다. 삼성전자 파운드리사업부 최시영 사장은 기조연설에서 “대규모 투자를 통해 생산 역량을 확대하고, GAA 등 첨단 미세공정뿐 아니라 기존 공정에서도 차별화된 기술 혁신을 이어갈 것”이라고 말했다. 이어 그는 “코로나19로 인해 급격한 디지털 전환이 이뤄지는 가운데, 고객의 다양한 아이디어가 칩으로 구현되도록 차별화된 가치를 제공해갈 것” 이라고 덧붙였다. 이번 ‘삼성 파운드리 포럼 2021’은 역대 파운드리 포럼 중 가장 많은 500개사, 2000명 이상의 팹리스 고객과 파트너들이 사전 등록하며 높은 관심을 끌었다. GAA 기술은 전력효율, 성능, 설계 유연성을 가지고 있어 공정 미세화를 지속하는데 필수적이다. 삼성전자는 2022년 상반기 GAA 기술을 3나노에 도입하고
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UPDATE: 2024년 04월 18일 16시 42분
