ST마이크로일렉트로닉스가 소형·고효율 USB-PD 충전기, 고속 배터리 충전기, 보조 전원공급장치의 설계와 구현을 간소화하는 GaN(갈륨 나이트라이드) 플라이백 컨버터 시리즈를 출시했다. 이번 신제품은 ST의 독보적 전력 관리 기술을 기반으로, 부하가 줄어든 상태에서도 충전기와 전원공급장치가 무소음으로 작동하도록 지원해 사용자 경험을 향상시킨다. 신제품 라인업은 700V GaN 전력 트랜지스터가 내장된 VIPerGaN50W를 중심으로 구성되며, 플라이백 컨트롤러와 최적화된 게이트 드라이버를 하나의 소형 전력 패키지에 통합했다. 통합 게이트 드라이버는 게이트 저항 및 인덕턴스 보정을 위한 별도 설계 작업이 필요하지 않아 제품 출시 기간을 단축하고, 전력 밀도를 향상시키며 부품원가(BOM)도 줄일 수 있다. 50W급 플라이백 컨트롤러는 최대 부하까지 제로 전압 스위칭(ZVS, Zero-Voltage Switching) 기반 준공진(Quasi-Resonant) 모드로 동작한다. 경부하에서는 주파수 폴드백(Frequency Foldback) 기능을, 중부하에서 고부하까지는 밸리 스키핑(Valley Skipping) 방식을 적용해 스위칭 주파수를 제어함으로써 최적의
800V로 버스 전압 구를 옮기려는 개발 환경을 지원 코보는 온-저항 수치를 제공하는 차세대 1200V 실리콘 카바이드(SiC) FET 시리즈를 발표했다. 1200V Gen4 SiC FET의 새로운 UF4C/SC 시리즈는 800V 버스 구조의 전기차용 OBC, 산업용 배터리 충전기, 산업용 전원공급장치, DC/DC 태양광 인버터를 비롯해 용접기, 무정전 전원공급장치(UPS), 인덕션 애플리케이션에 이상적이다. 코보의 아눕 발라(Anup Bhalla) 파워 디바이스 담당 수석 엔지니어는 "우리는 1200V까지 확장된 UnitedSiC의 차세대 고성능 Gen4 옵션을 통해 800V로 버스 전압 구조를 옮기려는 개발자에게 더 나은 지원을 제공한다"고 말했다. 이어 그는 "전기차에서는 이처럼 높은 전압으로의 전환이 불가피하며, 네 가지의 서로 다른 RDS(on) 값을 가진 이러한 차세대 신제품들은 설계 시 개발자가 최적의 SiC를 선택하도록 도와준다"고 말했다. 23, 30, 53 및 70mΩ의 RDS(on) 값을 나타내는 모든 제품들은 업계 표준 TO-247-4L 패키지로 제공돼 보다 높은 성능 레벨에서도 저잡음의 스위칭을 제공한다. 53 및 70mΩ 제품의 경우
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