플랙시블 메모리 소자 개발 집적도 2배 이상 높인다

2013.01.03 14:55:03

플랙시블 메모리 소자 개발
집적도 2배 이상 높인다


국내 연구진이 간단한 용액공정으로 자유자재로 휘어지는 멀티 레벨 메모리 소자 개발에 성공했다. 이에 따라, 현재보다 값싼 방식으로 차세대 반도체 메모리의 성능(집적도)을 2배 이상 높일 수 있는 가능성을 열었다.
연세대 박철민 교수팀이 주도한 이번 연구는 전압의 크기를 변화시킴으로써 강유전체 고분자의 분극을 부분적으로 조절할 수 있다는 사실을 처음으로 규명하고, 이 원리를 이용해 신개념의 유연한 ‘멀티 레벨’ 강유전체 고분자 메모리를 개발하는 데 성공했다.
고집적화 메모리 소자 개발을 위해서는 소자의 크기를 줄여야 하며, 이를 위해서는 가격도 비싸고 복잡한 공정(리소그래피)이 필요했다.
그러나 박철민 교수팀은 강유전체 고분자에 잔류한 분극을 조절하는 기술을 활용하여, 기존의 소자보다 집적도가 높은 메모리 소자를 저렴하면서도 간단한 용액공정을 통해 제작하는 데 성공함으로써, 차세대 유연한 메모리의 상용화 가능성을 높였다는 평가를 받고 있다.
또한 메모리에 쓰이는 반도체 물질로 고분자 물질을 이용해 제작함으로써 기존에 개발된 유ㆍ무기 복합 메모리 소자보다 더욱 유연하고, 2개 상태만을 기록하는 기존의 고분자 메모리와 달리 4가지 이상의 상태를 기억하는 등 기존의 메모리보다 특성과 성능이 획기적으로 향상되었다.

Copyright ⓒ 첨단 & Hellot.net





상호명(명칭) : (주)첨단 | 등록번호 : 서울,자00420 | 등록일자 : 2013년05월15일 | 제호 :헬로티(helloT) | 발행인 : 이종춘 | 편집인 : 김진희 | 본점 : 서울시 마포구 양화로 127, 3층, 지점 : 경기도 파주시 심학산로 10, 3층 | 발행일자 : 2012년 4월1일 | 청소년보호책임자 : 김유활 | 대표이사 : 이준원 | 사업자등록번호 : 118-81-03520 | 전화 : 02-3142-4151 | 팩스 : 02-338-3453 | 통신판매번호 : 제 2013-서울마포-1032호 copyright(c) HelloT all right reserved.