반도체 온세미, 독자기술 적용 차세대 전력반도체 공개...에너지 손실·발열 50%↓

온세미가 독자 기술을 적용한 수직 구조의 질화갈륨(Vertical GaN, 이하 vGaN) 전력반도체 신제품을 공개했다. 온세미는 자사 차세대 전력반도체를 공개하고, 제품이 화합물 반도체 내 전류를 수직 방향으로 흐르게 하는 구조를 통해 더 높은 동작 전압과 빠른 스위칭 주파수를 구현할 수 있다고 밝혔다. 온세미에 따르면 AI 데이터센터, 전기차, 재생에너지, 항공우주 등 에너지 집약적 산업의 전력 수요가 급증하는 현재와 같은 상황에서 해당 신제품은 다양한 분야에서 더 작고 가벼우며 효율적인 시스템 설계를 가능하게 한다. 미국 뉴욕주 시러큐스(Syracuse) 팹에서 개발되었으며, 공정, 디바이스 설계, 제조, 시스템 혁신과 관련된 130건 이상의 글로벌 특허를 기반으로 하는 vGaN 기술은 단일 다이에서 1200V 이상의 고전압을 처리하고, 고주파에서 고전류를 고효율적으로 스위칭할 수 있도록 설계됐다. 이를 통해 전력 손실을 최대 50%까지 줄이고, 고주파 동작 시 인덕터와 커패시터 등 수동 부품의 크기를 대폭 줄일 수 있다. 또한 기존 수평형 GaN 대비 약 3분의 1 크기로 구현이 가능해 전력 밀도, 열 성능, 신뢰성이 중요한 고출력 응용 분야에 최적화

• 이동재 기자
• 2025-11-04 13:43