반도체 넥스페리아, 전력 집약적 인프라용 1200V SiC 다이오드 출시

넥스페리아가 지속적으로 확장되고 있는 전력 전자 부품 포트폴리오에 2개의 1200V 20A 실리콘 카바이드(SiC) 쇼트키 다이오드를 추가했다고 14일 밝혔다. PSC20120J 및 PSC20120L은 산업용 기기 분야에서 고효율 에너지 변환을 가능하게 하는 초저전력 손실 정류기에 대한 수요를 해결하도록 설계됐다. 이에 따라 이 제품들은 전력 집약적인 인공 지능(AI) 서버 인프라, 통신 장비 및 태양광 인버터 애플리케이션의 전원 공급 장치(PSU)에 이상적이라고 회사는 설명했다. 이번에 출시된 새로운 쇼트키 다이오드들은 온도에 독립적인 정전식 스위칭과 제로 리커버리 동작을 통해 최첨단 성능으로 높은 성능 지수(QC x VF)를 제공한다. 전류 및 스위칭 속도 변화에 거의 영향을 받지 않는 스위칭 성능을 발휘하는 것도 특징이다. 이 소자들의 병합된 PiN 쇼트키(MPS) 구조는 높은 피크 순방향 전류(IFSM)로 입증된 서지 전류에 대해 뛰어난 견고성과 같은 추가적인 이점도 제공한다. 이 기능은 추가 보호 회로에 대한 요구 사항을 완화해 시스템 복잡성을 줄여주므로 엔지니어들은 견고한 고전압 애플리케이션에서 더 작은 폼 팩터로도 더 높은 효율성을 달성할 수 있

• 이창현 기자
• 2025-07-14 10:46