파워 MOSFET은 다양한 소비재 및 산업용 전자 장비를 위한 파워 서플라이의 메인 스위칭 장치로 선호된다. 정부 및 산업 표준 기구와 최종 사용자들이 에너지 절감 요건을 충족하기 위해 전체 파워 서플라이 효율 개선 요건을 강화함에 따라 파워 MOSFET에 의한 큰 부하 전류를 허용하면서도 전력 손실을 감소시켜야 하는 과제가 점점 중요해지고 있다. 스위칭 속도, 장치 온도, 전력 밀도 애벌런시 용량 그리고 소자 패키지의 신뢰도 등은 기기 및 장비 설계자들이 면밀하게 조사하면서도 성능 요구가 높은 주요 영역들이다. 본문에서는 사용이 증가되고 있는 파워 MOSFET을 살펴보고 성능 요구를 충족시키기 위해 어떻게 배치하는지를 살펴보고자 한다. 그 다음 기존의 DPAK 패키지 소자들을 온세미컨덕터의 보다 새로운 ATPAK 포맷과 비교 및 대조한다. 최종 소비자인 고객들의 까다로운 요구들로 인해 전자 제품의 기능과 특징들이 점점 많아지면서도 보다 작고, 가볍고 더 저렴해진다는 것은 놀라운 일이 아니다. 알고 있는 것처럼 관심이 집중되고 있는 휴대용 기기들에 대한 분야에서는 경쟁이 심화되고 급격한 기술 발전이 이뤄지고 있다. 그런데 서로 상충하는 기술적 요구 조건들로
[헬로티] 파워 MOSFET은 다양한 소비재 및 산업용 전자 장비를 위한 파워 서플라이의 메인 스위칭 장치로 선호된다. 정부 및 산업 표준 기구와 최종 사용자들이 에너지 절감 요건을 충족하기 위해 전체 파워 서플라이 효율 개선 요건을 강화함에 따라 파워 MOSFET에 의한 큰 부하 전류를 허용하면서도 전력 손실을 감소시켜야 하는 과제가 점점 중요해지고 있다. 스위칭 속도, 장치 온도, 전력 밀도 애벌런시 용량 그리고 소자 패키지의 신뢰도 등은 기기 및 장비 설계자들이 면밀하게 조사하면서도 성능 요구가 높은 주요 영역들이다. 본문에서는 사용이 증가되고 있는 파워 MOSFET을 살펴보고 성능 요구를 충족시키기 위해 어떻게 배치하는지를 살펴보고자 한다. 그 다음 기존의 DPAK 패키지 소자들을 온세미컨덕터의 보다 새로운 ATPAK 포맷과 비교 및 대조한다. 최종 소비자인 고객들의 까다로운 요구들로 인해 전자 제품의 기능과 특징들이 점점 많아지면서도 보다 작고, 가볍고 더 저렴해진다는 것은 놀라운 일이 아니다. 알고 있는 것처럼 관심이 집중되고 있는 휴대용 기기들에 대한 분야에서는 경쟁이 심화되고 급격한 기술 발전이 이뤄지고 있다. 그런데 서로 상충하는 기술적 요구
[헬로티] GaN 트랜지스터는 이상적 스위치로의 발전을 위한 단계에 있으며 특히 일부 측면에서 볼 때 성능 면에서도 큰 도약을 이뤄냈다. 최근의 GaN 트랜지스터는 실리콘 MOSFET 보다 장점을 갖는다. 결론적으로 GaN은 실리콘 기반 소자에 대한 대체품이 아니라 아주 새로운 패러다임이다. 이 기고를 통해서 GaN에 대한 잘못된 오해를 바로 잡고자 한다. GaN 트랜지스터의 탁월한 성능에 대해 들어본 당신은 조금 흥분했을 것이다. 그러나 샘플들이 드디어 도착하자 그것들을 보드에 장착한 뒤 전원을 켜고 부하를 연결했을 때 성능이 전보다 나은 것이 없음을 알게 되었다. 게다가, 기존에는 없었던 스위칭 문제도 생겼다. ‘이 트랜지스터는 전혀 좋지 않고 엉망이네. 도대체 무엇때문에 이렇게 떠들썩했던거야?’ 라고 생각하게 될 당신이 뭔가 놓치고 있는 것은 없을까? 20년 이상 동안 실리콘 기반의 파워 MOSFET은 스위칭 전력 공급 분야에서 시장을 주도했다. 기존의 바이폴라 트랜지스터 기술을 사용하는 이들 애플리케이션에서는 주파수에 대한 고속 및 저전력 손실을 실현할 수 없었다. 그러나 시간이 지남에 따라 파워 MOSFET은 진보를 거듭해 이상