NXP 반도체가 하드웨어 기반의 전기화학 임피던스 분광법(EIS, Electrochemical Impedance Spectroscopy)을 내장한 배터리 관리 칩셋을 발표했다. 이번 신제품은 전기차(EV) 및 에너지 저장 시스템(ESS)의 안전성, 수명, 성능을 혁신적으로 개선하기 위해 설계됐다. 새로운 EIS 칩셋은 모든 구성요소에서 나노초(ns) 수준의 정밀 동기화를 제공하며, 배터리 상태를 정밀하게 분석해 OEM 제조사가 충전 안전성과 수명 예측 정확도를 높일 수 있도록 지원한다. 이번에 발표된 솔루션은 세 가지 배터리 관리 시스템(BMS) 유닛으로 구성돼 있다. ▲BMA7418 셀 감지 장치 ▲BMA6402 게이트웨이 ▲BMA8420 배터리 정션 박스 컨트롤러로, 추가 부품이나 복잡한 재설계 없이 EIS 측정을 직접 수행할 수 있다. 하드웨어 내장형 이산 푸리에 변환(DFT) 기능이 포함돼 있어 정밀한 주파수 응답 분석이 가능하며 실시간 고주파 모니터링을 통해 배터리 상태를 즉각적으로 진단할 수 있다. 기존의 소프트웨어 기반 배터리 모니터링은 밀리초 단위의 동적 이벤트 감지에 한계가 있었지만 NXP의 하드웨어 통합형 EIS 시스템은 고장의 초기 징후를
마이크로칩테크놀로지는 우주 산업용 고신뢰성 통신 인터페이스 솔루션인 ‘ATA6571RT’ CAN FD 트랜시버를 출시했다고 밝혔다. 이번 신제품은 위성, 우주선 등 극한의 우주 환경에서도 안정적인 통신을 보장하기 위해 내방사선 설계를 적용했으며, 최대 5Mbps의 데이터 속도를 지원한다. 또한 기존 CAN 시스템과 하위 호환되어 기존 플랫폼에 원활히 통합할 수 있다. ATA6571RT는 기존 CAN의 1Mbps 대역폭 한계를 극복하고, 프레임당 최대 64바이트의 페이로드를 처리할 수 있어 통신 효율성을 높이고 버스 부하를 줄인다. CRC(주기적 이중화 검사) 기반의 향상된 오류 감지 기능을 통해 안전성이 중요한(security-critical) 애플리케이션에서 통신 신뢰성을 강화했다. 이 트랜시버는 위성 추진 시스템 제어, 로보틱스, 나노위성 온보드 컴퓨터, 센서 네트워크 등 다양한 우주 시스템에서 활용 가능하다. 또한 기존 상용 플라스틱 및 세라믹 패키지와 동일한 핀 배열을 지원해 설계 변경 없이 적용할 수 있어 개발 편의성이 높다. ATA6571RT는 단일 이벤트 효과(SEE)와 총 이온화 선량(TID)에 대한 내성을 갖춰 방사선이 강한 우주 환경에서도
3분기 매출 15억5090만 달러·잉여현금흐름 22% 증가 온세미가 2025년 3분기 실적을 발표했다. 이번 실적에서 온세미는 시장 기대를 상회하는 성과를 기록하며, 핵심 산업 전반에서의 안정세와 AI 분야의 성장세를 동시에 입증했다. 온세미의 3분기 매출은 15억5090만 달러를 기록했다. 일반회계기준(GAAP) 총이익률은 37.9%, 비일반회계기준(non-GAAP) 기준으로는 38%를 달성했다. 영업이익률은 각각 17%, 19.2%를 기록했으며, 희석주당이익(EPS)은 GAAP 및 비GAAP 기준 모두 0.63달러를 기록했다. 영업활동 현금흐름은 4억1870만 달러, 잉여현금흐름은 3억7240만 달러로 전년 대비 22% 증가하며 매출의 24%에 달했다. 온세미는 올해 들어 9억2500만 달러 규모의 자사주를 매입했으며, 이는 잉여현금흐름의 약 100%에 해당한다. 하산 엘 코우리 온세미 CEO는 “온세미의 3분기 실적은 시장의 기대를 상회했으며 이는 당사의 전략적 실행력과 비즈니스 모델의 견고함을 보여주는 결과”라고 평가했다. 그는 “자동차, 산업, AI 플랫폼 전반에서 에너지 효율성이 핵심 요건으로 부상하고 있으며. 온세미는 고객이 적은 전력으로 더 높
AI, 자율주행, 5G 통신 등 고성능 시스템이 확산되면서 전력 밀도와 효율이 반도체 산업의 핵심 지표로 부상하고 있다. 이번 ‘고효율 전원 공급 장치를 위한 향상된 파워 반도체 패키지 알아보기’ 웨비나는 마우저가 주최하며 차세대 전력 반도체 패키징 기술을 중심으로 SiC(실리콘 카바이드) 기반 고전력 애플리케이션의 설계 혁신 방안을 다룬다. SMPD(Surface Mount Power Device) 패키지는 기존의 TO(Transistor Outline) 패키지와 달리 표면 실장(SMD) 방식을 채택해 자동화된 PCB 조립 공정에 최적화됐다. 열 방출을 위한 대형 핀(Fin) 구조를 통해 고전력 밀도에서도 안정적인 온도 제어가 가능하며 부품 소형화와 비용 절감 효과를 동시에 실현한다. 이러한 구조적 특성 덕분에 SMPD 패키지는 인버터, 충전기, 전원 공급 장치 등 고효율이 요구되는 응용 분야에서 주목받고 있다. 특히 SMPD 패키지는 실리콘(Si)과 실리콘 카바이드(SiC) 기반의 MOSFET을 모두 적용할 수 있는 유연한 설계를 제공한다. SiC MOSFET은 높은 항복 전압과 낮은 온 저항(RDS(on)), 고온 안정성을 갖춰 고전압·고전력 환경에서도
AI, 자율주행, 5G 통신 등 고성능 시스템이 확산되면서 전력 밀도와 효율이 반도체 산업의 핵심 지표로 부상하고 있다. 이번 ‘고효율 전원 공급 장치를 위한 향상된 파워 반도체 패키지 알아보기’ 웨비나는 마우저가 주최하며 차세대 전력 반도체 패키징 기술을 중심으로 SiC(실리콘 카바이드) 기반 고전력 애플리케이션의 설계 혁신 방안을 다룬다. SMPD(Surface Mount Power Device) 패키지는 기존의 TO(Transistor Outline) 패키지와 달리 표면 실장(SMD) 방식을 채택해 자동화된 PCB 조립 공정에 최적화됐다. 열 방출을 위한 대형 핀(Fin) 구조를 통해 고전력 밀도에서도 안정적인 온도 제어가 가능하며 부품 소형화와 비용 절감 효과를 동시에 실현한다. 이러한 구조적 특성 덕분에 SMPD 패키지는 인버터, 충전기, 전원 공급 장치 등 고효율이 요구되는 응용 분야에서 주목받고 있다. 특히 SMPD 패키지는 실리콘(Si)과 실리콘 카바이드(SiC) 기반의 MOSFET을 모두 적용할 수 있는 유연한 설계를 제공한다. SiC MOSFET은 높은 항복 전압과 낮은 온 저항(RDS(on)), 고온 안정성을 갖춰 고전압·고전력 환경에서도
온세미가 독자 기술을 적용한 수직 구조의 질화갈륨(Vertical GaN, 이하 vGaN) 전력반도체 신제품을 공개했다. 온세미는 자사 차세대 전력반도체를 공개하고, 제품이 화합물 반도체 내 전류를 수직 방향으로 흐르게 하는 구조를 통해 더 높은 동작 전압과 빠른 스위칭 주파수를 구현할 수 있다고 밝혔다. 온세미에 따르면 AI 데이터센터, 전기차, 재생에너지, 항공우주 등 에너지 집약적 산업의 전력 수요가 급증하는 현재와 같은 상황에서 해당 신제품은 다양한 분야에서 더 작고 가벼우며 효율적인 시스템 설계를 가능하게 한다. 미국 뉴욕주 시러큐스(Syracuse) 팹에서 개발되었으며, 공정, 디바이스 설계, 제조, 시스템 혁신과 관련된 130건 이상의 글로벌 특허를 기반으로 하는 vGaN 기술은 단일 다이에서 1200V 이상의 고전압을 처리하고, 고주파에서 고전류를 고효율적으로 스위칭할 수 있도록 설계됐다. 이를 통해 전력 손실을 최대 50%까지 줄이고, 고주파 동작 시 인덕터와 커패시터 등 수동 부품의 크기를 대폭 줄일 수 있다. 또한 기존 수평형 GaN 대비 약 3분의 1 크기로 구현이 가능해 전력 밀도, 열 성능, 신뢰성이 중요한 고출력 응용 분야에 최적화
ST마이크로일렉트로닉스가 소형·고효율 USB-PD 충전기, 고속 배터리 충전기, 보조 전원공급장치의 설계와 구현을 간소화하는 GaN(갈륨 나이트라이드) 플라이백 컨버터 시리즈를 출시했다. 이번 신제품은 ST의 독보적 전력 관리 기술을 기반으로, 부하가 줄어든 상태에서도 충전기와 전원공급장치가 무소음으로 작동하도록 지원해 사용자 경험을 향상시킨다. 신제품 라인업은 700V GaN 전력 트랜지스터가 내장된 VIPerGaN50W를 중심으로 구성되며, 플라이백 컨트롤러와 최적화된 게이트 드라이버를 하나의 소형 전력 패키지에 통합했다. 통합 게이트 드라이버는 게이트 저항 및 인덕턴스 보정을 위한 별도 설계 작업이 필요하지 않아 제품 출시 기간을 단축하고, 전력 밀도를 향상시키며 부품원가(BOM)도 줄일 수 있다. 50W급 플라이백 컨트롤러는 최대 부하까지 제로 전압 스위칭(ZVS, Zero-Voltage Switching) 기반 준공진(Quasi-Resonant) 모드로 동작한다. 경부하에서는 주파수 폴드백(Frequency Foldback) 기능을, 중부하에서 고부하까지는 밸리 스키핑(Valley Skipping) 방식을 적용해 스위칭 주파수를 제어함으로써 최적의
파워큐브세미는 10월 22일부터 24일까지 서울 코엑스에서 열린 ‘SEDEX 2025(반도체 대전)’에 참가해 자사의 센서 및 파워 소자 기술력을 선보였다고 밝혔다. ‘SEDEX 2025’는 한국반도체산업협회가 주최하는 국내 최대 규모의 반도체 전문 전시회로, 시스템 반도체, 장비 및 부품, 재료, 설비, 센서 등 다양한 반도체 산업 분야의 주요 기업과 기관이 참여했다. 올해 행사에는 삼성전자, SK하이닉스, 샤오미, 화웨이 등 280개 기업이 700여 개 부스를 운영하며 반도체 산업의 최신 기술 트렌드와 협력 기회를 공유했다. 파워큐브세미는 이번 전시회에서 센서와 파워 소자 제품군을 중심으로 자사의 핵심 기술 경쟁력을 집중 홍보했다. 특히 산화갈륨(Ga₂O₃) 기반의 아크 감지 센서(Arc Detection Sensor) 를 공개해 주목을 받았다. 이 센서는 배전반이나 데이터센터 내부에서 발생할 수 있는 전기 아크 현상을 사전에 감지해 화재 위험을 예방할 수 있으며, 전력 인프라의 안전성을 크게 높인다. 산화갈륨 포토다이오드 구조를 채택한 이 센서는 극한의 산업 환경에서도 안정적인 감지 성능을 유지하며, 산업 설비, 전기차, 국방, 항공우주 등 고신뢰성이
ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)는 산업 및 통신용 버스 전압, 72V 배터리 시스템, 110V AC 라인 전원 장비 등에 최적화된 하프 브리지 GaN(Gallium Nitride) 게이트 드라이버 STDRIVEG210과 STDRIVEG211을 출시했다고 밝혔다. 신제품은 최대 220V의 레일 전압을 지원하며, 선형 레귤레이터를 내장해 하이사이드와 로우사이드 모두에서 6V 게이트 신호를 생성한다. 또한 분리된 싱크(Sink) 및 소스(Source) 경로를 통해 정밀한 제어와 최적의 구동 성능을 구현할 수 있다. STDRIVEG210은 서버 및 통신 전원공급장치, 배터리 충전기, 어댑터, 태양광 마이크로 인버터 및 옵티마이저, LED 조명, USB-C 전력 소스 등 다양한 전력 변환 애플리케이션에 적합하다. 공진형 및 하드 스위칭(Hard-Switching) 토폴로지 모두에 적용 가능하며, 300ns의 빠른 시동 시간으로 간헐 동작(버스트 모드) 시 웨이크업 지연을 최소화한다. STDRIVEG211은 과전류 감지 및 스마트 셧다운 기능을 갖춰 전원공급장치는 물론 전동 공구, 전기 자전거, 펌프, 서보 모터 드라이브, 클래스 D 오디오 증폭기 등 다양한 응용
인피니언 테크놀로지스는 AEC(자동차용 전자부품협회) 표준 인증을 받은 업계 최초의 자동차 등급 GaN(질화갈륨) 트랜지스터 제품군을 출시했다고 밝혔다. 인피니언은 이번 제품을 통해 GaN 및 차량용 반도체 분야에서의 리더십을 더욱 강화하고 있다. 이번에 양산을 시작한 CoolGaN 자동차용 트랜지스터 100V G1 제품군은 고전압(HV) CoolGaN 트랜지스터와 양방향 스위치를 포함해 AEC-Q101 인증을 받은 시제품의 샘플 공급도 시작됐다. 인피니언은 저전압 인포테인먼트 시스템부터 온보드 충전기(OBC) 및 트랙션 인버터의 고전압 솔루션에 이르기까지 자동차 산업의 변화하는 요구를 충족하는 혁신적 솔루션을 제공하고 있다. 인피니언 GaN 사업부 책임자인 요하네스 쇼이스볼은 “인피니언은 성장하는 소프트웨어 정의 차량(SDV) 및 전기차 시장에 GaN 전력 기술을 도입함으로써 차량용 반도체 솔루션 분야의 리더로서 입지를 더욱 공고히 할 것”이라며 “100V GaN 차량용 트랜지스터와 고전압 범위로의 포트폴리오 확장은 자동차 애플리케이션에 최적화된 에너지 효율적이고 신뢰성 높은 전력 트랜지스터 개발의 중요한 이정표”라고 말했다. 첨단 운전자 보조 시스템(AD
아이멕(Imec)이 전력 반도체의 대형화와 제조 효율 향상을 위한 300mm(밀리미터) GaN(질화갈륨) 오픈 이노베이션 프로그램 트랙을 출범했다. 이번 프로그램은 GaN 전력 전자 기술에 관한 imec 산업 제휴 프로그램(IIAP)의 일환으로, 엑시트론(AIXTRON), 글로벌파운드리(GlobalFoundries), KLA 코퍼레이션, 시놉시스(Synopsys), 비코(Veeco) 등 글로벌 반도체 장비 및 설계 기업이 첫 파트너로 참여했다. Imec은 이번 트랙을 통해 300mm GaN 에피택셜 성장(Epitaxy)과 저·고전압용 GaN HEMT(고전자이동도 트랜지스터) 공정 플로우를 개발한다. 300mm 기판을 적용하면 생산 단가를 낮추고, CPU·GPU용 고효율 저전압 POL(Point-Of-Load) 컨버터 등 차세대 전력 전자 소자 개발이 가능해진다. 이미 시장에서는 GaN 기반 초고속 충전기가 상용화되며 GaN의 잠재력을 입증했다. 실리콘(Si) 기반 솔루션 대비 소형·경량·고효율을 갖춘 GaN 기술은 자동차용 온보드 충전기(OBC), 태양광 인버터, AI 데이터센터 전력 분배 시스템 등 고효율·저전력 산업의 핵심으로 부상하고 있다. 현재 대부분
아이언디바이스가 전략기획그룹을 신설하고 선정현 전 DB하이텍 상무를 부사장으로 선임했다고 밝혔다. 아이언디바이스는 30년 이상 반도체 산업에서 영업, 마케팅, 품질 등 핵심 직무를 맡아온 선정현 부사장 영입을 통해 중장기 비전 달성을 위한 핵심 전략 수립, 사업 포트폴리오 최적화, 신규 사업 발굴 등을 본격 추진할 계획이다. 선 부사장은 1992년 삼성전자 메모리사업부 상품기획 및 응용기술팀에 입사해 경력을 시작했다. 당시 엔비디아(NVIDIA) 대상 신제품 프로모션과 디자인-윈(Design-win) 확보 등의 주요 성과를 거뒀다. 이후 DB하이텍에서 약 18년간 재직하며 영업팀과 마케팅팀을 총괄했으며, 전력반도체 개발 로드맵과 중장기 사업 전략을 주도했다. 특히 전력반도체(600V/650V/700V) 초도 양산을 성공적으로 이끌고, 전기차·고속 충전기 시장을 겨냥한 GaN(질화갈륨) 및 SiC(탄화규소) 사업을 적극적으로 개발했다. 또한 고수익 파워 제품과 전력반도체 파운드리 분야에서 고부가가치 포트폴리오를 구축하는 데 기여했다. 아이언디바이스 관계자는 “반도체 영업·마케팅 분야 최고의 전문가인 선정현 부사장이 합류해 전력반도체 사업을 강화하고 글로벌 기업
아우라 세미컨덕터 Vcore 기술 인수...전력 관리 로드맵 확장 온세미가 아우라 세미컨덕터(Aura Semiconductor)의 Vcore 전력 기술과 지식재산권(IP) 라이선스 관련 권리를 인수하는 계약을 체결했다고 25일 밝혔다. 이번 인수를 통해 온세미는 전력 관리 포트폴리오를 보강하고, AI 데이터센터 애플리케이션의 전력 수요에 대응하기 위한 ‘그리드부터 코어까지(From Grid to Core)’ 파워 트리 비전을 가속화할 계획이다. 수디르 고팔스와미 온세미 인텔리전트 센싱 및 아날로그·믹스 시그널 그룹 사장은 “이번 인수는 미래 데이터센터의 에너지와 효율성 요구를 해결하기 위한 전략적 조치”라며 “Vcore 기술을 온세미의 전력 관리 포트폴리오에 통합해 전력 밀도, 효율성, 열 관리 성능을 높이고 랙 단위 연산 용량을 확장할 것”이라고 말했다. 온세미는 실리콘 및 실리콘 카바이드(SiC) 기반 전력 반도체 분야에서 수십 년간 축적한 경험을 바탕으로 ▲솔리드 스테이트 변압기 ▲전원 공급 장치 ▲800V DC 배전 ▲코어 전력 공급 등 다양한 솔루션을 제공해왔다. 이번 기술 인수는 이러한 기존 포트폴리오에 통합돼 확장 가능한 설계를 기반으로 한 차세
ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 국립한국교통대학교(이하 한국교통대)와 파워 랩(Power Lab) 설립을 위한 협약을 체결했다. 이번 협력은 자동차 및 산업용 전자 애플리케이션 분야에서 국내 고객 지원 역량을 강화하는 것이 목적이다. 한국교통대는 철도전기정보공학과 내에 5kW부터 30kW까지의 양방향 및 단방향 부하, 냉각기, 고성능 오실로스코프 등 첨단 테스트 장비를 갖춘 시설을 제공한다. ST 한국지사는 파워 랩 환경에서 하드웨어와 소프트웨어 솔루션을 운영·평가할 전문 인력을 지원해 실시간 테스트와 최적화가 가능하도록 한다. 이를 통해 고객사와의 협력을 강화하고 신제품 출시 기간 단축에도 기여한다는 계획이다. 이재범 한국교통대학교 철도전기정보공학과 교수는 “파워 랩 프로젝트를 통해 산업 및 자동차의 전기화와 지속가능성 향상에 필수인 전력 반도체 분야를 선도하는 기업인 ST와 협력하게 돼 기쁘게 생각한다”며 “파워 랩의 활동으로 기존의 전통적인 학술적 방식을 넘어 실용적인 산업 중심적 모델로 나아가면서 반도체 산업에 대한 관점과 경험을 확장하는 한편, 글로벌 기술 리더로서 한국의 위상을 강화하는 데 기여하게 될 것이
ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 국립한국교통대학교(이하 한국교통대)와 전력 반도체 기술 지원 강화를 위한 파워 랩(Power Lab) 설립 협력을 발표했다고 16일 밝혔다. 이번 협력은 지난 7월 1일부터 진행됐으며, 국내 자동차 및 산업용 분야 주요 고객에 대한 ST의 기술 지원을 강화하는 것을 목표로 한다. 한국교통대 철도전기정보공학과 이재범 교수는 “산업과 자동차의 전기화 및 지속가능성 향상에 필수적인 전력 반도체 분야에서 ST와 협력하게 돼 기쁘다”며 “파워 랩의 활동을 통해 학술적 접근을 넘어 실용적이고 산업 중심적인 모델로 나아가 반도체 산업의 관점과 경험을 확장하고, 한국의 글로벌 기술 위상을 강화하는 데 기여할 것”이라고 말했다. 히로시 노구치 ST APeC(중국 제외 아시아태평양) 세일즈·마케팅 수석 부사장은 “120년 역사를 바탕으로 교통공학 인재를 양성해 온 한국교통대와 협력하게 되어 영광스럽다”며 “파워 랩을 통해 한국 고객들의 기술 문의에 신속히 대응하고 고객 참여를 확대할 수 있게 됐다. 또한 STEM 프로그램을 통해 차세대 엔지니어 발굴·육성에 기여할 수 있을 것으로 기대한다”고 밝혔다. 한
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UPDATE: 2025년 11월 14일 11시 58분
