전력반도체 전문기업 파워큐브세미가 16일 코스닥 상장을 위한 예비심사청구서를 제출했다고 밝혔다. 상장 주관사는 하나증권과 BNK투자증권이다. 2013년 설립된 파워큐브세미는 실리콘(Si), 실리콘카바이드(SiC), 산화갈륨(Ga2O3) 등 차세대 화합물 반도체 소자 기술력을 바탕으로 기술성 평가에서 A등급과 BBB등급을 동시에 획득하며 기술력을 인정받았다. 특히 국내 최초로 2300V SiC MOSFET 개발에 성공했으며, 중국의 글로벌 전기차 기업에 직접 설계한 ‘Si SJ MOSFET’을 공급한 실적도 보유하고 있다. 산화갈륨(Ga2O3)은 기존 실리콘카바이드(SiC) 및 질화갈륨(GaN)보다 넓은 밴드갭을 가지고 있어, 고전력 환경에서도 효율적으로 작동할 수 있는 특성을 지닌 차세대 전력반도체의 핵심 소재로 주목받고 있다. 파워큐브세미 강태영 대표이사는 “이번 예비심사를 계기로 파워큐브세미의 성장이 본격화될 것으로 기대한다”며, “저전력·고효율이 핵심인 반도체 산업에서 핵심 기술 경쟁력을 갖춘 기업으로 거듭나겠다”고 전했다. 향후 파워큐브세미는 반도체 소자 설계를 넘어 제조 공정까지 내재화함으로써 성능과 가격에서 모두 경쟁력을 확보하고, 글로벌 시장에서
전력반도체 전문 기업 파워큐브세미가 국내 대표 화합물 반도체 파운드리 기업 SK파워텍과 고성능 1200V 16mOhm 실리콘카바이드(SiC) MOSFET 개발에 성공하고, 양산 가능한 수준의 수율을 확보했다고 밝혔다. 이번에 확보한 1200V 16mOhm 제품은 전기차(EV)의 메인 인버터와 초급속 충전기 등 고전력∙고효율이 요구되는 핵심 어플리케이션에 탑재되는 하이엔드 소자다. 특히 125A급 대전류를 구동하기 위해 대면적 칩 설계가 적용되었음에도 불구하고, 초도 개발 랏(Lot)에서 최대 80% 이상의 수율을 확보했다고 회사 측은 밝혔다. 이는 통상적인 대면적 SiC 소자의 초기 개발 수율을 훨씬 상회하는 수치로, 파워큐브세미의 설계 최적화 능력과 SK파워텍의 파운드리 공정이 글로벌 탑티어 수준에 도달했음을 증명한 것으로 평가된다. 회사 측은 2026년 내 수율 90% 이상 달성을 목표로 해, 시장 내 경쟁력을 한층 강화해 나갈 계획이라고 밝혔다. 파워큐브세미가 공개한 데이터에 따르면, 해당 제품은 단순한 동작 검증을 넘어 제품의 내구성을 가늠하는 항복 전압(Breakdown Voltage)이 정격인 1200V를 뛰어넘는 1500~1650V를 기록해 25
글로벌 반도체 기업 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 유럽투자은행(EIB)과 유럽 반도체 산업의 경쟁력과 전략적 자율성 강화를 목표로 총 10억 유로 규모의 금융 협약을 체결했다. 이번 협약은 EIB가 승인한 신용 한도 중 5억 유로를 1차로 집행하는 것으로 유럽 내 반도체 연구개발과 대량생산 역량을 동시에 강화하기 위한 장기 투자라는 점에서 주목된다. 이번 자금은 ST가 반도체 R&D와 생산 거점을 운영 중인 이탈리아와 프랑스를 중심으로 투입된다. 전체 자금의 약 60%는 이탈리아 카타니아와 아그라테, 프랑스 크롤 등 주요 생산 시설의 대량생산 역량 강화에 사용되며, 나머지 40%는 차세대 반도체 기술 개발을 위한 연구개발에 배정된다. 특히 전력반도체와 실리콘 카바이드(SiC) 기반 기술을 포함한 전략 기술이 주요 투자 대상이다. ST와 EIB의 협력은 이번이 아홉 번째다. EIB는 1994년 이후 ST의 주요 프로젝트를 지속적으로 지원해 왔으며, 누적 금융 지원 규모는 약 42억 유로에 달한다. 이는 유럽 내 대표 반도체 기업을 장기적으로 육성해 온 금융 파트너십의 대표 사례로 평가된다. 이번 협약 역시 단기
파워큐브세미가 60억원 규모의 프리IPO를 성공적으로 마무리했다고 밝혔다. 이번 라운드에는 산은캐피탈 및 KB증권, 카카오페이증권과 소풍벤처스가 신규 투자자로 참여했으며, 하나벤처스가 기존 주주로 팔로우업(Follow-up) 투자를 진행했다. 2013년 설립된 파워큐브세미는 실리콘(Si), 실리콘카바이드(SiC), 산화갈륨(Ga2O3) 등 차세대 화합물 반도체 소자에 대한 독자적인 기술역량을 갖추고 있는 업체이다. 글로벌 최초로 산화갈륨 전용 양산 Fab을 오픈하여 가동 중이며, 다양한 글로벌 고객사들과 협업을 진행하고 있다. 특히 지난 7월에는 본기술성평가에서 A등급을 확보하며 코스닥 기술특례상장을 위한 핵심 요건을 충족하였다. 회사는 이번 투자를 바탕으로 내년 1월 이내에 상장예비심사청구를 진행한다는 계획이다. 파워큐브세미의 강태영 대표이사는 “투자를 결정해 주신 모든 분들께 감사드린다"며, "성공적으로 상장을 마무리하여 보내 주신 응원에 보답할 수 있도록 최선을 다하겠다” 고 밝혔다. 헬로티 이동재 기자 |
온세미가 셰플러와의 협력을 확대하며, 플러그인 하이브리드 전기차(PHEV) 플랫폼에 최적화한 트랙션 인버터 솔루션을 공동 개발한다. 이번 협력은 온세미의 차세대 실리콘 카바이드(SiC) 기술 기반 MOSFET 제품군 ‘EliteSiC’를 적용한 신규 디자인 윈을 바탕으로 본격화됐다. 이번에 적용되는 온세미의 EliteSiC 기술은 기존 IGBT 기반 시스템 대비 전도 손실을 크게 줄이고, 단락 회로에 대한 견고성도 강화한 것이 특징이다. 이를 통해 콤팩트하고 열 효율이 높은 인버터 설계를 가능하게 해 차량 전체 시스템의 성능을 끌어올릴 수 있다. 특히 동일 조건에서 경쟁 SiC 솔루션 대비 가장 낮은 온 상태 저항을 제공함으로써, 더 높은 피크 전력을 구현할 수 있다는 점이 핵심 강점으로 꼽힌다. 셰플러는 이러한 기술을 활용해 전기차 고객에게 실질적인 혜택을 제공하는 트랙션 인버터 시스템을 공급하게 된다. 예를 들어, 에너지 변환 효율이 높아지면서 차량 주행 거리가 늘어나고, 열 관리가 개선되면서 안정성은 물론 유지 보수 비용까지 절감된다. 동시에 인버터의 크기를 줄여 차량 설계의 유연성도 확보할 수 있다. 셰플러 컨트롤 사업부 총괄 크리스토퍼 브라이트자메터
차량 주행 거리 및 출력 향상...전력 시스템 소형화에도 기여 인피니언 테크놀로지스(이하 인피니언)가 리비안(Rivian)의 차세대 전기차 플랫폼 R2에 전력 반도체 솔루션을 대거 공급한다. 인피니언은 오는 2026년부터 R2 플랫폼에 실리콘 카바이드(SiC) 및 실리콘(Si) 기반의 HybridPACK Drive G2 전력 모듈을 비롯해 AURIX TC3x 마이크로컨트롤러와 전력관리 IC를 제공할 계획이다. 이번 공급은 전동화 전환이 본격화되는 글로벌 자동차 시장에서 와이드 밴드갭(WBG) 기술이 핵심으로 떠오르고 있다는 점에서 의미가 크다. 특히, 인피니언은 2017년 이후 1050만 개 이상 판매된 HybridPACK Drive 시리즈를 기반으로 전기차 인버터 시장에서 확고한 입지를 구축하며, 이번 리비안과의 협력을 통해 그 지위를 공고히 할 수 있게 됐다. HybridPACK Drive G2는 고성능 전기차 트랙션 인버터용으로 설계된 전력 모듈로, 인피니언의 차세대 SiC 기술이 집약돼 있다. 높은 전력 밀도와 효율성을 갖춘 이 모듈은 차량의 주행 거리와 출력 향상은 물론, 전력 시스템의 소형화에도 기여한다. 한편, 인피니언은 말레이시아 쿨림과 오스트
전력 손실 줄이고, 서버랙 내 공간을 효율적으로 사용할 수 있어 AI 인프라 고도화를 위한 데이터 센터 전력 아키텍처에 대전환이 예고됐다. 인피니언 테크놀로지스(이하 인피니언)는 엔비디아와 협력해 800V 고전압직류(HVDC) 기반의 중앙 집중형 전력 시스템을 개발하고 있다고 17일 밝혔다. 양사는 이 차세대 전력 아키텍처가 향후 AI 데이터 센터의 에너지 효율성과 공간 활용도를 동시에 끌어올릴 수 있는 핵심 기술이 될 것이라고 강조했다. 현재 대부분의 AI 데이터 센터는 여러 개의 분산형 전력공급장치(PSU)를 통해 AI 칩에 전력을 공급하고 있다. 하지만 AI 연산 수요가 폭증하면서 전력 밀도와 효율성에 대한 요구가 높아지고 있으며, 이는 기존 분산형 구조의 한계를 드러내고 있다. 인피니언과 엔비디아가 추진 중인 800V HVDC 기반의 중앙 전력 시스템은 이러한 한계를 극복하고, 서버 보드 내 GPU 등 AI 칩에 직접 전력을 공급할 수 있는 구조로 설계됐다. 이 아키텍처는 중앙 전력 모듈에서 고전압을 생성한 후, 최소한의 전력 변환 단계를 거쳐 AI 칩에 직접 전력을 전달한다. 이 방식은 전력 손실을 줄이고, 서버랙 내 공간을 효율적으로 사용할 수 있
AI 서버 랙 위한 고효율·고신뢰성 전력 변환 시스템 구축 인피니언 테크놀로지스(이하 인피니언)가 AI 데이터 센터의 전력 안정성과 시스템 신뢰성 강화를 위해 새로운 배터리 백업 유닛(BBU) 솔루션 로드맵을 발표했다. 이번 발표에는 업계 최초로 전력 밀도 4배 향상과 함께 최대 12kW까지 확장 가능한 고성능 BBU 시스템이 포함돼 주목을 받고 있다. 인피니언의 BBU 솔루션은 AI 서버 랙을 위한 고효율·고신뢰성 전력 변환 시스템으로, AI 워크로드에 특화한 전원 인프라의 새로운 표준을 제시한다. 특히 전압 스파이크나 전력 서지 같은 이상 현상으로부터 민감한 AI 하드웨어를 보호하는 전력 필터링 기능을 강화해 AI 데이터 센터의 다운타임 리스크를 줄이는 데 집중했다. 이번 로드맵의 핵심은 4kW부터 시작해 최대 12kW까지 확장 가능한 모듈형 BBU 아키텍처다. 5.5kW 중간 단계 시스템은 실리콘(Si)과 질화갈륨(GaN) 기반의 고효율 전력 변환 기술을 통합했으며, 최종 12kW 시스템은 4kW 카드 여러 개를 병렬 연결해 유연성과 확장성을 높였다. 고장 발생 시에도 시스템이 감축된 용량으로 작동을 지속할 수 있어 다운타임을 최소화한다. 인피니언의 아
파워큐브세미는 제엠제코와 전기자동차용 전력반도체 공급 협업 MOU를 체결했다고 20일 밝혔다. 전력반도체란 전기 에너지를 활용하기 위해 전류, 전압을 제어하고 처리하는 반도체 부품이다. 직류 전압을 교류 전압으로 변경하거나, 전력을 제어하고 증폭하는 역할을 수행하기 때문에 PC, 노트북, 가전기기, LED 등 전기가 필요한 제품이라면 반드시 필요한 반도체이다. 최근에는 SiC(실리콘카바이드) 기반의 전력반도체가 크게 부상하고 있는데, SiC(실리콘카바이드) 전력반도체는 기존의 Si(실리콘) 전력반도체보다 10배 높은 전압을 견딜 수 있어 섭씨 수백 도의 고온에서도 안정적으로 작동할 수 있기 때문이다. 특히 전기차의 인버터(Inverter)와 같이 모터를 구동하는 장치에 적용될 경우 전기차의 속도와 주행성능을 비약적으로 향상시킬 수 있어 적극적으로 채택되고 있는 추세다. 파워큐브세미와 제엠제코는 2029년까지 글로벌 완성차 업체에 진입하는 것을 목표로 전기차 인버터에 최적화된 SiC(실리콘카바이드) 전력반도체와 모듈을 공동 개발할 예정이다. 파워큐브세미의 SiC(실리콘카바이드) 전력반도체 Back-End 커스터마이징 기술과 제엠제코의 양면냉각 모듈 설계기술을
SK그룹, 지난 2019년부터 반도체, 신에너지 등 美 기업에 약 300억 달러 투자 최태원 SK그룹 회장은 27일 SK실트론의 미국 자회사 SK실트론 CSS가 미국 미시간주 베이시티에서 운영하는 실리콘카바이드(SiC) 웨이퍼 공장이 한미 파트너십 성공의 증거라고 밝혔다. 최 회장은 이날 링크드인에 올린 글에서 "SK실트론 CSS는 최근 미국과 한국 당국자들로부터 파트너십의 긍정적인 영향을 확인했다"며 이같이 말했다. 그는 최근 필립 골드버그 주한미국대사와 조현동 주미한국대사를 SK실트론 CSS 베이시티 공장에 초청했으며, 이들이 제조 현장을 둘러보고 한미 무역 관계를 논의했다는 소식을 전했다. 최 회장은 "SK실트론 CSS는 골드버그 대사와 조 대사를 초청해 미시간주를 비롯해 미국 전역의 SK 계열사들이 어떻게 숙련된 일자리를 창출하면서 혁신을 주도하고 미래 산업을 구축하는지 소개했다"고 전했다. 아울러 "SK실트론은 이 회사를 인수할 당시 미시간주 오번에 단일 공장을 운영했는데, 이 시설이 성장하면서 인근 베이시티로 확장한 것은 한국과 미국의 파트너십이 성공했음을 보여주는 증거"라고 덧붙였다. 또한, "SK그룹은 양국의 파트너십을 바탕으로 2019년부터
고품질 제품을 적기에 출하함으로써 반도체 공급망 선순환에 기여할 계획 쿠어스텍이 경상북도 구미 한국본사 지역에 3번째 공장을 준공하고 기념 행사를 진행했다. 1992년 한국 진출 이후 구미 공장의 연구 및 제조 시설 투자를 지속해 온 쿠어스텍은 이번에 제3공장까지 확장함에 따라 급변하는 반도체 시장에 효과적으로 대응할 것으로 예상된다. 국내 반도체 생태계 발전에 기여하기 위해 꾸준히 구미 공장에 투자해 온 쿠어스텍은 이번 제3공장을 신제품 출시를 위한 구심점으로 삼고, 고객이 요구하는 고품질의 제품을 적기에 출하해 반도체 공급망의 선순환에 기여할 계획이다. 특히, 지난 2010년부터 14년간 지속적인 연구를 통해 고도화한 초고순도 물질을 제조하는 CVD SiC 제조 공정을 제3공장에도 적용함으로써, 반도체와 같이 극한의 공정을 요구하는 시장에 빠르게 대응할 것으로 기대된다. 쿠어스텍은 경상북도 및 구미시와 첨단 세라믹 제조시설 투자에 관한 양해각서(MOU)를 체결한 후 구미국가산업단지에 첫 공장을 2002년에 준공한 이래, 지난 2019년에 제2공장, 2024년에 제3공장을 증설하면서 한국 내 투자를 확대하고 고용을 창출하고 있다. 쿠어스텍 구미 공장에서 생
송배전과 같이 고내압, 저전력이 필요한 어플리케이션에 적용 예정 파워큐브세미는 국내 최초로 2300V SiC MOSFET 개발에 성공했다고 26일 밝혔다. SiC(탄화규소)는 기존 Si(실리콘) 기반의 반도체 대비 견딜 수 있는 전압이 높아 미래 전력반도체를 주도할 차세대 소자로 불리고 있다. 전기자동차의 보급, AI로 인한 데이터 센터의 확대 등 첨단기술의 도입에 반드시 필요한 핵심 부품이다. 파워큐브세미는 국내 SiC(탄화규소), Si(실리콘), Ga2O3(산화갈륨) 전력반도체를 설계하는 팹리스 기업으로 글로벌 유일하게 3개 소자를 다룬다. 최근엔 중국 글로벌 전기자동차 기업에 대용량 SJ MOSFET을 적용 및 판매하며 직접 설계한 반도체의 성능과 기술력도 인정받았다. 특히 이번 2300V SiC MOSFET은 국내 최초의 개발 사례다. 파워큐브세미 경신수 CTO는 “기존의 1700V SiC MOSFET 개발 및 양산 경험이 2300V까지 이어질 수 있었다”고 밝혔다. 2300V SiC MOSFET은 송배전과 같이 고내압, 저전력이 필요한 어플리케이션에 적용될 예정이다. 해당 제품은 한국전력의 송배전용 인버터에 공급을 협의하고 있다. 2023년 12월
세계적인 경기 침체에 따른 전방산업 수요 부진 영향 받아 DB하이텍은 5일 연결 기준 작년 한 해 영업이익이 2663억 원으로 전년보다 65.36% 감소한 것으로 잠정 집계됐다고 공시했다. 매출은 1조1578억 원으로 전년 대비 30.89% 감소했으며, 영업이익률은 23% 수준이다. 순이익은 2448억 원으로 56.2% 줄었다. 작년 4분기 영업이익은 431억 원으로 전년 동기보다 71.97% 줄었다. 매출과 순이익은 각각 28.73%, 47.88% 감소한 2830억 원과 356억 원이었다. 세계적인 경기 침체에 따른 전방산업 수요 부진으로 반도체 파운드리 시장 회복이 지연되면서 전년보다 실적이 하락했다. 회사 측은 "전력반도체 기술 격차를 지속 확대하는 동시에 차량용의 비중을 높이고 차세대 전력반도체로 주목받는 갈륨나이트라이드(GaN), 실리콘카바이드(SiC) 등 고부가·고성장 제품을 확대하며 경쟁력을 강화할 계획"이라고 밝혔다. 헬로티 서재창 기자 |
캐나다 전 지역 비즈니스 확대 추진 본격화 내년 상반기 美로 시장 진출 목표...친환경 에너지 분야 ‘도전장’ 전력반도체 업체 파워큐브세미가 캐나다 전자부품 업체 시그마 컴포넌트(Sigma Component Design Ltd)와 협력체계를 구축해 북미 시장 공략에 첫발을 뗐다. 파워큐브세미는 실리콘 및 실리콘카바이드(SiC) 소자를 개발·생산하는 업체다. 최근 산화갈륨(Ga2O3) 전력반도체 시장 선점을 목표로 산화갈륨 전용 팹을 신설했다. 이는 국내 차세대 화합물 전력반도체 소자 개발 및 생태계 구축에 주력하고 있는 모습이다. 이번 양사의 파트너십은 파워큐브세미의 북미 시장 공략에 초석이 될 전망이다. 양사는 그 시작으로 캐나다 전 지역의 비즈니스 확대를 추진하기로 했다. 현재 전기차 충전기에 탑재되는 고성능 전력반도체 부품인 슈퍼정션 모스펫(SJ MOSFET) 및 실리콘카바이드 모스펫(SiC MOSFET) 샘플을 제출해 제품 승인을 기다리고 있다. 여기에 캐나다 스노우모빌 제조업체의 온보드 차저(OBC), Low DC-DC Converter(LDC) 등 전력 모듈 공급 수주를 따내 전력 모듈 사업화 기반을 마련했다. 파워큐브세미는 이를 발판으로 내년 상
애플리케이션에서 손실 최소화하고 신뢰성 및 사용 편의성 높여 인피니언 테크놀로지스(이하 인피니언)는 TOLL(TO leadless) 패키지를 적용한 실리콘 카바이드(SiC) CoolSiC MOSFET 650V 제품군을 출시했다. 새로운 SiC MOSFET은 인피니언의 포괄적인 CoolSiC 포트폴리오를 강화하며, 서버, 텔레콤 인프라, 에너지 저장 시스템, 배터리 포메이션 솔루션 등의 애플리케이션에서 손실을 최소화하고 높은 신뢰성을 달성하며 사용 편의성을 높이도록 설계됐다. CoolSiC 650V 고성능 트렌치 기반 SiC MOSFET은 다양한 애플리케이션을 지원하도록 다양한 구성으로 제공된다. JEDEC 인증 TOLL 패키지의 새로운 제품군은 낮은 기생 인덕턴스를 특징으로 해 높은 스위칭 주파수, 낮은 스위칭 손실, 우수한 열 관리 및 자동 어셈블리를 가능하게 한다. 컴팩트한 폼팩터로 보드 공간을 효과적으로 사용할 수 있어 시스템 디자이너는 우수한 전력 밀도를 달성한다. 650V CoolSiC MOSFET은 가혹한 환경에서 신뢰성을 자랑하므로, 반복적으로 하드 정류를 하는 토폴로지에 적합하다. 내장된 .XT 인터커넥트 기술은 열 저항과 열 임피던스를 낮춤으
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UPDATE: 2026년 01월 30일 20시 02분
