D램, 낸드 등 자동차·데이터 센터 및 AI 관련 대용량·고성능 제품이 대거 전시 예정 삼성전자와 SK하이닉스가 낸드 플래시 업계 주요 행사인 '플래시 메모리 서밋(FMS) 2024'에 참가한다. 24일 업계에 따르면, 다음 달 6∼8일(현지시간) 미국 캘리포니아주 샌타클래라에서 열리는 FMS 2024에 삼성전자, SK하이닉스는 기조연설에 나서는 동시에 최신 제품을 선보일 예정이다. 행사에는 일본 키옥시아, 미국 웨스턴디지털, 마이크론 등 글로벌 메모리 업체들도 대거 참여한다. 올해로 18주년을 맞는 FMS는 매년 플래시 메모리 반도체 업체들과 스타트업, 업계 관계자 등이 참석해 신기술·제품과 시장 트렌드를 공유하는 자리다. '메모리와 스토리지의 미래(the Future of Memory and Storage)'를 주제로 열리는 올해 행사에서는 D램, 낸드 등 자동차·데이터 센터 및 인공지능(AI) 관련 대용량·고성능 제품이 대거 전시될 예정이다. 특히 FMS가 낸드 중심의 행사인 만큼 이와 관련한 낸드 신제품 및 신기술 발표도 예상된다. 삼성전자는 지난해 행사에서 PCIe 5.0 데이터 센터용 솔리드스테이드드라이브(SSD) 'PM9D3a'를 처음 공개했고,
삼성전자가 2일(현지시간) 미국 산타클라라 컨벤션센터에서 열린 ‘플래시 메모리 서밋 2022’에서 차세대 메모리 솔루션을 대거 선보였다. 플래시 메모리 서밋 2022는 매년 미국에서 개최되는 세계 최대 플래시 메모리 업계 컨퍼런스다. 삼성전자 메모리사업부 솔루션개발실 최진혁 부사장은 이날 ‘빅데이터 시대의 메모리 혁신’이라는 주제의 기조 연설을 진행했다. 삼성전자는 AI, 메타버스, IoT, 미래차, 5G·6G 등 서비스가 확대되며 데이터가 폭발적으로 증가하고, 산업 지형이 데이터를 중심으로 변화하는 ‘데이터 중력’ 현상이 일어나고 있다고 설명했다. 삼성전자는 이러한 대량의 데이터를 이동, 저장, 처리, 관리하기 위한 메모리 기술의 혁신적인 발전이 필요하다고 강조하며, 서버 시스템의 공간 활용도를 높인 ‘페타바이트 스토리지’, AI·머신러닝에 최적화된 ‘메모리 시맨틱 SSD’, 스토리지를 안정적으로 관리하는 ‘텔레메트리’ 등 차세대 메모리 솔루션을 소개했다. 삼성전자는 글로벌 기업들과 고용량 SSD의 다양한 폼팩터와 스택 구조 기술 개발을 협력하며, 이를 통해 페타바이트급의 스토리지 시스템 구현이 가능하다고 밝혔다. 페타바이트 스토리지는 저장용량이 획기적으로
4D 뒷받침하는 PUC, CTF 기술로 셀 면적 감소 및 생산 효율 높여 SK하이닉스가 지난 3일 현존 최고층 238단 낸드 개발에 성공했다고 발표했다. SK하이닉스는 최근 238단 512Gb TLC 4D 낸드플래시 샘플을 고객에게 출시했고, 내년 상반기 양산에 들어갈 계획이다. 회사 측은 “2020년 12월 176단 낸드를 개발한 지 1년 7개월 만에 차세대 기술개발에 성공했다”며 “특히 이번 238단 낸드는 최고층이면서도 세계에서 가장 작은 크기의 제품으로 구현됐다는 데 의미를 둔다”고 밝혔다. SK하이닉스는 이날 미국 산타클라라에서 개막한 ‘플래시 메모리 서밋 2022’에서 신제품을 공개했다. 행사 기조연설에 나선 SK하이닉스 최정달 부사장은 “당사는 4D 낸드 기술력을 바탕으로 개발한 238단을 통해 원가, 성능, 품질 측면에서 글로벌 경쟁력을 확보했다”며 “앞으로도 기술 한계를 돌파하기 위해 혁신을 거듭해갈 것”이라고 강조했다. SK하이닉스는 2018년 개발한 낸드 96단부터 기존 3D를 넘어선 4D 제품을 선보여왔다. 4차원 구조로 칩이 구현되는 4D를 만들기 위해 이 회사 기술진은 CTF(Charge Trap Flash)와 PUC(Peri Und
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