실리콘마이터스(대표 허염)가 LPDDR5용 전력관리칩(PMIC)을 출시했다고 12일 밝혔다. SM582x 시리즈, 동작 상태에 따라 적절한 전압 실시간으로 공급 LPDDR5는 LPDDR4에 이은 차세대 저전력 메모리로 노트북, 태블릿, 스마트폰 등 다양한 휴대용 기기에 사용되는 고성능, 저전력 메모리다. LPDDR5는 전력 소모를 줄이기 위해 사용량에 따라 동작 속도를 조절하고 대기 상태의 전력 소모를 최소화하며 처리 속도를 향상시킨 것이 특징이다. LPDDR5용 전력관리칩(PMIC)은 LPDDR5에 들어가는 전력을 적합하게 변환, 배분 및 제어하는 역할을 한다. 실리콘마이터스가 개발한 전력반도체인 'SM582x 시리즈'는 동작 중에 전압을 높이거나 낮추고 동작 속도를 조절할 수 있어 동작 상태에 따라 적절한 전압을 실시간으로 공급한다. 특히 가장 낮은 출력 전압이 0.3V로 타사의 0.4V에 비해 더 낮은 전압을 사용해 사용량이 적을 때 전력을 최소화한다. 또한, 서버 용량에 따라 필요한 전류가 다른 점을 고려해 SM582x 시리즈를 통해 필요 전류에 따른 칩을 맞춤 공급할 계획이다. 현재 SM582x 시리즈는 1.5A, 3.0A, 4.5A를 지원한다. 실
[헬로티] 삼성전자가 업계 최초로 ‘하이케이 메탈 게이트 (High-K Metal Gate, 이하 HKMG)’ 공정을 적용한 업계 최대 용량의 512GB DDR5 메모리 모듈을 개발했다. DDR5는 차세대 D램 규격으로 기존 DDR4 대비 2배 이상의 성능이며, 앞으로 데이터 전송 속도가 7200Mbps로도 확장될 전망이다. 이는 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편 정도를 처리할 수 있는 속도다. 삼성전자가 이번에 개발한 고용량 DDR5 모듈은 업계 최고 수준의 고용량·고성능·저전력을 구현해 차세대 컴퓨팅, 대용량 데이터 센터, 인공지능 등 첨단 산업 발전의 핵심 솔루션 역할을 할 것으로 기대한다. 이번에 개발된 DDR5 메모리는 메모리 반도체 공정의 미세화에 따른 누설 전류를 막기 위해 유전율 상수(K)가 높은 물질을 공정에 적용해 고성능과 저전력을 함께 구현한 것이 특징이다. HKMG가 적용된 삼성전자 DDR5 메모리 모듈은 기존 공정과 비교해 전력 소모가 약 13% 감소해 데이터 센터와 같이 전력 효율이 중요한 응용처에서 최적의 솔루션이 될 것으로 기대한다. 또 이번 제품에는 범용 D램 제품으로는 처음
[헬로티] TI가 오토모티브 및 산업용 애플리케이션의 DDR(double data rate)2, DDR3, DDR3L 메모리 서브시스템을 위한 완전 통합형 전원 관리 솔루션을 출시했다. TI는 새롭게 선보인 TPS54116-Q1 DC/DC 벅 컨버터는 2.95V ~ 6V 입력, 4A 동기식 스텝다운 컨버터로, 1A 피크 싱크/소스 DDR 터미네이션과 버퍼드 기준(buffered reference)을 통합하고 있어 디스크리트로 구현하는 것보다 최대 50%까지 시스템 크기를 줄일 수 있다고 설명했다. TPS54116-Q1 벅 컨버터의 주요 특징을 살펴보면, 최대 2.5MHz 스위칭 주파수를 제공하고, MOSFET을 내장하고 인덕터 크기를 줄임으로써 솔루션 크기를 최소화할 수 있다. 또한, TI의 WEBENCH 온라인 설계 툴을 사용해 TPS54116-Q1을 이용한 전력변환기 설계를 쉽고, 간편하게 할 수 있으며, 전원 공급 장치를 더욱 빠르게 설계할 수 있다. 아울러, 스위칭 주파수를 중파 무선 대역 위로 설정할 수 있으므로 잡음에 민감한 애플리케이션에 사용하기에 적합하며, 외부 클록에 동기화할 수 있다. TPS54116-Q1은 인포테인먼트, ADAS, 계기판
리니어 테크놀로지 코리아(대표 홍사곽)는 신형 QDR4와 구형 DDR SRAM(VDDQ, VTT, VTTR 또는 VREF)의 3개의 전압 레일 모두에 전력을 공급할 수 있는 트리플 출력 µModule (파워 모듈) 레귤레이터(제품명: LTM4632)를 출시했다고 발표했다. 소형 경량의 높이가 낮은 LGA 패키지(6.25mm x 6.25mm x 1.82mm)로 제공되는 LTM4632는 PCB 후면에 솔더 될 수 있다. 외부에 저항 1개와 커패시터 3개만을 필요로 하여 이 제품은 필요한 회로면적이 0.5cm² (양면) 또는 1cm² (단면)에 불과하다. LTM4632는 3A VDDQ와 ±3A VTT (=1/2*VDDQ)를 제공할 수 있으며, 병렬로 구성시, 대용량 메모리 뱅크를 위해 레일 당 최대 6A를 제공할 수 있다. 6A 이상의 VDDQ 전류 공급을 위해, LTM4632는 SRAM의 대용량 어레이에 적합하도록 18A 와 36A VDDQ 사이에서 공급되는 LTM4630으로 구성될 수 있다. VDDQ를 이미 이용할 수 있다면, LTM4632는 최대 6A까지 2개의 위상으로 단일 VTT 출력을 공급할 수 있도록 구성될 수
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