소자의 성능을 저하시키지 않고도 크기 감소 달성

 

넥스페리아가 11일인 오늘 업계 최소형의 DFN 패지징으로 제공되는 20V 및 30V MOSFET을 출시했다. 넥스페리아는 이미 이 패키지로 ESD 보호 소자들을 공급하지만 아직 업계에서 달성하지 못한 이 최소형의 패키지를 MOSFET 포트폴리오에 적용하는 데에 성공했다. 

 

새로운 수준의 AI 및 머신러닝을 통합한 차세대 웨어러블 및 청각기기들은 제품 설계자에게 몇 가지 과제를 안겨준다. 여러 기능들이 추가됨에 따라 사용 가능한 보드 공간의 해결이 가장 큰 문제로 대두되며 전력 소비의 증가에 따른 발열도 문제가 된다. 

 

 

넥스페리아는 이산 부품 생산 분야에서의 경험을 바탕으로 소형 MOSFET 제품군을 설계함으로써 이 두 가지 문제를 성공적으로 극복했다. 크기가 0.63 x 0.33 x 0.25mm에 불과한 초소형 DFN0603 패키지는 두 번째로 작은 패키지(DFN0604)의 MOSFET보다 13% 더 적은 공간을 사용한다. 

 

이러한 크기 감소는 소자의 성능을 저하시키지 않고도 달성됐다. 실제로 이 소자의 RDS(on)는 74%나  감소해 효율성 향상에 도움이 되므로 웨어러블 기기 설계자들은 훨씬 더 큰 전력 밀도를 달성할 수 있게 됐다. 

 

이번에 새로이 출시된 새로운 소형 MOSFET군에는 PMX100UN 20 V, N-채널 트렌치 MOSFET, PMX100UNE 20 V, 2kV ESD 보호 기능이 있는 (HBM) N-채널 트렌치 MOSFET, PMX300UNE 30 V, N-채널 트렌치 MOSFET, PMX400UP 20 V, P-채널 트렌치 MOSFET가 있다. 

 

한편, 넥스페리아는 2022년 하반기에 2종류의 MOSFET 제품들을 추가로 출시할 계획이다.

 

헬로티 서재창 기자 |