로옴은 안정성과 시뮬레이션 속도를 향상시킨 SPICE 모델 ‘로옴 레벨 3’(ROHM Level 3, 이하 L3)를 개발했다고 29일 밝혔다. 파워 반도체의 손실은 시스템 전체의 효율에 큰 영향을 미치기 때문에 설계 단계의 시뮬레이션 검증에 있어서 모델의 정밀도가 매우 중요하다. 기존에 로옴에서 제공해온 SiC 모스펫(MOSFET)용 SPICE 모델 ‘로옴 레벨1’은 각 특성의 재현성을 높임으로써 고정밀도 시뮬레이션의 요구에 대응해왔다. 그러나 시뮬레이션의 안정성 및 연산 시간의 단축이라는 과제에 대한 개선이 요구됐다. L3는 심플한 모델 식을 채용함으로써 연산의 안정성과 스위칭 파형의 정밀도를 유지함과 동시에 기존 모델인 L1 대비 시뮬레이션 시간을 약 50％ 단축할 수 있다. 이에 따라 회로 전체의 과도 해석을 단시간에 고정밀도로 실행할 수 있어 어플리케이션 설계 단계에서의 디바이스 평가 및 손실 확인의 효율화에 기여한다. L3의 제4세대 SiC 모스펫 모델(37기종)은 지난 4월부터 웹 사이트 상에서 공개 중으로, 제품 페이지 등에서 다운로드 가능하다. 로옴은 새로운 모델 L3 제공과 병행해 기존 모델도 지속적으로 제공하고 있다. 또한 사용 방법을 설명
넥스페리아(Nexperia)가 30, 40, 60mΩ의 RDS(on) 값을 가진 효율적이고 견고한 자동차 인증 실리콘 카바이드(SiC) 모스펫(MOSFET) 제품군을 발표했다. 업계 최고의 FoM(Figure-of-Merit)을 제공하는 이 소자들(모델명: NSF030120D7A0-Q, NSF040120D7A1-Q, NSF060120D7A0-Q)은 이전에 산업용 등급이었지만 AEC-Q101 인증을 받은 제품이라고 넥스페리아는 강조했다. 이 제품들은 전기 자동차(EV)의 온보드 충전기(OBC) 및 트랙션 인버터 등 자동차 애플리케이션뿐만 아니라 DC-DC 컨버터, 난방, 환기 및 공조 시스템(HVAC)에도 적합하다. 이 스위치들은 쓰루홀 소자보다 자동 조립 작업에 더 적합함으로 인해 점점 더 대중화되고 있는 표면 실장 D2PAK-7 패키지로 제공된다. RDS(on)은 전도 손실에 영향을 미치기 때문에 SiC 모스펫에서 중요한 성능 매개변수로 작용한다. 그러나 공칭 값에 집중하면 소자의 작동 온도가 상승함에 따라 100% 이상 증가할 수 있다는 사실을 간과해 전도 손실이 크게 증가할 수 있다. SMD 패키지 기술을 사용할 때는 소자가 PCB를 통해 냉각되기 때문
넥스페리아(Nexperia)는 30mΩ, 40mΩ, 60mΩ 및 80mΩ RDSon 값으로 제공되는 D2PAK-7 표면 실장형 (SMD) 패키징의 1200V 실리콘 카바이드(SiC) 모스펫(MOSFET)을 출시했다고 22일 밝혔다. 이 소자는 넥스페리아가 2023년 말에 3핀, 4핀 TO-247 패키지로 출시한 2개의 개별 SiC 모스펫에 이은 후속 제품이다. 이 모스펫은 유연한 패키지 옵션에 17, 30, 40, 60 및 80mΩ의 RDSon 값을 가진 소자들을 포함하도록 계속 출시할 SiC 모스펫 포트폴리오의 최신 제품이기도 하다. 이 제품은 또한 전기 자동차(EV) 충전(충전 파일, 오프보드 충전), 무정전 전원 공급 장치(UPS) 및 태양광 및 에너지 저장 시스템(ESS)용 인버터 등 다양한 산업 응용 분야에서 점점 더 인기를 얻고 있는 D2PAK-7 같은 SMD 패키지의 고성능 SiC 스위치에 대한 수요를 해결해준다. 이 제품의 개발 배경에는 넥스페리아와 미쯔비시 전기의 전략적 파트너십이 있다. 양사는 이 소자의 출시로 SiC 와이드 밴드갭 반도체의 에너지 효율성과 전기적 성능을 한 단계 끌어올리는 동시에 계속 증가하는 시장 수요에 대응해 이 기술의
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