전송속도 최대 2.4Gbps 지원…7세대 대비 1.2배 향상

삼성전자는 세계 최고 용량의 '1Tb(테라비트) 8세대 V낸드' 양산을 시작했다고 7일 밝혔다.

 

'1Tb TLC(Triple Level Cell·1개 셀에 3개 비트 저장) 8세대 V낸드'는 단위 면적당 저장되는 비트 수(비트 밀도)가 업계 최고 수준인 고용량 제품이다. 웨이퍼당 비트 집적도가 이전 세대보다 대폭 향상됐다.

 

 

8세대 V낸드에는 최신 낸드플래시 인터페이스 '토글 DDR 5.0'을 적용했다. 이에 따라 7세대 낸드보다 약 1.2배 빠른 최대 2.4Gbps(초당 기가비트)의 데이터 입출력 속도를 지원한다. 아울러 PCIe(고속 입출력 인터페이스) 4.0 인터페이스를 지원하며, 향후 PCIe 5.0까지 지원할 계획이다.

 

허성회 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실 부사장은 "고집적·고용량에 대한 시장의 요구로 V낸드의 단수가 높아짐에 따라 3차원 스케일링 기술로 셀의 평면적과 높이를 모두 감소시키고, 셀의 체적을 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하는 기반 기술도 확보했다"고 설명했다.

 

삼성전자는 8세대 V낸드를 앞세워 차세대 엔터프라이즈 서버 시장의 고용량화를 주도하고, 높은 신뢰성이 필요한 전장 시장까지 사업 영역을 넓힌다는 계획이다. 

 

특히 전장 시장은 2030년 이후에는 서버, 모바일과 더불어 3대 낸드 응용처로 부상할 것으로 회사 측은 예상했다. 전장 시장의 경우 최근 시스템 수준이 올라가고 차 한 대에 들어가는 메모리 탑재량은 물론 사양 자체도 높아지고 있다.

 

삼성전자는 지난달 초 미국 실리콘밸리 '삼성 테크 데이'에서 올해 8세대 V낸드 생산에 이어 2024년에 9세대 V낸드를 양산할 계획이라고 발표했다.

 

또한 2030년까지 데이터 저장장치인 셀을 1000단까지 쌓는 V낸드를 개발하겠다는 목표도 밝혔다. 1000단은 현재 176단인 7세대 V낸드보다 5배 이상 저장 가능한 수준이다.

 

헬로티 이창현 기자 |