인공지능(AI)의 발전과 다양한 산업 및 생활 영역에서의 전기화 확산으로 점점 더 높은 전력 효율성과 신뢰성에 대한 요구가 높아지고 있다. 이러한 수요에 대응하기 위해 마이크로칩테크놀로지는 델타 일렉트로닉스와 파트너십 협약을 체결했다고 18일 밝혔다. 이번 협약은 양사간의 시너지 효과로 더욱 지속적인 발전이 가능한 미래를 앞당기기 위해 체결한 것으로, 델타의 디자인에 마이크로칩의 mSiC 제품과 기술을 결합해 더욱 혁신적인 SiC 솔루션과 에너지 절약 제품 및 시스템의 개발을 가속화할 것으로 기대된다. 마이크로칩의 실리콘 카바이드 사업부 클레이턴 필리온 부사장은 “SiC는 광대역갭(Wide-Bandgap) 특성을 바탕으로 지속 가능한 전력 솔루션을 위한 핵심 기술로 활용된다”며 “이러한 특성 덕분에 고전압·고전력 애플리케이션에 적합한 더 작고 효율적인 설계를 가능하게 하며 시스템 전체 비용의 절감에도 기여한다”고 설명했다. 그는 “마이크로칩은 델타와 협력해 SiC 솔루션의 혁신을 가속화하며 ‘모든 것의 전기화(Electrification of Everything)’라는 산업 전반의 흐름에 발맞춘 의미 있는 발전을 함께 만들어 가기를 기대한다”고 덧붙였다. 델
ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 3상 브러시리스 모터를 위한 차세대 통합 게이트 드라이버인 STDRIVE102H와 STDRIVE102BH를 출시하고 컨슈머 및 산업용 장비의 성능, 효율성, 경제성을 향상하도록 지원한다고 밝혔다. 단일 션트 제어용 STDRIVE102H와 3 션트 제어용 STDRIVE102BH는 6~50V의 동작 전압 범위를 지원하며, 두 개의 아날로그 핀을 통해 간편하게 구성할 수 있다. 간단한 저항 분배기로 외부 MOSFET에 공급되는 게이트 구동 전류를 설정할 수 있으며, 설계자는 게이트 저항 없이도 스위칭 슬루율 제한을 비롯해 전력단 성능을 최적화할 수 있다. 이 새로운 드라이버는 저전류 대기 모드로 배터리 성능을 효과적으로 유지하기 때문에 무선 전동 공구 및 가전제품, 전기 자전거, 모바일 로봇, 산업용 드라이브에 적합하다. 이 드라이버는 무제한으로 하이사이드 MOSFET의 온타임을 유지하는 차지 펌프 회로를 통합하고 있으며, 이를 통해 100% PWM 듀티 사이클이 필요한 애플리케이션의 설계를 간소화해준다. 이 차지 펌프는 하이사이드 및 로우사이드 MOSFET을 동일한 게이트-소스 전압으로 구동시켜 전력단의 균형 잡힌 동작을 보
ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 IGBT 및 실리콘 카바이드 MOSFET을 위한 새로운 듀얼 채널 갈바닉 절연 게이트 드라이버 2종을 출시했다. ST는 새로 출시한 제품을 통해 고전압 전력변환 및 산업용 애플리케이션의 공간 절감과 간편한 회로 설계를 지원한다. IGBT를 위한 STGAP2HD와 SiC MOSFET을 위한 STGAP2SICD는 ST의 최신 갈바닉 절연 기술을 활용해 SO-36W 와이드 바디 패키지로 6kV의 과도전압을 제공한다. 또 ±100V/ns dv/dt에 이르는 과도 내성을 통해 전기적 노이즈가 많이 발생하는 동작 조건에서 스퓨리어스(spurious) 턴온을 방지한다. 디바이스는 최대 4A의 강력한 게이트 제어 신호를 제공할 수 있으며, 턴온 및 턴오프 시간을 독립적으로 조정하게 해주는 듀얼 출력핀을 통해 게이트 구동을 위한 유연성을 추가로 지원한다. 능동 밀러 클램프(Active Miller Clamp)로는 하프-브리지 토폴로지의 빠른 정류 시 게이트 스파이크를 방지한다. 회로 보호 기능에는 열 보호와 안전한 동작을 위한 워치독(Watchdog), 위험한 저효율 모드에서 시동을 방지하는 채널당 UVLO(Under-Voltage Lo
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