인덕션 히터, 전자레인지, 전기밥솥, 조리기기 등 다양한 고출력 가전에 적용 가능해 ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 고전력 가전제품 시장을 겨냥한 1600V급 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT) ‘STGWA30IH160DF2’를 새롭게 선보였다. 이번 제품은 전력 효율을 높이고 회로 설계를 간소화할 수 있도록 최적화한 성능을 제공하며, 인덕션 히터, 전자레인지, 전기밥솥, 조리기기 등 다양한 고출력 가전에 적용할 수 있다. STGWA30IH160DF2는 최대 접합 온도 175°C에서도 안정적으로 동작할 수 있는 내열 성능과 낮은 열 저항 특성을 갖춰 장시간 작동하는 가전기기의 발열 부담을 효과적으로 줄여준다. 또한, 30A의 정격 전류를 제공하며, 혹독한 사용 환경에서도 높은 내구성과 신뢰성을 유지한다. 이번 제품은 ST의 차세대 TGFS(Trench Gate Field-Stop) 기술을 적용한 새로운 IH2 세대의 첫 1600V IGBT다. 고전압 환경에서도 낮은 포화 전압(VCEsat)을 유지해 전도 손실을 최소화하고, 테일 전류를 줄여 턴오프 시 손실도 낮춘다. 실제 VCEsat는 1.77V로 동급 제품 대비 효율성을 높인 점이 특징이다. 이
매그나칩 반도체가 전력 반도체 사업에 집중하는 전략적 변화를 선언했다. 회사는 매출 성장을 촉진하고, 수익성을 개선하며, 주주 가치를 극대화하기 위해 디스플레이 사업을 정리하고 순수 전력 반도체 기업으로 전환할 계획이라고 발표했다. 매그나칩은 디스플레이 사업의 매각, 합병, 라이선싱 등 다양한 전략적 옵션을 검토 중이며, 오는 5월 발표하는 1분기 실적에서 디스플레이 사업을 중단 사업으로 분류할 예정이다. 김영준 매그나칩 대표이사는 "전력 반도체 사업에 집중해 2025년 4분기까지 손익분기점(EBITDA 기준)을 달성하고, 2026년에는 조정 영업이익을 기록하며, 2027년에는 잉여현금흐름(FCF)을 창출하는 것이 목표"라고 밝혔다. 또한, 3년 내 30%의 매출 총이익률과 3억 달러 매출을 달성하는 '3-3-3 전략'을 추진해 전력 반도체 시장에서 확고한 입지를 다질 계획이다. 매그나칩은 전력 반도체가 스마트폰 중심의 디스플레이 사업보다 안정적인 시장 환경을 제공한다고 판단했다. 전력 반도체는 다양한 산업에 적용될 수 있으며, 제품 수명 주기가 길고 변동성이 적어 예측 가능한 성장이 가능하다. 회사의 파워 디스크리트 및 파워 IC 사업은 2024년 1억85
바스프가 차세대 전력 반도체 IGBT(절연 게이트 바이폴라 트랜지스터) 하우징 제조에 최적화된 폴리프탈아미드(PPA) 소재를 개발했다. 바스프는 새로운 울트라미드 어드밴스드 N3U41 G6을 통해 전기차, 고속 열차, 스마트 제조 및 재생에너지 발전 등에 활용되는 고성능의 안정적인 전자 부품에 대한 수요 증가에 대응할 수 있을 것으로 기대된다. IGBT는 전력 전자장치에서 전기 회로의 효율적인 스위칭 및 제어를 가능하게 하는 전력용 반도체의 일종이다. 차세대 IGBT를 위한 소재 확보가 중요한 상황에서, 울트라미드 어드밴스드 N 등급은 뛰어난 내화학성과 치수 안정성으로 IGBT의 견고성, 장기 성능 및 신뢰성을 향상해 에너지 절약, 전력 밀도 및 효율성 향상에 대한 증가하는 요구를 충족시킬 수 있다. 바스프의 PPA 소재는 이러한 이점으로 전력 분야의 글로벌 기업인 세미크론 댄포스의 태양광 및 풍력 에너지 시스템 인버터에 적용되는 Semitrans 10 IGBT의 하우징으로 사용되고 있다. 세미크론 댄포스의 연구 및 사전 개발 담당 요른 그로스만(Jörn Grossmann)은 “IGBT는 현대의 전자기기, 특히 재생 에너지 부문에서 필수적으로 사용되는 부품으
온세미는 1200V SPM31 지능형 전력 모듈(IPM)을 출시한다고 26일 밝혔다. 최신 세대인 필드 스톱 7(FS7) 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT) 기술을 적용한 SPM 31은 높은 효율성과 더 작은 설치 공간, 높은 전력 밀도를 제공해 토탈 시스템 비용을 낮춘다. 최적화된 IGBT를 사용해 높은 효율성을 활용하는 IPM은 히트 펌프, 상업용 HVAC 시스템, 서보모터, 산업용 펌프 및 팬과 같은 3상 인버터 드라이버 애플리케이션에 적합하다고 온세미는 전했다. 온세미에 따르면 주거 및 산업용 건물의 온실가스 배출량이 26%를 차지하는 것으로 추정되며, 건물의 난방, 냉방 및 전력과 같은 간접 배출이 약 18%를 차지한다. 전 세계 각국 정부가 에너지 및 기후 공약을 달성하기 위해 노력함에 따라 에너지 효율이 높고 탄소 배출이 적은 솔루션이 점점 더 중요해지고 있다. SPM 31 IPM은 3상 모터에 공급되는 전력의 주파수와 전압을 조정하여 히트 펌프 및 에어컨 시스템 속 인버터 컴프레서, 팬으로 공급되는 전력을 제어해 효율을 극대화한다. 예를 들어 온세미의 FS7 기술을 활용한 25A 정격 SPM31은 이전 세대 제품보다 전력 손실을 최대 10
절연 게이트 드라이버 IC 중심으로 아날로그 IC 생산 능력 강화 로옴 주식회사(ROHM)가 아날로그 IC의 생산 능력 강화를 위해, 말레이시아의 제조 자회사인 ROHM-Wako Electronics(Malaysia) Sdn. Bhd.(이하 RWEM)에 건설한 신규 생산동이 완성돼 준공식을 열었다. RWEM은 지금까지 다이오드, LED 등 소신호 디바이스를 중심으로 생산해왔지만, 신규 생산동에서는 아날로그 IC의 주력 상품 중 하나인 절연 게이트 드라이버의 생산을 예정하고 있다. 절연 게이트 드라이버는 IGBT나 SiC와 같은 파워 반도체를 최적으로 구동시키기 위한 IC로, 전기자동차 및 산업기기의 저전력화와 소형화를 실현함에 있어서 중요한 역할을 담당하기 때문에 수요의 확대가 기대되는 제품이다. 이번에 생산 능력 강화를 도모함과 동시에 BCM (사업 계속 매니지먼트)의 관점에서 아날로그 IC 생산 공장의 다거점화를 추진하기 위해 RWEM에서 처음으로 IC의 생산을 개시한다. 신규 생산동은 다양한 에너지 절약 기술을 활용한 설비를 도입하여, 환경 부하 경감 (기존 대비 CO2 약 15% 삭감 전망)을 위해 노력함과 동시에, 최신의 각종 재해 대책을 도입함으로
ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 1350V의 높은 항복전압과 175°C의 최대 동작 온도를 지원하는 새로운 차원의 IGBT를 출시했다. IGBT는 정격 전압이 더 높을수록 모든 동작 조건에서 설계 마진이 더 크고 성능이 강력하며 신뢰성이 높아진다. 새로운 STPOWER IH2 시리즈 IGBT는 전력변환 효율도 향상됐다. 유용한 파라미터로 낮은 포화전압 Vce(sat)이 있어 디바이스 턴온시 손실을 낮춰준다. 프리휠링 다이오드는 전압 강하가 낮고 턴오프 에너지가 최적화돼 16kHz ~ 60kHz 주파수에서 동작하는 단일 스위치 유사공진형 컨버터의 효율을 높여준다. 이 IGBT 시리즈는 견고성과 높은 효율성을 갖춰 주방 조리기구, 인버터 전자레인지, 밥솥과 같은 가전제품을 비롯해 유도가열(Induction Heating) 애플리케이션에 매우 적합하다. ST의 새로운 IGBT 디바이스는 2kW 애플리케이션에서 최대 11%까지 전력 손실을 줄일 수 있다. 또한 Vce(sat)는 양의 온도 계수를 가지며 디바이스 간 파라미터 지정이 조밀하기 때문에 설계를 간소화하고 여러 IGBT를 병렬로 손쉽게 연결해 고전력 애플리케이션을 처리할 수 있다. 이 시리즈의 첫 번째
"제품 출시로 고전압 스위칭 소자 수요 해결할 것" 넥스페리아가 30A NGW30T60M3DF를 출시해 600V 소자 범위의 절연 게이트 양극 트랜지스터(IGBT) 시장에 진출했다. 넥스페리아는 기존의 광범위한 포트폴리오에 IGBT를 추가함으로써 다양한 성능을 저비용에 요구하는 효율적인 고전압 스위칭 소자의 늘어나는 수요를 해결하게 됐다. 이를 통해 5kHz-20kW(20kHz) 범위의 서보 모터와 같은 산업용 모터 드라이브를 비롯해 로봇 공학, 엘리베이터, 작동 그리퍼, 인라인 제조, 전력 인버터, 무정전 전원 공급 장치(UPS), 태양광(PV) 스트링, EV 충전, 유도 가열, 용접 등 각종 전력 변환 및 모터 드라이브 응용 분야에서 높은 전력 밀도가 가능해졌다. IGBT 시장은 태양 전지판 및 전기차 충전기에 많이 채택됨에 따라 성장할 것으로 예상된다. 넥스페리아의 600V IGBT는 견고하면서도 저비용의 캐리어 저장 트렌치 게이트 고급 필드 스톱 구조를 특징으로 하며 최대 175°C의 작동 온도에서 높은 안정성으로 낮은 전도 및 스위칭 손실 성능을 유지한다. 이로 인해 전력 인버터, 유도 히터, 용접 장비를 비롯해 모터 드라이브 및 서보, 로봇 공학,
지능형 전력 및 센싱 기술 기업인 온세미는 업계 최고 수준의 성능으로 전도(conduction) 및 스위칭 손실을 최소화하는 새로운 초고효율 1200V 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(insulated-gate bipolar transistors, 이하 IGBT)를 개발했다고 21일 밝혔다. 해당 디바이스는 고속 스위칭 애플리케이션의 효율성을 향상시키기 위해 주로 태양광 인버터, 무정전 전원 공급 장치(UPS), 에너지 저장 장치 및 전기차(EV) 충전 전력 변환과 같은 에너지 인프라 애플리케이션에 사용될 예정이다. 새로운 1200V 트렌치 필드 스톱(Trench Field Stop) VII(이하 FS7) IGBT는 고전압(부스트 스테이지)에 대한 입력을 증가시키는 데 사용되며, 인버터는 높은 스위칭 주파수 에너지 인프라 애플리케이션에서 AC 출력을 제공한다. FS7 디바이스의 스위칭 손실이 낮기 때문에 더 높은 스위칭 주파수를 가능하게 한다. 따라서 자성 부품의 크기를 줄이고 전력 밀도를 높이며 시스템 비용을 절감할 수 있다. 고전력 에너지 인프라 애플리케이션의 경우, FS7 디바이스의 양의 온도 계수를 통해 병렬 작동이 가능하다. 온세미 파워 솔루션 그룹
헬로티 전자기술 기자 | 현업 실무자가 가진 현실적인 궁금증을 전문가가 현명하게 직접 답해주는 [산업지식인] 입니다. 산업지식인은 스마트 팩토리, 머신비전, RPA, 3D프린팅 등 첨단 기술과 연관된 솔루션과 해당 산업 동향을 다룹니다. 이 과정에서 ‘이 용어는 무슨 뜻이지?’, ‘이 솔루션을 도입했을 때의 장점은?’ 등 다양한 질문들이 떠오를 텐데요. 산업지식인에서는 질문의 종류와 상관없이 전문가의 이론과 경험이 담긴 생생한 답변을 들을 수 있습니다. 앞으로 산업지식인은 산업 현장에 있는 실무자가 혁신 기술과 가까워질 수 있는 기회를 제공할 것입니다. 이번 시간에 다뤄볼 내용은 ‘전기차 충전의 전력 관리 및 보호 솔루션’입니다. 전기는 자동차를 비롯한 미래 모빌리티의 주요 에너지원으로 손꼽힙니다. 전기 자동차에 대한 수요가 점차 증가함에 따라, 안전한 충전 시스템에 대한 요구도 동시에 증가하고 있죠. 리틀휴즈는 일찍이 자동차 퓨즈에 대한 산업 표준을 정의하고 회로 보호, 전력 제어 및 감지 분야에 뛰어들었습니다. 이와 함께 전기차 충전소를 위한 효율적인 시스템을 설계하는데 주력하고 있는데요. 리틀휴즈는 지난 7월 웨
[첨단 헬로티 반도체 전문 기업 KEC가 이달 27일부터 4일간 부산 BEXCO에서 개최되는 제10회 ICPE 국제전력전자학술대회에 차세대 전력 반도체를 전시한다고 밝혔다. 국제전력전자학술대회(ICPE 2019-ECCE Asia)는 전 세계 회원사들이 전문적인 경험과 전문 네트워크를 공유 및 확장하며 전력전자 분야의 최신 과학 기술 발전 소식을 접할 수 있는 컨퍼런스 중 하나이다. 이번 행사는 전 세계 40여 개 국 1천 여 명의 전력전자 분야 전문가들이 한 자리에 모여 전력전자 기술과 제품에 대한 신기술 발표 및 회원사들의 다양한 제품 전시가 이루어진다. KEC는 “이번 행사에서 산업용 전원과 모터 구동을 위한 필수 제품인 IGBT, MOSFET, 모듈의 전반전인 소개와 함께 신기술이 적용된 HIGBT(High Injection IGBT), SGT MOSFET, Low EMI 타입 SJ MOSFET, 파워 모듈(Power Module)과 개발 중인 SiC 파워 디바이스(Power Devices)를 중점적으로 소개하며 전력반도체 시장에 본격적인 진출을 도모할 예정이다”고 말했다. 또한 그동안 소신호 반도체시장에서 쌓아온 기술력과 영업력을
[첨단 헬로티] 로옴(ROHM)은 자동차기기 신뢰성 규격 AEC-Q101에 부합하는 1200V 내압 IGBT ‘RGS 시리즈’ 4기종을 새롭게 개발했다고 10일 밝혔다. 로옴은 “최근, 환경 의식의 고조 및 연료 가격 상승을 배경으로 자동차의 전동화가 가속화되고 있다. 기존의 엔진 탑재 자동차의 경우 컴프레서의 동력원은 엔진이지만, 전동화 차량의 증가에 따라 컴프레서의 전동화도 추진되고 있다”고 말했다. 이어, “전기자동차(EV)는 항속 거리를 늘리기 위해, 탑재 배터리의 용량이 증가하는 경향이 있다. 특히 유럽에서는 고전압(800V) 배터리가 탑재되는 케이스가 증가하고 있어서 한층 더 고내압 및 저손실의 파워 디바이스가 필요해지고 있다. 이에 따라, 기존의 650V 내압 IGBT와 더불어, 1200V 내압의 IGBT에 대한 수요도 높아지고 있다”고 덧붙였다. 또한, “차량 난방에 있어서도 지금까지는 엔진의 발열이 이용돼 왔지만, PTC 히터를 열원으로 온수를 순환시켜 난방하는 시스템 등의 수요도 증가하고 있다. 이러한 애플리케이션의 인버터 회로 및 스위치 회로에 사용되는 반도체는 구
[첨단 헬로티] 로옴(ROHM)은 대전력을 취급하는 범용 인버터 및 AC 서보, 산업용 에어컨, 가로등 등의 산업기기용으로, 1700V 내압 SiC MOSFET 내장 AC/DC 컨버터 IC BM2SCQ12xT-LBZ를 개발했다고 12일 밝혔다. BM2SCQ12xT-LBZ는 AC/DC 컨버터 IC로서 에너지 절약 성능이 높은 SiC MOSFET을 내장해 디스크리트 부품으로 구성할 경우의 설계 과제를 해결함으로써, 저전력 AC/DC 컨버터를 간단하게 개발할 수 있는 제품이다. 로옴은 이번 신제품에 대해 "산업기기에는 메인 전원 회로와 더불어, 각종 제어 시스템에 전원전압을 공급하는 보조 전원이 내장돼 있는데 이러한 보조 전원에는 내압이 낮은 Si-MOSFET 및 손실이 큰 IGBT가 널리 채용돼 저전력화에 과제로 지적돼 왔다"고 말했다. 이어, “오늘 발표한 신제품은 산업기기의 보조 전원용으로 최적화된 제어 회로와 SiC MOSFET의 1패키지화를 통해 일반품 구성 대비 대폭적인 부품수 삭감(12개 부품과 방열판을 1개의 부품으로 삭감)과 부품 고장 리스크 저감, SiC MOSFET 채용에 대한 개발 공수 삭감 등을 동시에 실현했다”고 소개
[첨단 헬로티] 반도체 전문 기업 KEC(대표이사 황창섭)가 9월 26일부터 28일까지 인도에서 개최되는 2018 Electronica India에 참가했다. 인도의 실리콘밸리라 불리는 벵갈루루(Bengaluru)에서 개최되는 ‘Electronica India’는 인도 내 최대 전자부품, 시스템 어플리케이션을 위한 국제 박람회로 이번 행사에는 27개국 500여 기술 공급업체가 혁신적인 전자 기술을 선보였다. 특히 인도 내 끊임없이 성장하는 소비자 가전시장과 함께 최근 급성장하고 있는 자동차 산업분야에서도 각종 포럼과 이벤트가 개최됐다. KEC는 이번 행사에서 산업용 전원과 Motor 구동을 위한 필수 제품인 MOSFET, IGBT, Module의 전반적인 소개와 함께 신기술이 적용된 신상품인 SGT MOSFET, Low EMI Type SJ MOSFET, RC IGBT를 중점적으로 소개했으며, 이를 통해 인도 및 동남아 시장에 본격적인 진출을 도모했다. KEC는 이번 행사를 통해 지속적으로 추진하고 있는 고부가가치 중심의 글로벌 마케팅 활동을 한층 강화할 수 있게 되었으며, KEC 제품의 우수한 성능과 원가 경쟁력을 가지고 현재 판매중인
[첨단 헬로티] 인피니언 테크놀로지스는 TO-247PLUS 패키지에 최대 정격 다이오드를 통합한 75A/1200V 디스크리트 IGBT를 출시했다. 새로운 TO-247PLUS 3핀 및 4핀 패키지는 전력 밀도와 효율에 대한 갈수록 높아지는 요구를 충족한다. 드라이브, 광전지, UPS(Uninterruptible Power Supplies) 등 1200V 블로킹 전압으로 높은 전력 밀도를 요구하는 애플리케이션 및 배터리 충전, 에너지 저장 시스템에 사용하기에 적합하다. 새로운 TO-247PLUS 패키지는 표준 TO-247-3 패키지와 비교했을 때 두 배의 전류 정격을 제공할 수 있다. 표준 TO-247 패키지에서 나사 구멍을 없앰으로써 PLUS 패키지는 더 넓은 리드 프레임 면적을 사용할 수 있어 더 큰 IGBT 칩을 탑재할 수 있다. 인피니언은 기존과 동일한 풋프린트로 다이오드를 통합한 최대 75A 용량의 1200V IGBT를 제공하게 되었다. TO-247PLUS 패키지는 더 넓은 리드 프레임으로 열 저항이 더 낮기 때문에 열방출 능력이 향상되었다. 스위칭 손실을 개선하고자 하는 디자이너들을 위해, TO-247PLUS 4핀 패키지는 추가적인 켈빈 이미터 소스
[헬로티] 인피니언 테크놀로지스는 1EDN EiceDRIVER 제품군을 출시했다. 이 제품군은 MOSFET, IGBT, GaN 전력 디바이스 구동에 최적화된 제품으로, 핀아웃 및 패키지가 산업 표준과 호환되므로 기존 디자인에서 바로 교체할 수 있다. 이 제품은 낮은 전력 소모가 특징이다. 인피니언 관계자는 "다른 1-채널 로우사이드 게이트 드라이버 IC와 비교해서 인피니언의 1EDN EiceDRIVER 제품군의 내부 전력 소모가 업계 최저 수준"이라며 "저항이 낮은 출력 스테이지는 30% 이상 더 높은 효율을 달성한다. 이는 추가적인 설계 유연성을 제공하며, 열처리량(thermal budget) 내에서 더 많은 전력 소자를 구동할 수 있다"고 설명했다. 이 제품군은 또한 역 전류 견고성이 우수하다는 게 업체 설명이다. TO-220 또는 TO-247 패키지 같이 기생 소스 인덕턴스가 높은 MOSFET을 구동할 때 보호 다이오드를 필요로 하지 않는다. 그러므로 이들 새로운 드라이버 IC를 사용하면 고객들이 BOM과 PCB 면적을 절약할 수 있다고 인피니언 개발 관계자는 말한다. 1EDN 제품군은 특히 게이트 트랜스포머를 구동할 때 접지 편이(ground-shi
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