최신뉴스 Teledyne e2v HiRel, 신제품 650V 고전력 GaN HEMT 2종 출시

[헬로티] 접합부-케이스 열저항 낮아 고전력 애플리케이션용으로 적합해 ▲Teledyne e2v HiRel이 650V 고전력 GaN HEMT 신제품 2종을 출시했다. (출처 : Teledyne e2v HiRe) Teledyne e2v HiRel이 GaN 시스템즈의 기술을 기반으로 한 고전력 650V 제품군에 러기다이즈드(ruggedized, 내구성이 강화된) GaN 전력 HEMT(High Electron Mobility Transistor, 고전자 이동도 트랜지스터) 2종을 추가했다고 7일 밝혔다. 새로운 고전력 HEMT인 TDG650E30B와 TDG650E15B는 2020년 선보인 650V HEMT(60A)보다 낮은 30A, 15A의 전류 성능을 갖고 있다. 650V GaN HEMT 제품군은 시중에서 판매되는 제품 가운데 가장 높은 전압을 갖고 있는 GaN 전력 기기로서 높은 신뢰성이 요구되는 군사·항공·우주 애플리케이션에 적합하다. 전원, 모터 제어, 하프 브릿지 토폴로지(half bridge topology) 등의 애플리케이션용으로도 적합한 제품이다. TDG650E30B와 TDG650E15B는 바닥 냉방 구조와 초저 ‘

• 이동재 기자
• 2021-01-08 10:41