데이터 통신·전기 통신, 소비 가전 충전, 태양열 및 산업용 제품 등 전력 변환 효율 개선 넥스페리아가 오늘 저전압(100/150V) 및 고전압(650V) 애플리케이션을 위한 e-모드 구성의 전력용 GaN FET 첫 시리즈를 출시했다. 넥스페리아는 7개의 새로운 e-모드 소자로 캐스코드 제품을 보강함으로써 설계자에게 실리콘 기반 전력 전자 부품 포트폴리오와 함께 GaN FET를 최적으로 제공하는 단일 제조업체가 됐다. 넥스페리아가 이번에 출시한 새로운 포트폴리오에는 DFN 5mm x 6mm 및 DFN 8mm x 8mm 패키지로 선택할 수 있는 5개의 650V 정격 e-모드 GaN FET - 80mΩ에서 190mΩ 사이의 RDS(on) 값이 포함된다. 이 소자들은 고전압, 저전력(<650V) 데이터 통신/전기 통신, 소비 가전 충전, 태양열 및 산업용 응용 제품 등의 전력 변환 효율을 개선시킨다. 이 제품들은 또한 더 높은 토크와 더 높은 출력 값을 가지는 정밀도를 갖춘 브러시리스 DC 모터 및 마이크로 서버 드라이브 설계에도 사용된다. 이 제품들 중에는 WLCSP8 패키지로 제공되는 100V(3.2mΩ) GaN FET와 FCLGA 패키지로 제공되는 15
ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 프로그래밍 가능한 단일 채널 버전의 하이 사이드 스위치 IPS1025H 및 IPS1025H-32를 출시했다. 저전압, 과전압, 과부하, 과열에 대한 보호 기능이 내장된 이 디바이스들은 높은 시동 전류를 소모하는 용량성, 저항성 또는 유도성 부하를 지능적으로 구동한다. IPS1025H 및 IPS1025H-32은 전류 제한이 내부적으로 다르게 프로그래밍돼 있다. IPS1025H의 전류 제한은 2.5A고, IPS1025H-32는 5.7A다. 메인 전류 제한 외에도 각 스위치는 사용자가 프로그래밍이 가능한 2차측 제한을 제공해 초기 시동 전류가 높은 용량성 부하를 처리하도록 한다. 제한 값과 지속시간은 외부 저항과 커패시터를 이용해 설정한다. 이 소형 디바이스들은 8~60V에 이르는 넓은 전압 범위의 전원공급 및 입력 핀을 갖췄으며, 입력 핀에서 65V까지 견딜 수 있어 산업용 애플리케이션에서 안정적 성능을 보장한다. IPS1025H는 일반적으로 PLC 모듈로 제어하는 부하를 구동하거나 I/O 주변장치 및 CNC 머신과 같은 공장 자동화 장비에 사용할 수 있다. 최대 전류 제한이 더 높은 IPS1025H-32는 자동판매기와 같은
도시바 코퍼레이션(Toshiba Corporation) 산하 반도체/스토리지 제품 컴퍼니가 DC 브러시 모터와 스테핑 모터를 위한 ‘TC78H620FNG’를 출시했다. 모바일 배터리 구동 장비 등에 유용한 것으로, H 브릿지 드라이버 IC 라인업의 일종이다. 이 제품은 위상신호와 인에이블 신호를 이용하는 4포트 인터페이스 제어를 적용하고 있다. 표준 인터페이스의 기존 제품인 TC78H610FNG는 스테핑 모터의 풀 스텝 제어를 위해 4개 포트가 필요했다. 신제품 ‘TC78H620FNG’는 3개 포트로 제어를 구현한다. 세트의 우수한 기능성으로 인해 MCU 제어 포트 부족이 문제가 되는 경우가 있다. 이 제품은 이러한 문제 해결에 기여할 전망이다. 또한 저전압 드라이브(모터 드라이브: 2.5V 이상, 로직 제어: 2.7V 이상)와 호환되며 이에 따라 3.7V 리튬이온 배터리 드라이브가 장착된 모바일 기기(카메라, 소형 프린터)용으로 적합하다. 소형 패키지(SSOP16)는 마운팅부 크기를 줄여주며 기판 비용을 절감해준다. 이상 검지 기능이 탑재돼 모터 구동 시 안전성을 높여준다. 추경미 기자 (ckm@hellot.ne
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