테크노트 [R&D PLUS] 양희준 성균관대 교수, 1,000배 적은 에너지로 100배 빠른 속도 자랑하는 ‘자가 선택 메모리’ 개발
[첨단 헬로티] 4차 산업혁명과 함께 사물인터넷, 인공지능 등 새로운 기술들이 등장하기 시작했다. 이 기술들은 새로운 시대를 여는 주춧돌이 되고 있지만, 이를 뒷받침하기 위한 여러 과제도 양산하고 있다. 대표적인 부분이 메모리다. 새로운 기술들을 지원하기 위해서는 에너지 소모가 적으면서 더 빠른 속도를 지원하는 메모리 소자가 필요해졌다. 세계 각국 연구진들은 이 문제를 해결하기 위해 다양한 연구를 진행해왔다. 그리고 최근 국내 연구진에 의해 새로운 개념의 ‘자가 선택 메모리(self-selective memory)’가 개발돼 주목받기 시작했다. ▲ 양희준 성균관대학교 에너지과학과 교수 <사진 : 성균관대학교> 낸드플래시 한계 넘는 기술 개발 양희준 성균관대학교 에너지과학과 교수 연구팀이 2차원 소재 그래핀과 질화붕소(h-BN)를 활용하여 테라비트급(terabit) 초고속 초절전 비휘발성 메모리 소자를 개발했다고 밝혔다. 현재 널리 활용되고 있는 메모리 소자는 실리콘 기반의 낸드플래시다. 하지만 4차 산업혁명과 더불어 발전하고 있는 사물인터넷, 인공지능, 뉴로모픽 컴퓨팅 등의 미래 기술을 실현하기 위해서는 낸드플래시보다 100배