최신뉴스 램리서치, 고종횡비 칩의 새로운 가공 솔루션 ‘스트라이커FE’ 발표

차세대 소자 구현하는 첨단 유전체 갭필 기술 개발 [헬로티 = 김동원 기자] 램리서치가 고종횡비(high-aspect-ratio) 칩 구조 제조의 새로운 가공 솔루션인 첨단 ‘스트라이커(Striker)FE’ 플랫폼을 22일 발표했다. 스트라이커FE는 3차원(3D) 낸드, D램, 로직 소자의 새로운 노드에 필요한 극한 구조를 충진(filling)하기 위한 ‘ICEFill’ 기술을 사용한다. 반도체 산업 로드맵을 충족하는 데 필요한 지속적인 비용과 기술혁신 과제를 이 시스템으로 해결할 수 있다. 그동안 반도체 제조에서 사용해온 갭필(gapfill) 방식에는 기존 화학기상증착(chemical vapor deposition), 확산/퍼니스(diffusion/furnace), 스핀온(spin-on) 공정이 있다. 이 기술은 막질, 수축(shrinkage), 갭필 보이드(void) 간 상충하는 제한을 받기 때문에 현재의 3차원 낸드 요건을 더 이상 충족하지 못한다고 지적받아 왔다. 반면 램리서치의 플랫폼은 독점 표면 개질 기법을 사용해 보이드 없는 선택적 상향식(bottom-up) 갭필을 구현하면서 원자층 증착(atomic l

• 김동원 기자
• 2020-09-22 16:11