온세미, 펜실베이니아 주립대와 SiC연구 위한 MOU 체결

2023.05.19 13:32:44

이창현 기자 atided@hellot.net

[선착순 마감임박] 우리 기업에 꼭 필요한 AI를 활용해 비즈니스를 확장할 수 있는 방법은? AI융합 비즈니스 개발 컨퍼런스에서 확인하세요 (5/3, 코엑스3층 E홀1~4)

 

온세미는 실리콘 카바이드 연구를 활성화하기 위해 미국 펜실베이니아 주립대학교와 800만 달러 규모의 전략적 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했다고 19일 밝혔다.

 

이번 협력을 통해 펜실베이니아 주립대 재료 연구 기관(Materials Research Institute, MRI)에 온세미 실리콘 카바이드 크리스탈 센터(onsemi Silicon Carbide Crystal Center, 이하 SiC3)가 설립된다. 온세미는 향후 10년간 매년 80만 달러의 자금을 SiC3에 지원할 예정이다.

 

실리콘 카바이드(SiC)는 전기차(EV), 전기차 충전 및 에너지 인프라의 효율성을 높이는 데 필수적이며 세계 경제의 탈탄소화에 기여한다. 1990년대 후반과 2000년대 초반에 SiC에 대한 학술 연구가 크게 발전했지만, 이후 미국에서는 그 규모가 줄었다. 이번 협약을 통해 미국 내 SiC 결정 연구가 다시 활성화될 것으로 기대된다.

 

 

펜실베이니아 주립대와 온세미는 SiC3에서 SiC 연구 수행 외에도 반도체 산업에서 기술 일자리의 수요 증가에 대한 인식을 높인다. 이는 미국 반도체 제조 점유율을 높이기 위한 노력의 일환이다. 또한 인턴십 및 협력 프로그램과 같은 인력 개발 이니셔티브에 협력하고, 펜실베이니아 주립대의 커리큘럼에 SiC 및 와이드 밴드갭 결정 연구를 포함한다. 

 

이러한 펜실베이니아 주립대와의 관계는 소외된 지역사회의 초중고 학생 지원부터 현재와 미래의 인력 개발을 지원하는 대학 협력에 이르기까지 STEAM(과학, 기술, 공학, 예술 및 수학) 교육을 촉진하기 위한 온세미의 노력의 일환이다.

 

로라 바이스 펜실베이니아 주립대 연구부총장은 "온세미는 여러 시장에서 지속 가능한 솔루션을 구현하고 가속화할 수 있는 포괄적인 지능형 전력 및 센싱 기술 포트폴리오를 제공하는 검증된 혁신 기업"이라며 "온세미와 펜실베이니아 주립대 간의 이러한 상호 보완적인 역량은 연구 및 개발, 경제 성장, 인력 개발에 큰 영향을 미칠 것"이라고 밝혔다.

 

파벨 프로인드리히 온세미의 파워 솔루션 그룹 최고기술경영자는 "펜실베이니아 주립대는 SiC 결정 성장 연구 프로그램을 빠르게 구축할 수 있는 독보적인 위치에 있다"며 "이 대학은 현재 재료 연구, 나노팹 시설의 웨이퍼 처리 능력, 세계적 수준의 포괄적인 계측 기기 제품군을 기반으로 광범위한 역량을 제공한다"고 말했다.

 

스콧 앨런 온세미의 대학 관계 담당 부사장은 "펜실베이니아 주립대가 SiC 및 와이드밴드 갭 기술 전문 과정 제공을 위해 커리큘럼을 확장한 것은 온세미의 전략적 인력 개발 목표를 달성하는 데 중요한 역할을 할 것"이라며 "또한 최근 서명된 미국의 반도체 칩과 과학법(CHIPS and Science Act)에 명시된 미국 반도체 인력 목표를 달성하는 데 도움이 될 것"이라고 전했다.

 

헬로티 이창현 기자 |

Copyright ⓒ 첨단 & Hellot.net




상호명(명칭) : (주)첨단 | 등록번호 : 서울,자00420 | 등록일자 : 2013년05월15일 | 제호 :헬로티(helloT) | 발행인 : 이종춘 | 편집인 : 김진희 | 본점 : 서울시 마포구 양화로 127, 3층, 지점 : 경기도 파주시 심학산로 10, 3층 | 발행일자 : 2012년 4월1일 | 청소년보호책임자 : 김유활 | 대표이사 : 이준원 | 사업자등록번호 : 118-81-03520 | 전화 : 02-3142-4151 | 팩스 : 02-338-3453 | 통신판매번호 : 제 2013-서울마포-1032호 copyright(c) HelloT all right reserved.