산업·방산·AI 시장 겨냥…고성능·고신뢰성 저장장치 수요 대응 PCIe Gen4·DDR5 기반 SSD·DRAM 등 제품 포트폴리오 확보 메이저웍스는 대만에 본사를 둔 저장장치 및 메모리 전문 제조업체인 엑사센드(EXASCEND)와 파트너십을 맺고 본격적으로 국내 영업 및 마케팅을 진행할 것이라고 5일 밝혔다. 엑사센드는 2009년 대만에 설립되었다. PCIe Gen4 x4와 SATA-III인터페이스의 M.2, U.2 SSD 및 DDR4, DDR5의 DRAM과 매니지드(Managed) NAND, 메모리카드 등 다양한 제품을 제공한다. 고용량, 지속적인 읽기/쓰기 성능, 높은 온도에서 긴 시간 작동의 특징을 갖고 있으며 산업용, 오토모티브, 방사선 내성, 엔터프라이즈 분야에 다양하게 사용이 되고 있다. 특히 고객맞춤 디자인 서비스를 통해서 고객이 원하는 솔루션을 제공할 수 있으며 고객이 성능 문제에 직면했을 때에는 엑사센드 R&D팀이 펌웨어 업그레이드를 제공함으로써 고객의 문제점을 빠른 시간내에 해결할 수 있다는 장점이 있다. 메이저웍스는 2007년 설립되었으며 방산, 교통, AI 분야에 특화된 솔루션을 제공하고 있다. 영업뿐만 아니라 자체 기술지원 조직
다원넥스뷰가 반도체 제조기업에 pLSMB HSB(High Speed Bonder) 장비를 공급하는 계약을 체결했다. 이번 계약 규모는 42억 원으로, 2024년 매출액의 약 22%에 해당하며 계약 기간은 2025년 12월까지다. 회사는 지난 5월 중국 SUMEC ITC와 33억 원 규모의 계약을 체결한 데 이어 두 번째 대형 수주를 확보하면서 안정적인 성장세를 이어가고 있다. 다원넥스뷰는 2009년 설립 이후 레이저 기반 반도체 접합 장비 분야에서 기술력을 축적해 왔다. 특히 초정밀 레이저 마이크로 본딩(LSMB) 기술을 기반으로 한 장비는 반도체 테스트와 패키징 공정에서 정밀성과 양산성을 동시에 충족하는 것으로 평가받고 있다. 최근 AI와 HBM(고대역폭 메모리) 수요 증가에 따라 글로벌 반도체 산업 내에서 레이저 본딩 장비의 필요성이 커지고 있어 회사의 시장 기회도 확대되고 있다. 이번 계약의 대상인 프로브카드 본딩 장비는 DRAM 생산과 관련된 핵심 공정에서 활용된다. 다원넥스뷰 관계자는 “이번 계약은 당사의 기술력이 글로벌 시장에서 경쟁사 대비 우위를 입증한 사례”라며 “특히 양산 대응력에서 높은 평가를 받았다”고 설명했다. 이어 “2025년을 기점으
다원넥스뷰가 글로벌 주요 반도체 제조기업에 프로브카드를 공급하는 국내 업체와 42억 원 규모의 pLSMB HSB(High Speed Bonder) 장비 공급 계약을 체결했다고 밝혔다. 계약 기간은 2025년 12월까지이며, 이는 2024년 매출액의 약 22%에 해당한다. 다원넥스뷰는 지난 5월 중국 SUMEC ITC와 33억 원 규모의 장비 공급 계약을 체결한 데 이어 이번에도 대형 단일 판매계약을 연이어 확보했다. 이를 통해 2025년에도 안정적 수주와 성장세를 이어갈 것으로 기대된다. 2009년 설립된 다원넥스뷰는 레이저 기반 반도체 접합 장비 분야에서 독보적 기술력을 축적해 왔다. 특히 최근 반도체 산업 내 AI(인공지능), HBM(고대역폭메모리) 수요 확대와 함께 장비 수요가 빠르게 증가하고 있다. 회사 관계자는 “이번 계약은 다원넥스뷰의 기술력이 프로브카드 본딩 시장에서 다시 한번 선도적 위치를 인정받은 것”이라며 “특히 양산 대응력에서 국내외 경쟁사 대비 확실한 경쟁우위를 입증한 사례”라고 말했다. 이어 “2025년을 기점으로 DRAM용 프로브카드 양산 수요가 본격화될 것으로 예상되는 만큼, 실적 개선 폭도 더욱 확대될 것”이라고 덧붙였다. 한편,
램리서치가 3D 반도체 제조 공정의 정밀도를 극대화한 차세대 컨덕터 식각 장비 ‘Akara’를 공개했다. Akara는 획기적인 플라즈마 처리 기술을 기반으로, 반도체 제조업체들이 직면한 확장성 문제를 해결하고 고도의 미세 구조 형성을 지원하는 솔루션이다. 램리서치는 2004년 출시한 ‘Kiyo’를 비롯해 3만 개 이상의 컨덕터 식각 챔버를 공급하며 업계를 선도해왔다. Akara는 이러한 기술력을 바탕으로, 다이렉트드라이브(DirectDrive) 기술을 적용해 플라즈마 반응 속도를 기존 대비 100배 향상시켜 원자 수준의 정밀 제어를 가능하게 한다. Akara는 차세대 반도체 소자인 게이트올어라운드(GAA) 트랜지스터, 6F² DRAM, 3D NAND 등의 제조를 지원하며, 향후 4F² DRAM, CFET(Complementary FET), 3D DRAM 공정에도 적용될 예정이다. 특히, EUV(극자외선) 리소그래피 패터닝과 초미세 식각 공정이 필수적인 3D 구조 반도체 제조에서 높은 정밀도를 제공한다. Akara에는 램리서치의 차별화한 식각 기술이 적용됐다. 다이렉트드라이브는 고체 상태 플라즈마 소스로, EUV 패터닝에서 발생하는 결함을 줄이고 높은 정밀도를
D램, 낸드, HBM 등 디바이스 웨이퍼 레벨 테스트용 MEMS 기반 프로브 카드 제조에 활용 EV Group(이하 EVG)은 ㈜피엠티로부터 자사의 LITHOSCALE 마스크리스 노광 시스템에 대한 공급 계약을 수주했다고 밝혔다. 이번 계약으로, EVG의 LITHOSCALE 시스템은 피엠티 본사에 설치돼 첨단 NAND, DRAM, 고대역폭 메모리(HBM) 디바이스의 웨이퍼 레벨 테스트용 차세대 MEMS 기반 프로브 카드 제조에 사용될 예정이다. 피엠티 조용호 대표이사는 “미세 피치 프로브 카드는 반복적인 리소그래피 패터닝 공정을 통해 제작돼 제조 비용 증가 최소화가 필요하다”며, “기존의 마스크 얼라이너를 이용한 리소그래피 공정을 EVG의 마스크리스 노광 장비인 LITHOSCALE로 대체하게 됐다"고 말했다. 조용호 대표이사는 "이를 통해 제조 비용의 절감이 가능하고, 공정 개발 속도 또한 혁신적으로 단축 가능할 뿐 아니라 프로세스 성능도 향상할 것으로 기대하고 있다. 앞으로도 우리는 첨단 프로브 카드 제조 및 개발에 있어 EVG의 LITHOSCALE뿐 아니라 다양한 프로세스 솔루션을 통한 협력을 이어갈 것으로 기대한다”고 말했다. EVG의 MLE(Maskl
SK하이닉스는 업계 최초로 DDR5 6400Mbps 속도의 32GB UDIMM, SODIMM을 개발해 고객사에 샘플을 제공했다고 25일 밝혔다. UDIMM(Unbuffered DIMM)은 PC에서 사용되는 메모리 모듈을 통칭하는 개념이며, SODIMM(Small Outline DIMM)은 PC에서 사용되는 초소형 모듈이다. SK하이닉스가 개발한 DDR5 6400 Mbps 모듈 제품은 현존 최고 속도의 PC·클라이언트용 DDR5 제품이다. 6400Mbps는 FHD(Full-HD)급 영화(5GB) 약 10편을 1초에 전달할 수 있는 속도다. 이 제품에는 고속 데이터 처리 시 더 안정적인 동작을 위해 CKD(Clock Driver)라는 신규 소자가 적용됐다. SK하이닉스는 업계 최초로 CKD를 탑재해 해당 샘플을 PC SoC(System on Chip) 업체인 고객사에 가장 먼저 제공해 시스템 평가를 진행하고 있다. 또 올해 8월과 9월에는 10나노급 4세대(1a) 미세공정이 적용된 DDR5 모듈 제품에 대해 고객사 인증을 완료했다. SK하이닉스는 발 빠르게 대형 고객 인증을 완료하고 양산을 시작해 향후 DDR5 시장을 미리 선점해 나간다는 계획이다. DDR5 제
SK하이닉스, 램리서치 건식 레지스트 제조 기술로 첨단 D램 패터닝에 활용 예정 램리서치는 15일인 오늘 SK하이닉스가 첨단 D램 칩 생산의 두 가지 핵심 공정 단계를 위한 개발 도구로 램리서치의 혁신적인 건식(드라이) 레지스트 제조 기술을 채택했다고 발표했다. 램리서치가 2020년 선보인 극자외선(EUV) 리소그래피를 위한 건식 레지스트 신기술은 차세대 반도체 생산에 사용되는 핵심 기술인 EUV 리소그래피의 해상도, 생산성, 수율을 개선한다. 램리서치는 SK하이닉스와의 협업 및 건식 레지스트 기술에 대한 반도체 생태계 파트너와의 지속적인 협력을 통해 EUV 리소그래피를 사용해 미래의 메모리 노드 확장에 관련된 장애물을 제거하도록 패터닝 혁신을 추진하는 데 주도적인 역할을 계속하고 있다. 램리서치의 건식 레지스트 제품군 총괄 매니저인 리차드 와이즈(Richard Wise) 부사장은 "램리서치의 건식 레지스트 기술은 게임 체인저가 될 것이다. 재료 수준의 혁신을 통해 EUV 리소그래피의 가장 큰 과제를 해결하고 고급 메모리와 로직에 대한 비용 효율적인 확장을 가능하게 할 것"이라고 밝혔다. SK하이닉스는 램리서치의 건식 레지스트 하층막과 건식 개발 공정을 첨단
SK하이닉스가 미래 반도체 산업에 새로운 패러다임을 제시하기 위해 연구 중인 분야를 대내외에 알리고, 최신 연구성과를 공유하는 소통 창구를 열었다. 미래기술연구원 산하 Revolutionary Technology Center(이하 RTC)가 공식 웹사이트(research.skhynix.com)를 새롭게 개설한 것. RTC는 중장기적인 관점에서 반도체 산업의 생태계에 필요한 선행 기술을 연구하기 위해 지난해 신설된 연구(Research) 조직으로, SK하이닉스 내에서 차세대 컴퓨팅을 위한 혁신적인 솔루션을 제시하기 위한 기술 개발을 주도하고 있다. 연구 분야, 연구 협력 현황 소개 등이 주요 메뉴로 구성된 RTC 웹사이트는 SK하이닉스가 현재 집중하고 있는 연구 분야를 알기 쉽게 소개하는 통합 데이터베이스로 활용된다. 이를 위해 웹사이트 내 ‘Research Area’ 카테고리를 마련하고, △Revolutionary Memory △Beyond Memory △Next Generation Computing 등 SK하이닉스가 추구하는 세 가지 주요 연구 방향성을 상세히 공유했다. ‘Revolutionary Memory’ 카테고리에서는 기존 메모리 반도체의 한계를 극
5G 스마트폰 출시와 강력한 수요, 물류··원재료 가격 인상 … 2021년 반도체 가격 인상에 영향 가트너(Gartner)는 2021년 전세계 반도체 매출은 2020년 대비 26.3% 증가한 5,950억 달러를 기록했다고 발표했다. 가트너 리서치 부사장인 앤드류 노우드(Andrew Norwood)는 "현재 반도체 칩 부족 이면에 있는 사건들이 전세계 위탁생산(OEM)에 지속적으로 영향을 미치고 있지만, 5G 스마트폰 출시와 이에 대한 강력한 수요 및 물류·원자재 가격 인상으로 반도체 평균판매가격(ASP)이 높아져 2021년 매출 성장에 크게 기여했다”고 전했다. 삼성전자는 인텔과의 시장점유율 경쟁에서 비록 1% 포인트 미만의 차이를 보였지만, 2021년 매출이 28% 증가하면서 2018년 이후 처음으로 인텔을 제치고 1위 자리를 되찾았다. 인텔의 매출은 0.3% 감소하여 12.3%의 시장점유율을 차지한 삼성 대비 12.2%를 기록했다. 상위 10위 안에 든 AMD와 미디어텍은 2021년 각각 68.6%, 60.2%를 차지하며 가장 강력한 성장세를 보였다. 2021년 반도체 공급업체 순위 중 가장 큰 변화는 하이실리콘이 25위권 밖으로 밀려났다는 점이다. 노우
헬로티 조상록 기자 | ACM리서치가 자사 최초의 300mm싱글 웨이퍼 과산화황 혼합물 시스템(Sulfuric Peroxide Mixture system, SPM) 장비를 출시했다. 이 장비는 첨단 로직, DRAM, 3D-NAND 칩, 기타 집적 회로 제조의 습식 세정 및 식각(etching) 공정에 널리 사용할 수 있으며 특히 고용량 이온을 활용한 포토레지스트 제거 공정과 금속 식각 및 스트립 공정에 적합하다. 이 제품은 기존 ACM리서치의 SPM 공정 제품을 확장한 것으로 10nm 이하의 첨단 공정에서 고온의 단계를 추가해 더욱 다양하고 세밀한 온도 단계를 지원한다. 이번에 개발한 싱글SPM 장비는 당사의 Ultra C Tahoe 장비를 기반으로 한다. 기존 Ultra C Tahoe 장비는 정상 온도에서 대부분의 SPM 공정단계를 지원하고 있으며, 이번 장비는 거기에 고온 SPM의 공정능력을 추가했다. 오늘날 대부분의 SPM 습식 공정은 145°C 미만의 황산 및 과산화수소를 혼합하며 PR 제거 및 식각 후 세정 공정, 중간 용량의 이온 주입 및 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 후 세정 공정에 널리 사용된다. 2018년에 소
헬로티 이동재 기자 | KAIST 연구진이 이종 메모리와 광 네트워크를 활용해 GPU의 메모리 시스템의 용량과 대역폭 모두를 대폭 향상한 기술을 개발했다고 밝혔다. 해당 기술은 기존에 소수의 글로벌 기업 주도 하에 개발돼 왔다. KAIST 전기및전자공학부 정명수 교수 연구팀이 3D XPoint 메모리(이하 XPoint)와 DRAM 메모리를 통합한 이종 메모리 시스템에서 광 네트워크로 통신하는 `옴-지피유(Ohm-GPU)' 기술 개발에 성공함으로써 기존 DRAM을 단독으로 사용한 전기 네트워크 기반의 GPU 메모리 시스템 대비 181% 이상의 성능 향상을 성취했다고 2일 밝혔다. 기존 GPU는 다수의 연산 장치로 구성돼 있어 연산 속도가 매우 빠르다는 장점이 있으나, DRAM을 단독으로 사용하는 메모리 시스템의 낮은 메모리 용량과 좁은 데이터 전송 대역폭으로 인해 연산 성능을 충분히 활용하지 못한다는 문제가 있다. 용량을 증가시키는 대안으로 DRAM을 XPoint로 대체하는 방법이 있으나, 이때 8배 큰 메모리 용량을 얻을 수 있는 반면 읽기/쓰기의 성능이 4배, 6배로 낮아진다. 또한, 대역폭을 증가시키는 대안으로 HBM(High Bandwidth Memor
[헬로티] 마우저 일렉트로닉스는 DRAM의 경제적인 대안으로 꼽히면서 512GB 용량을 자랑하는 ‘인텔 옵테인’ 영구 메모리를 공급한다고 밝혔다. 인텔 옵테인은 향상된 성능과 효율성으로 메모리 내 데이터베이스, 분석, 콘텐츠 제공 네트워크와 같은 애플리케이션을 지원한다. ▲ 마우저가 DRAM의 경제적인 대안으로 꼽히는 ‘인텔 옵테인’ 영구 메모리를 공급한다고 밝혔다. (사진 : 마우저) 마우저 일렉트로닉스에서 공급하는 인텔 옵테인 메모리 모듈은 설계자와 개발자에게 휘발성 메모리 또는 영구 고성능 데이터 계층에서 작동할 수 있는 크고 저렴한 메모리 용량에 대한 액세스를 제공한다. 해당 모듈은 통합을 단순화하기 위해 DDR4 소켓과 호환되고 DDR4 DRAM과 동일한 버스/채널에서 작동하여 동일 플랫폼에서 기존 DRAM DIMM 작업 시 설계 유연성을 지니게 된다. 시스템 관리자는 소프트웨어 측면에서 DRAM과 구별할 수 없는 휘발성 메모리 용량으로 작동하거나, 또는 SSD와 같이 데이터를 유지하지만 일반적인 NAND 기반 드라이브보다 225배 빠른 데이터 액세스 속도로 작동하는 비휘발성 메모리로 작동하도록 인텔 옵테인
[헬로티] - 인공지능(AI)·슈퍼컴퓨터 등 4차산업을 주도할 최적의 메모리 솔루션 SK하이닉스가 초고속 D램인 ‘HBM2E’의 본격 양산에 들어갔다. 2019년 8월 HBM2E 개발 이후 10개월만에 이룬 성과다. SK하이닉스의 HBM2E는 초당 3.6기가비트(Gbps)의 데이터 처리가 가능한 제품으로, 1,024개의 정보출입구(I/O)를 통해 1초에 460기가바이트(GB)의 데이터를 처리할 수 있다. FHD(Full-HD)급 영화(3.7GB) 124편을 1초에 전달할 수 있는 현존하는 가장 빠른 D램 솔루션이다. 용량도 8개의 16기가비트(Gb) D램 칩을 TSV(Through Silicon Via) 기술로 수직 연결해 이전 세대 대비 2배 이상 늘어난 16GB를 구현했다. ▲ SK하이닉스가 본격 양산하는 초고속 HBM2E D램 TSV (Through Silicon Via)는 D램 칩(Chip)에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 상호연결 기술이다. 버퍼 칩 위에 여러 개의 D램 칩을 적층 한 뒤 전체 층을 관통하는 기둥형태의 이동 경로를 구성해 데이터, 명령어,
[첨단 헬로티] 기존 8GB LPDDR4X 대비 성능 약 30% 향상, 용량 2배, 소비전력 20% 감소 스마트폰으로도 게이밍 PC 이상의 게임 퍼포먼스 체감 가능 삼성전자가 역대 최고 속도·최대 용량을 구현한 ‘16GB(기가바이트) LPDDR5(Low Power Double Data Rate 5) 모바일 D램’을 세계 최초로 본격 양산하기 시작했다. 삼성전자는 작년 7월 12GB LPDDR5 모바일 D램을 세계 최초로 출시한 데 이어 5개월 만에 업계 유일 16GB 모바일 D램을 양산하며 프리미엄 메모리 시장을 한 단계 성장시킨 것이다. 이번 16GB 모바일 D램 패키지는 2세대 10나노급(1y) 12Gb 칩 8개와 8Gb 칩 4개가 탑재됐다. * 16GB LPDDR5 모바일 D램 패키지 : 12Gb(= 1.5GB) × 8개 + 8Gb(= 1GB) × 4개 또한 하이엔드 스마트폰용 모바일 D램(LPDDR4X, 4,266Mb/s)보다 약 1.3배 빠른 5,500Mb/s의 속도를 구현해 풀HD급 영화(5GB) 약 9편 용량인 44GB의 데이터를 1초 만에 처리할 수 있다. 기존 8GB LPDDR4X 패키지
[첨단 헬로티] 메모리 & DRAM 모듈 글로벌 기업인 Apacer가 자사의 종합 제품 라인에 새 시리즈를 추가했다. 이번에 출시된 '3D TLC SV250 SSD'는 산업 용도에서 최상의 성능을 낼 수 있는 제품이다. 도시바에서 직접 공급받은 IC로 만든 3D TLC SV250 SSD는 30~960GB 용량과 최대 3,000P/E 사이클을 제공한다. 또한, 각각 560MB/s 및 520MB/s에 달하는 연속 읽기/쓰기 속도도 원활한 편이다. ▲Apacer가 새롭게 출시한 3D TLC SV250 SSD 3D TLC SV250 SSD는 섭씨 -40~85℃의 온도에서도 원활하게 작동한다. 또한, 데이터 보호 시스템을 기반으로 높은 내구성과 신뢰도를 확보한 만큼 고부하 임베디드 공장 자동화 용도, 그리고 보안 모니터링 시스템 및 엣지 컴퓨팅 장치에 이상적이다. 초기 3D TLC NAND 플래시 버전은 데이터 신뢰도와 관련된 문제가 발생했다. 그러나 Apacer의 SV250 시리즈는 LDPC(Low Density Parity Check) ECC와 DataRAID™를 포함한 첨단 알고리즘 덕분에 이와 같은 문제로부터 안전하다. 또한, Apacer 엔
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