온세미는 실리콘 카바이드 연구를 활성화하기 위해 미국 펜실베이니아 주립대학교와 800만 달러 규모의 전략적 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했다고 19일 밝혔다. 이번 협력을 통해 펜실베이니아 주립대 재료 연구 기관(Materials Research Institute, MRI)에 온세미 실리콘 카바이드 크리스탈 센터(onsemi Silicon Carbide Crystal Center, 이하 SiC3)가 설립된다. 온세미는 향후 10년간 매년 80만 달러의 자금을 SiC3에 지원할 예정이다. 실리콘 카바이드(SiC)는 전기차(EV), 전기차 충전 및 에너지 인프라의 효율성을 높이는 데 필수적이며 세계 경제의 탈탄소화에 기여한다. 1990년대 후반과 2000년대 초반에 SiC에 대한 학술 연구가 크게 발전했지만, 이후 미국에서는 그 규모가 줄었다. 이번 협약을 통해 미국 내 SiC 결정 연구가 다시 활성화될 것으로 기대된다. 펜실베이니아 주립대와 온세미는 SiC3에서 SiC 연구 수행 외에도 반도체 산업에서 기술 일자리의 수요 증가에 대한 인식을 높인다. 이는 미국 반도체 제조 점유율을 높이기 위한 노력의 일환이다. 또한 인턴십 및 협력 프로그램과 같은 인력
헬로티 김진희 기자 | 정부가 추진 중인 K-반도체 전략에 적극 대응하기 위해 DGIST가 차세대반도체융합연구소를 본격 가동한다. DGIST(총장 국양)는 지난 21일 차세대 반도체 융합기술 창출과 기술사업화를 지원하기 위해 차세대반도체융합연구소를 개소했다. DGIST는 지난 2011년부터 국제적 수월성을 추구하는 융복합 교육 및 연구를 수행하고자 ‘7대 핵심 공용 인프라 구축 계획’을 수립해 상호 연계 활용이 가능하고 집적화된 공용 연구 인프라를 구축해 왔다. 이 중 나노팹 인프라와 첨단 분석 인프라를 바탕으로 설립된 차세대반도체융합연구소는 DGIST가 보유한 최첨단 반도체공정 나노팹 인프라와 우수한 연구자들의 연구역량을 한 곳으로 결집해, 세계 최고 수준의 반도체 관련 연구성과를 창출할 예정이다. 이를 통해 ▲나노인프라 지원체계 고도화 ▲차세대기술 연구개발 및 지원 ▲나노팹 기반 기술사업화와 신산업창출 ▲반도체‧나노기술 인력양성 등을 담당하게 된다. 연구소는 소재, 소자공정, 설계분야 등의 연구실과 나노팹공정센터, 분석평가센터, 사업기획실로 나뉘어 운영된다. 운영인력은 DGIST 내부인원 46명이 겸임하게 되며, 이 중 반도체연구 관련 교수 및 연구원 2