송배전과 같이 고내압, 저전력이 필요한 어플리케이션에 적용 예정 파워큐브세미는 국내 최초로 2300V SiC MOSFET 개발에 성공했다고 26일 밝혔다. SiC(탄화규소)는 기존 Si(실리콘) 기반의 반도체 대비 견딜 수 있는 전압이 높아 미래 전력반도체를 주도할 차세대 소자로 불리고 있다. 전기자동차의 보급, AI로 인한 데이터 센터의 확대 등 첨단기술의 도입에 반드시 필요한 핵심 부품이다. 파워큐브세미는 국내 SiC(탄화규소), Si(실리콘), Ga2O3(산화갈륨) 전력반도체를 설계하는 팹리스 기업으로 글로벌 유일하게 3개 소자를 다룬다. 최근엔 중국 글로벌 전기자동차 기업에 대용량 SJ MOSFET을 적용 및 판매하며 직접 설계한 반도체의 성능과 기술력도 인정받았다. 특히 이번 2300V SiC MOSFET은 국내 최초의 개발 사례다. 파워큐브세미 경신수 CTO는 “기존의 1700V SiC MOSFET 개발 및 양산 경험이 2300V까지 이어질 수 있었다”고 밝혔다. 2300V SiC MOSFET은 송배전과 같이 고내압, 저전력이 필요한 어플리케이션에 적용될 예정이다. 해당 제품은 한국전력의 송배전용 인버터에 공급을 협의하고 있다. 2023년 12월
세계적인 경기 침체에 따른 전방산업 수요 부진 영향 받아 DB하이텍은 5일 연결 기준 작년 한 해 영업이익이 2663억 원으로 전년보다 65.36% 감소한 것으로 잠정 집계됐다고 공시했다. 매출은 1조1578억 원으로 전년 대비 30.89% 감소했으며, 영업이익률은 23% 수준이다. 순이익은 2448억 원으로 56.2% 줄었다. 작년 4분기 영업이익은 431억 원으로 전년 동기보다 71.97% 줄었다. 매출과 순이익은 각각 28.73%, 47.88% 감소한 2830억 원과 356억 원이었다. 세계적인 경기 침체에 따른 전방산업 수요 부진으로 반도체 파운드리 시장 회복이 지연되면서 전년보다 실적이 하락했다. 회사 측은 "전력반도체 기술 격차를 지속 확대하는 동시에 차량용의 비중을 높이고 차세대 전력반도체로 주목받는 갈륨나이트라이드(GaN), 실리콘카바이드(SiC) 등 고부가·고성장 제품을 확대하며 경쟁력을 강화할 계획"이라고 밝혔다. 헬로티 서재창 기자 |
캐나다 전 지역 비즈니스 확대 추진 본격화 내년 상반기 美로 시장 진출 목표...친환경 에너지 분야 ‘도전장’ 전력반도체 업체 파워큐브세미가 캐나다 전자부품 업체 시그마 컴포넌트(Sigma Component Design Ltd)와 협력체계를 구축해 북미 시장 공략에 첫발을 뗐다. 파워큐브세미는 실리콘 및 실리콘카바이드(SiC) 소자를 개발·생산하는 업체다. 최근 산화갈륨(Ga2O3) 전력반도체 시장 선점을 목표로 산화갈륨 전용 팹을 신설했다. 이는 국내 차세대 화합물 전력반도체 소자 개발 및 생태계 구축에 주력하고 있는 모습이다. 이번 양사의 파트너십은 파워큐브세미의 북미 시장 공략에 초석이 될 전망이다. 양사는 그 시작으로 캐나다 전 지역의 비즈니스 확대를 추진하기로 했다. 현재 전기차 충전기에 탑재되는 고성능 전력반도체 부품인 슈퍼정션 모스펫(SJ MOSFET) 및 실리콘카바이드 모스펫(SiC MOSFET) 샘플을 제출해 제품 승인을 기다리고 있다. 여기에 캐나다 스노우모빌 제조업체의 온보드 차저(OBC), Low DC-DC Converter(LDC) 등 전력 모듈 공급 수주를 따내 전력 모듈 사업화 기반을 마련했다. 파워큐브세미는 이를 발판으로 내년 상
애플리케이션에서 손실 최소화하고 신뢰성 및 사용 편의성 높여 인피니언 테크놀로지스(이하 인피니언)는 TOLL(TO leadless) 패키지를 적용한 실리콘 카바이드(SiC) CoolSiC MOSFET 650V 제품군을 출시했다. 새로운 SiC MOSFET은 인피니언의 포괄적인 CoolSiC 포트폴리오를 강화하며, 서버, 텔레콤 인프라, 에너지 저장 시스템, 배터리 포메이션 솔루션 등의 애플리케이션에서 손실을 최소화하고 높은 신뢰성을 달성하며 사용 편의성을 높이도록 설계됐다. CoolSiC 650V 고성능 트렌치 기반 SiC MOSFET은 다양한 애플리케이션을 지원하도록 다양한 구성으로 제공된다. JEDEC 인증 TOLL 패키지의 새로운 제품군은 낮은 기생 인덕턴스를 특징으로 해 높은 스위칭 주파수, 낮은 스위칭 손실, 우수한 열 관리 및 자동 어셈블리를 가능하게 한다. 컴팩트한 폼팩터로 보드 공간을 효과적으로 사용할 수 있어 시스템 디자이너는 우수한 전력 밀도를 달성한다. 650V CoolSiC MOSFET은 가혹한 환경에서 신뢰성을 자랑하므로, 반복적으로 하드 정류를 하는 토폴로지에 적합하다. 내장된 .XT 인터커넥트 기술은 열 저항과 열 임피던스를 낮춤으
총 282억원 규모 산업부 산업혁신기반구축 공모사업 선정…2025년 완공 목표 차세대 전력반도체 기술 개발부터 기업 지원 및 사업화까지 전주기 실증 지원 한국전기연구원(KERI), 경상남도, 부산광역시, 김해시, 경남테크노파크, 부산테크노파크, 동의대학교 산학협력단 등 동남권 전력반도체 산업 육성 및 발전을 위해 모인 연합팀이 산업통상자원부(이하 산업부)가 공모한 ‘2023년 산업혁신기반구축 사업’ 대상자로 선정됐다. 해당 사업은 화합물반도체 기반 차세대 고효율 전력반도체 산업의 ‘전주기 실증 지원 인프라’ 구축을 통해 국내 기업들의 기술 개발 및 사업화 등 각종 업무를 직·간접적으로 지원하는 사업으로, 사업 기간은 올해 7월부터 2027년 12월까지(4년 6개월)이며 총사업비는 약 282억 원(국비 100억, 지방비·현물 182억)이다. 최근 대부분의 일상에서 전기가 중심이 되는 '전기화(Electrification)’ 시대가 가속화되고 있는 만큼 전력반도체의 중요성도 커지고 있다. 전력반도체는 전력이 필요한 곳이면 필수적으로 활용되는 산업의 중요 부품으로, 전류 방향을 조절하고 전력 변환을 제어하는 등 사람의 몸으로 치면 근육과도 같은 역할을 한다. 이
온세미 1200V와 750V 전력 디바이스를 보그워너 VIPER 전력 모듈에 통합 온세미는 보그워너(BorgWarner)와의 실리콘 카바이드(SiC)에 대한 전략적 협력 관계를 확대해 10억 달러 이상의 생애 가치로 장기계약을 체결했다고 발표했다. 보그워너는 지속 가능한 모빌리티 솔루션을 제공하는 글로벌 제품 기업으로, 온세미의 1200V와 750V 전력 디바이스를 자사의 VIPER 전력 모듈에 통합할 계획이다. 엘리트 실리콘 카바이드(이하 EliteSiC) 디바이스는 양사의 오랜 전략적 관계의 일부인 온세미 제품의 포트폴리오에 합류한다. 온세미는 전기차 트랙션 시장에 필요한 높은 수준의 품질, 신뢰성, 공급 보증을 유지하면서 고성능 EliteSiC 기술을 제공한다. 온세미는 전력 반도체 제품 설계, 개발, 제조 분야에서 쌓아온 수십 년간의 경험으로 대량의 오토모티브 애플리케이션에 성공적으로 채택되도록 지원할 계획이다. 보그워너 부사장이자 파워드라이브 시스템즈 사장 겸 총괄인 스테판 데머를(Stefan Demmerle)은 "온세미는 엔드 투 엔드 공급망 전반에 걸쳐 SiC 제조 역량을 강화하기 위해 지속적이고 전략적인 투자를 한다. 이는 우리가 현재와 앞으로
다양한 토폴로지에서 마이크로칩의 SiC 파워 디바이스 및 모듈 평가 e-모빌리티, 지속가능성, 산업 부문과 규모가 큰 시장에서 SiC 파워 솔루션으로의 전환과 같이 오늘날 우리 산업에 이른바 ‘전기화 시대’가 도래하면서, 빠른 스위칭 능력과 낮은 전력 손실, 더 높은 온도에서의 성능 구현을 가능하게 하는 실리콘 카바이드(SiC) 반도체의 성장 또한 가속화하고 있다. 마이크로칩테크놀로지(이하 마이크로칩) 파워 설계 엔지니어가 쉽고 빠르게 SiC 파워 솔루션으로 전환하도록 MPLAB SiC 파워 시뮬레이터를 출시했다. 이 시뮬레이터는 설계를 하드웨어에 적용하기 이전 다양한 토폴로지에서 마이크로칩의 SiC 파워 디바이스 및 모듈을 신속히 평가하도록 한다. 마이크로칩의 MPLAB SiC 파워 시뮬레이터는 플렉심과 협력해 개발된 PLECS(Piecewise Linear Electrical Circuit Simulation)기반 소프트웨어 환경으로, 시뮬레이션 라이선스 구매가 필요 없는 무료 온라인 도구다. MPLAB SiC 파워 시뮬레이터는 다양한 SiC기반 파워 토폴로지 설계 과정을 가속화해 고객은 설계 단계에서부터 쉽고 빠르게 SiC 솔루션을 벤치마킹 및 평가한다
자동차·전기차, 그리드 인프라, 친환경 에너지, 항공우주 등 산업 겨냥해 마이크로칩테크놀로지(이하 마이크로칩)가 미국 콜로라도 스프링스 제조 시설의 실리콘 카바이드(SiC) 및 실리콘(Si) 생산 능력을 확장하기 위해 8억8000만 달러를 투자한다고 밝혔다. 마이크로칩은 이번 투자를 통해 6만 평, 1.6만 평에 달하는 콜로라도 스프링스 캠퍼스를 개발, 보완해 자동차·전기차, 그리드 인프라, 친환경 에너지, 그리고 항공우주방위 애플리케이션에 사용되는 실리콘 카바이드(SiC) 제조 역량을 증강할 예정이다. 이번 확장을 위해 콜로라도 스프링스 상공인회 및 EDC(경제성장조합)와 함께 콜로라도 스프링스 시 및 엘파소 카운티는 마이크로칩의 확장 및 발전을 위해 약 4700만 달러 상당의 인센티브를 승인했다고 밝혔다. 콜로라도 스프링스의 존 서더스(John Suthers) 시장은 “이번 투자로 향후 10년간 우리 지역 경제가 약 14억 달러 규모로 활성화할 것이라 기대하며, 파이크스 피크 지역에는 약 400개의 고연봉 일자리가 생길 것이라 예상하고 있다"고 말했다. 이어 그는 "다양한 산업 분야에서 증가하는 수요를 충족하기 위해 반도체 생산 능력을 확충하는 것은 중요
SiC, GaN 등 화합물 활용한 차세대 전력반도체 기술 개발 방안 논의 차세대 화합물 전력반도체(WBGS) 개발 방안 등을 논의하는 국제심포지엄이 부산에서 열린다. 부산시는 24일 부산 해운대 시그니엘호텔 부산에서 '2022 WBGS 국제심포지엄'을 개최한다고 밝혔다. 경북도, 포항시와 공동 주최하는 이번 심포지엄에서는 기존 실리콘 소재의 전력반도체에 실리콘카바이드(SiC), 질화갈륨(GaN) 등 화합물을 활용한 차세대 전력반도체 기술 개발 방안 등을 논의한다. 루비사스테바노비치 제너럴일렉트릭 부사장, 란비르 싱 제네식반도체 대표, 디디에 쇼센드 프랑스국립과학연구원 연구소장, 안드레아 이라체 이탈리아 나폴리대 교수, 안드레이 쿠즈네초프 노르웨이 오슬로대 교수, 요시유키 요네자와 일본 산업기술총합연구소 연구총괄 등이 최신 기술 동향을 발표한다. 부산시는 이들을 부산시 파워반도체 국제자문위원으로 위촉할 예정이다. 헬로티 서재창 기자 |
안정성 확보 통해 전기차, 전기차 충전기에 주로 활용 알에프세미가 4일인 오늘 예스파워테크닉스와 공동으로 1700V 실리콘카바이드(SiC) 전력반도체를 개발, 양산을 시작한다고 밝혔다. 1700V급 SiC는 국내에서 첫 개발된 제품으로 SiC 웨이퍼의 제조뿐 아니라 1700V의 고압 측정, 이온 주입, 활성화 공정 및 표면 처리 기술로 상용화에 어려움을 겪고 있다. 알에프세미는 지난해부터 예스파워테크닉스에 650V, 1200V 급 SiC 제품을 파운드리 공급하며 품질 고도화를 위해 협력하고 있다. 이번에 양산된 1700V SiC 전력반도체는 예스파워테크닉스에서 제품 설계와 일부 공정을 진행하고 알에프세미에서 상용화한 것이다. 현재 국내 많은 업체가 650V, 1200V급 SiC 제품을 개발 중이며 1700V급 제품은 해외 기업인 인피니언, 크리, 온세미 등에서 생산되고 있다. 전력반도체는 높은 전력이 필요한 전기제품이나 전기차, 수소차, 5G 통신망 등에서 전류 방향을 조절하고 전력 변환을 제어하는 필수 반도체다. SiC와 GaN를 이용한 전력반도체는 기존 실리콘을 이용한 전력반도체 보다 두 배 이상 큰 전압에 견디며, 고온에서도 정상 동작이 가능하다. 이번
한미 양국의 통상 수장들이 자유무역협정(FTA) 10주년을 기념하는 장소로 미시간주에 위치한 SK실트론CSS 공장을 선택한 가운데 최태원 SK그룹 회장이 그간 보여준 폭넓은 미국 네트워크와 민간 경제외교 행보에도 관심에 쏠린다. 조 바이든 미국 행정부의 통상정책을 이끄는 캐서린 타이 무역대표부(USTR) 대표는 16일(현지시간) 반도체 핵심 소재인 실리콘 카바이드(SiC·탄화규소) 웨이퍼를 생산하는 SK실트론CSS 공장을 방문해 한미 양국의 투자 협력이 빛을 발한 모범 사례라고 강조했다. 미 정부의 최고위급 당국자가 외국 기업의 현장을 방문한 것은 이례적인 일이다. 업계에서는 최 회장이 취임 이후 글로벌 포럼 등을 매개로 각국 정·관·재계 인사들과 꾸준히 친분과 신뢰를 쌓으며 SK를 포함한 한국 기업들의 지원군 역할을 한 점이 이러한 긍정적인 평가로도 이어진 것으로 보고 있다. 특히 미국 듀폰 사의 웨이퍼 사업부를 인수해 SK실트론CSS로 성장시킨 배경에도 최 회장의 글로벌 네트워크가 중요한 역할을 했다는 분석이다. 2019년 듀폰 웨이퍼 사업부가 인수합병(M&A) 시장에 나오자 글로벌 기업들 간에 치열한 인수전이 벌어졌지만, 최 회장이 앤드루 리버리
[첨단 헬로티] 전자부품연구원(이하 KETI)가 은(Ag)을 활용해 에너지 고효율화를 위한 핵심기술로 부상하고 있는 실리콘카바이드(SiC)파워반도체 실장용 고상접합 기술을 개발했다. 실리콘카바이드 반도체는 갈륨나이트라이드(GaN) 등과 함께 광대역갭 반도체(WBG, Wide Bandgap)로서 기존 실리콘(Si) 반도체 소자 대비 안정적인 고온 동작, 높은 열전도도, 낮은 저항과 높은 내전압 특성을 지닌다. 덕분에 WBG반도체는 방열구조를 간소화할 수 있으며, 전력변환모듈의 집적화(Si반도체 대비 넓이는 1/300, 두께는 1/8 감소)는 물론, 전력 변환 시 발생되는 에너지 손실도 줄일 수 있다. 일반적으로 전력변환 시, SiC반도체의 에너지 손실은 Si반도체 대비 70%이상 줄어들며, SiC파워반도체로 만든 인버터의 경우 에너지효율이 1~2%이상 높다. 하지만 이번 KETI 오철민, 홍원식 박사 연구팀이 개발한 고상접합 기술은 결함이 발생하는 근본 원인을 제거했다. 일반적인 고상접합(소결 등)에 적용되는 가압력을 가하지 않으면서 반도체 소자 및 모듈에 열적 변형을 줄일 수 있는 저온으로 진행되기 때문에 생산 제품마다 각기 다른 가압용 구조물이 불필요하다.
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UPDATE: 2024년 04월 29일 19시 42분
