마우저 일렉트로닉스는 르네사스 일렉트로닉스의 최신 임베디드 및 전력 솔루션 제품을 공급하고 있다고 15일 밝혔다. 약 2만8000종 이상의 르네사스 부품과 주문 당일 선적 가능한 1만 종 제품을 포함해 광범위한 포트폴리오를 제공하며, 매일 새롭게 추가되는 최신 솔루션도 포함된다. RA8P1 마이크로컨트롤러(MCU)는 Arm Cortex-M85(CM85) 및 Cortex-M33(CM33) 기반의 AI 지원 싱글·듀얼 코어 MCU로, Arm Ethos-U55 신경망 프로세서를 탑재해 엣지, AI, IoT 애플리케이션에 적합하다. RAA48930x 3-레벨 동기식 벅 컨트롤러는 USB 타입-C(Type-C) 기반 멀티포트 충전기, 휴대용 전원 스테이션, 로봇, 드론 등에서 고효율 배터리 충전과 전압 레귤레이션을 지원하며, 시스템 크기와 전력 손실을 최소화한다. TP65H030G4Px 650V 30mΩ GaN FET는 데이터센터, 산업, 전동 모빌리티 분야에서 고효율·고밀도 전력 변환을 제공하며, 다양한 패키지 옵션과 병렬 구성을 통해 1kW~10kW 이상 전원 아키텍처 설계에 최적화할 수 있다. RA4C1 MCU는 저전력 설계와 첨단 보안 기능을 갖춰 계량기 및
데이터 통신·전기 통신, 소비 가전 충전, 태양열 및 산업용 제품 등 전력 변환 효율 개선 넥스페리아가 오늘 저전압(100/150V) 및 고전압(650V) 애플리케이션을 위한 e-모드 구성의 전력용 GaN FET 첫 시리즈를 출시했다. 넥스페리아는 7개의 새로운 e-모드 소자로 캐스코드 제품을 보강함으로써 설계자에게 실리콘 기반 전력 전자 부품 포트폴리오와 함께 GaN FET를 최적으로 제공하는 단일 제조업체가 됐다. 넥스페리아가 이번에 출시한 새로운 포트폴리오에는 DFN 5mm x 6mm 및 DFN 8mm x 8mm 패키지로 선택할 수 있는 5개의 650V 정격 e-모드 GaN FET - 80mΩ에서 190mΩ 사이의 RDS(on) 값이 포함된다. 이 소자들은 고전압, 저전력(<650V) 데이터 통신/전기 통신, 소비 가전 충전, 태양열 및 산업용 응용 제품 등의 전력 변환 효율을 개선시킨다. 이 제품들은 또한 더 높은 토크와 더 높은 출력 값을 가지는 정밀도를 갖춘 브러시리스 DC 모터 및 마이크로 서버 드라이브 설계에도 사용된다. 이 제품들 중에는 WLCSP8 패키지로 제공되는 100V(3.2mΩ) GaN FET와 FCLGA 패키지로 제공되는 15
전기차, 5G, IoT 등에서 전력 손실 줄여줘 [헬로티 = 김동원 기자] 엘리먼트14가 넥스페리아(Nexperia)의 전력 GaN FET 제품군을 출시한다고 밝혔다. GaN FET 제품은 소형 폼팩터에서 밀도를 개선하고 전력 사용 효율을 높여 더 낮은 비용으로 효율적인 시스템 개발을 가능하게 돕는다. 전기차, 5G, IoT 등 다양한 분야에서 전력 성능을 개선할 수 있다. 최근 이산화탄소 배출 감축의 필요성이 높아지며 효율적인 전력에 대한 관심이 높아졌다. GaN FET 제품은 전력 사용 효율을 높여 설계 엔지니어에게 실질적 솔루션을 제공할 수 있을 것으로 보인다. GaN 기술은 전력 변환 애플리케이션 전 제품군에 직·간접적인 성능상의 이점을 제공하기 위해 실리콘 기반 IGBT 및 SiC 등 기존 기술의 많은 한계를 극복했다. 전기차의 경우 GaN 기술은 차량 제품군에 영향을 미치는 전력 손실을 직접적으로 감소시킨다. 효율적인 전력 변환으로 인해 냉각 장치를 작동해 열을 식힐 필요가 없고, 차량 중량과 시스템 복잡성을 줄임으로써 더 작은 배터리를 이용하면서도 주행 거리가 종전과 같거나 더 길어진다. 또한 전력 GaN FET는 데이터 센터 애플리
전력 전자 시스템을 위한 차세대 고전력 디바이스로서 최근 GaN FET의 활용도가 높아지고 있다.[1] GaN FET는 2차원 전자 가스(2DEG) 채널의 높은 캐리어 이동성에 의한 저전력 손실과, 대형 임계 전계로 인한 높은 파괴 전압으로 초고전력 밀도 동작을 실현한다. 또한 GaN FET는 주요 캐리어 디바이스이므로 역회복 전하가 없어 고전압 동작 가치가 높다. 여기서는 GaN이 차세대 DC-DC 컨버터에서 에너지 효율, 전력 밀도, 솔루션 크기를 어떻게 개선하는지 알아본다. GaN FET가 가진 특성은 모두 높은 전환 주파수 동작에서 전력 손실을 줄여주는 전력 전자 애플리케이션에 적합하다고 할 수 있다. 합리적인 가격으로 실리콘 기판에서 GaN(Gallium-Nitride) 디바이스를 제작할 수 있게 됨에 따라, 전력 GaN FET는 사파이어로 제작된 GaN이나 대량 GaN보다 높은 효율성, 30V 이상의 DC-DC 전압 변환 공간에 적합한 형상 계수로 인해 더 많이 채택될 것이다. 여기서는 하드 변환 DC-DC 컨버터의 손실 메커니즘과 GaN FET 전력 단계 성능이 Si MOSFET보다 어떻게 우수한지 살펴보고, 80V GaN FET 전력 단계 및
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