테크노트 GaN에 대한 잘못된 오해

[헬로티] GaN 트랜지스터는 이상적 스위치로의 발전을 위한 단계에 있으며 특히 일부 측면에서 볼 때 성능 면에서도 큰 도약을 이뤄냈다. 최근의 GaN 트랜지스터는 실리콘 MOSFET 보다 장점을 갖는다. 결론적으로 GaN은 실리콘 기반 소자에 대한 대체품이 아니라 아주 새로운 패러다임이다. 이 기고를 통해서 GaN에 대한 잘못된 오해를 바로 잡고자 한다. GaN 트랜지스터의 탁월한 성능에 대해 들어본 당신은 조금 흥분했을 것이다. 그러나 샘플들이 드디어 도착하자 그것들을 보드에 장착한 뒤 전원을 켜고 부하를 연결했을 때 성능이 전보다 나은 것이 없음을 알게 되었다. 게다가, 기존에는 없었던 스위칭 문제도 생겼다. ‘이 트랜지스터는 전혀 좋지 않고 엉망이네. 도대체 무엇때문에 이렇게 떠들썩했던거야?’ 라고 생각하게 될 당신이 뭔가 놓치고 있는 것은 없을까? 20년 이상 동안 실리콘 기반의 파워 MOSFET은 스위칭 전력 공급 분야에서 시장을 주도했다. 기존의 바이폴라 트랜지스터 기술을 사용하는 이들 애플리케이션에서는 주파수에 대한 고속 및 저전력 손실을 실현할 수 없었다. 그러나 시간이 지남에 따라 파워 MOSFET은 진보를 거듭해 이상

• 2016-09-29 10:43