최신뉴스 로옴, 1700V 내압 SiC-MOSFET 'SCT2H12NZ' 개발

[헬로티] 로옴(ROHM)는 최근 고전압으로 동작하는 범용 인버터 및 제조 장치 등 산업기기용으로 1700V 내압의 SiC-MOSFET 'SCT2H12NZ'를 개발했다. SCT2H12NZ는 산업기기의 보조 전원에 필요한 고내압 ㆍ 저전류 특성에 적합한 SiC-MOSFET이다. 로옴 관계자는 "일반적으로 사용되는 Si-MOSFET에 비해 도통 손실을 1/8로 저감해 기기의 저전력화에 기여한다"며, "SiC-MOSFET 구동용 AC/DC 컨버터 제어 IC 'BD7682FJ-LB'를 함께 사용하면 신제품의 성능을 최대한으로 발휘시킬 수 있으므로, 최대 6%의 극적인 고효율화와 대폭적인 손실 저감을 통해 주변 부품의 소형화를 실현할 수 있다"고 설명했다. 로옴 측은, 2016년 4월부터 'SCT2H12NZ'과 SiC-MOSFET 구동에 최적인 AC/DC 컨버터 제어 IC 'BD7682FJ-LB', 이 두 제품을 실장한 평가 보드 'BD7682FJ-LB-EVK-402'의 인터넷 판매를 개시해 Chip1Stop, Mouser, Digi-Key, element14 등에서 구입이 가능하다고 밝혔다. 최근 에너지 절약에 대한 의식이 높아짐에 따라 범용 인버터 및 제조 장치

• 2016-08-30 22:39