180나노미터 이상의 첨단 미세공정 노드에서 제작되는 ADI 자체 생산량 두 배 증가 아나로그디바이스(이하 ADI)는 미국 오리건주 비버튼에 있는 반도체 웨이퍼 팹 설비 확장을 위해 10억 달러 이상을 투자한다고 밝혔다. 1978년에 완공된 비버튼 팹은 생산 물량 기준으로 ADI의 가장 큰 웨이퍼 제조 시설로서 산업, 자동차, 통신, 소비가전, 헬스케어 등 핵심 산업 분야의 고객에게 서비스를 제공하고 있다. 이번 설비 투자로 클린룸 공간은 약 11만8000제곱피트로 늘어나고, 180나노미터 이상의 첨단 미세공정 노드에서 제작되는 ADI 자체 생산량은 거의 두 배로 증대된다. 이와 함께 수백 명의 장기 신규 고용 효과를 창출함으로써, 오리건주에서 근무하는 ADI 직원 수도 현재 약 950명에서 크게 증가할 것으로 예상된다. 총 투자의 10% 이상은 전반적인 효율을 높이고 환경 친화적인 화학 물질을 활용하기 위한 최신 첨단 팹 장비 구매에 사용된다. 이 시설은 생산량을 거의 두 배로 늘리면서도 절대 온실가스 배출량은 약 75%, 생산 단위당 용수 사용량은 약 50% 줄이는 것을 목표로 하고 있다. ADI의 빈센트 로취(Vincent Roche) CEO 겸 회장은
500에이커 규모 론러 에이커스 캠퍼스, 공동 창업자 이름 따 '고든 무어 파크'로 개명 인텔이 11일(미국 현지 시간) 미 오리건주 힐스보로에 위치한 최첨단 반도체 공장 D1X 확장 오프닝 행사를 가졌다고 발표했다. 팻 겔싱어 인텔 CEO는 미국 정부 고위관계자 및 지역사회 관계자가 참석한 리본 커팅식에서 오리건주에 대한 인텔의 긍정적인 영향과 반도체 연구개발 분야에서 미국의 리더십을 확보하기 위한 노력을 거듭 강조했다. 인텔은 또한 약 500에이커 규모의 론러 에이커스 캠퍼스를 ‘고든 무어 파크(Gordon Moore Park)’로 개명했다. 인텔 공동 창업자 고든 무어가 1965년 발표한 ‘무어의 법칙’을 지난 50년 이상 이끌어 온 해당 캠퍼스의 역사와 공로를 기념해 해당 캠퍼스를 개명했다. 팻 겔싱어 인텔 CEO는 “인텔은 창립 이래 무어의 법칙을 끊임없이 발전시키는 데 주력해왔다”며, “새롭게 확장하는 D1X는 인텔의 도전적인 IDM 2.0 전략을 지원하기 위해 더욱 빠르게 공정 로드맵을 제공할 수 있도록 역량을 강화할 것"이라고 밝혔다. 고든 무어 파크는 인텔 글로벌 기술 개발 조직 본부로 무어의 법칙을 발전시키기 위해 신규 트랜지스터 아키텍처,
상호명(명칭) : (주)첨단 | 등록번호 : 서울,자00420 | 등록일자 : 2013년05월15일 | 제호 :헬로티(helloT) | 발행인 : 이종춘 | 편집인 : 김진희 |
본점 : 서울시 마포구 양화로 127, 3층, 지점 : 경기도 파주시 심학산로 10, 3층 | 발행일자 : 2012년 4월1일 | 청소년보호책임자 : 김유활 | 대표이사 : 이준원 | 사업자등록번호 : 118-81-03520 | 전화 : 02-3142-4151 | 팩스 : 02-338-3453 | 통신판매번호 : 제 2013-서울마포-1032호
copyright(c) HelloT all right reserved
UPDATE: 2025년 08월 04일 18시 12분
