전송속도 최대 2.4Gbps 지원…7세대 대비 1.2배 향상 삼성전자는 세계 최고 용량의 '1Tb(테라비트) 8세대 V낸드' 양산을 시작했다고 7일 밝혔다. '1Tb TLC(Triple Level Cell·1개 셀에 3개 비트 저장) 8세대 V낸드'는 단위 면적당 저장되는 비트 수(비트 밀도)가 업계 최고 수준인 고용량 제품이다. 웨이퍼당 비트 집적도가 이전 세대보다 대폭 향상됐다. 8세대 V낸드에는 최신 낸드플래시 인터페이스 '토글 DDR 5.0'을 적용했다. 이에 따라 7세대 낸드보다 약 1.2배 빠른 최대 2.4Gbps(초당 기가비트)의 데이터 입출력 속도를 지원한다. 아울러 PCIe(고속 입출력 인터페이스) 4.0 인터페이스를 지원하며, 향후 PCIe 5.0까지 지원할 계획이다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실 부사장은 "고집적·고용량에 대한 시장의 요구로 V낸드의 단수가 높아짐에 따라 3차원 스케일링 기술로 셀의 평면적과 높이를 모두 감소시키고, 셀의 체적을 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하는 기반 기술도 확보했다"고 설명했다. 삼성전자는 8세대 V낸드를 앞세워 차세대 엔터프라이즈 서버 시장의 고용량화를 주도하고, 높은 신뢰성이 필요한 전
삼성전자가 5일(현지시간) 차세대 단기 기억장치 D램과 장기 기억장치 V낸드 양산 계획을 밝혔다. 삼성전자 메모리사업부장 이정배 사장은 이날 미 캘리포니아주 실리콘밸리에서 열린 '삼성 테크 데이'에서 "내년에 5세대 10나노급 D램을 생산하고, 2024년에는 9세대 V낸드(Vertical NAND)를 양산할 계획"이라고 발표했다. 삼성 테크 데이는 삼성전자가 2017년부터 차세대 반도체 기술을 선보이는 자리다. D램은 가령 휴대전화 사진 촬영 후 저장 이전 단계에 이용되는 단기 기억 반도체이고, 낸드는 촬영 후 저장 시 사용되는 장기 기억 반도체다. 현재 D램은 4세대 10나노급이 생산 중이고, 데이터를 저장하는 셀(cell·저장공간)을 수직으로 쌓는 형태의 V낸드는 7세대를 양산 중이다. 삼성전자는 올해 하반기에 8세대 V낸드를 생산한 데 이어 내년에 5세대 10나노급 D램을 생산하고 2년 뒤 9세대 V낸드를 양산할 계획이라고 구체적인 로드맵을 제시했다. 8세대 V낸드는 7세대보다 단위 면적당 저장되는 비트 수가 42% 향상됐다. 5세대 10나노급 D램은 기존 같은 사양의 4세대보다 크기는 작고 성능은 뛰어나다. 삼성전자는 8세대 V낸드 512Gb TLC(
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