[첨단 헬로티]

ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics)가 프랑스의 질화갈륨(GaN) 기술을 보유한 액사겐(Exagan)의 지분을 다수 인수하기로 합의했다고 밝혔다. 이로써 ST는 GaN을 기반으로 하는 차세대 반도체 기술을 강화할 계획이다. 이와 관련해 ST는 지난 2월 TSMC와 협력을 통해 GaN 기술을 공동 개발한다고 발표한 바 있다. 

2014년에 설립돼 프랑스 그르노블에 본사를 둔 액사겐은 전력 전자 산업의 실리콘 기반 기술에서 GaN-온-실리콘 기술로의 전환을 가속화해 보다 작고 효율적인 전기 변환기 구현에 집중하는 기업이다. GaN 전원 스위치는 표준 200mm 웨이퍼 팹에서 제조하도록 설계됐다. 

 

ST는 액사겐의 기술을 확보함에 따라 자동차, 산업 및 소비자 애플리케이션을 위한 GaN 로드맵 비즈니스를 확대할 계획이다. 

ST마이크로일렉트로닉스의 사장 겸 CEO 진 맥 체리(Jean-Marc Chery)는 “ST는 탄화규소에서 강력한 모멘텀을 구축했으며 현재는 매우 유망한 복합 재료로 주목 받는 질화갈륨(GaN)으로 주력하려고 한다. 자동차, 산업 시장에서 GaN을 기반으로 하는 전력제품의 채택을 촉진하기 위해 사업을 확대하고 있다”고 말했다. 

현재 대부분 반도체는 실리콘(Si) 소재 웨이퍼로 만든다. 차세대 웨이퍼 소재로 주목 받고있는 질화갈륨(GaN)은 실리콘 카바이드를 포함하는 광대역 갭(WBG) 재료 계열에 속한다. GaN는 이전에 실리콘 MOSFET로는 전혀 불가능했던 높은 속도, 효율, 전력 밀도를 구현함으로써 고주파수 동작을 제공하는 전력 전자 장치의 발전을 이끌고 있다. 

GaN 제품은 서버, 통신 및 산업 애플리케이션의 역률 보정 및 DC/DC 컨버터, 자동차 애플리케이션을 위한 EV 및 DC-DC 컨버터를 위한 온보드 충전기, 전원 어댑터와 같은 개인용 전자 애플리케이션과 같은 다양한 애플리케이션에 활용될 수 있다. 그러나 실리콘 기반 웨이퍼에 비해 제작과정이 까다롭고, 칩 생산 기술 구현이 어려워 아직까지 보급률은 낮은 상황이다. 

한편, 양사의 거래 조건은 공개되지 않았으며 인수 종료는 프랑스 당국의 관례적인 규제 승인을 받아야한다.