테크노트 [테크니컬 리포트] 고속 스위치와 혁신적 시뮬레이션 환경을 제공하는 와이드 밴드 갭 생태계

[첨단 헬로티] 와이드 밴드 갭 소재는 현재의 실리콘 기반 기술을 넘어설 수 있다. 와이드 밴드 갭은 더 높은 절연 파괴 전압뿐 아니라 더 낮은 RSP를 가능하게 한다. 높은 전자 포화 속도는 고주파 설계와 동작을 구현한다. 또 누설 전류 감소 및 열전도율 향상이 고온에서 동작을 용이하게 한다. 온세미컨덕터(On Semiconductor)는 SiC 다이오드와 내구성과 속도를 갖춘 SiC MOSFET 뿐만 아니라 SiC MOSFET용 하이엔드 IC 게이트 드라이버까지 와이드 밴드갭 솔루션에 초점을 맞춘 솔루션을 제공한다. 또 하드웨어 외에도 비용이 많이 드는 실제 측정을 대신해 시뮬레이션에서 설계자가 애플리케이션 성능을 실현할 수 있도록 지원하는 물리적 스파이스 모델(SPICE, Simulate Program Integrated Circuit Emphasis)도 제공한다. 온세미컨덕터의 단일 부품 모델링(Discrete modeling)은 RDS(on)같은 부품의 레벨 성능 지수뿐만 아니라 효율성과 같은 시스템 레벨 성능지수를 최적화할 수 있는 시스템 레벨 시뮬레이션을 제공한다. 또한 설계자는 다양한 온도, 버스 전압, 부하 전류, 스위칭 애플리케이션을 위한

• 이나리 기자
• 2020-01-09 14:02