7나노 미만 초미세공정의 경우 TSMC 점유율 90%에 달해 올해 삼성전자 파운드리 수율이 4나노는 75% 이상, 3나노는 60% 이상으로 추정됐다. 박상욱 하이투자증권 연구원은 11일 발간한 파운드리 보고서에서 "최근 삼성전자가 4나노 수율 공정 개선에 성공하며 퀄컴과 엔비디아가 다시 삼성전자 파운드리를 통해 위탁생산할 가능성이 높아졌다"며 이같이 분석했다. 나노는 반도체 회로 선폭을 의미하는 단위로, 선폭이 좁을수록 소비전력이 줄고 처리 속도가 빨라진다. 현재 세계에서 가장 앞선 양산 기술은 3나노다. 3나노 또는 4나노 같은 최첨단 공정은 수율이 60% 이상이면 안정적인 수준에 도달했다고 업계에서는 본다. 박 연구원은 "삼성전자 파운드리는 10나노 미만 공정부터 제품 출시가 지연되고 수율 개선에 더딘 모습을 보여주면서 애플, 엔비디아, 퀄컴 등 주요 고객사들이 TSMC로 이탈했다"고 설명했다. 이어 "2022년 TSMC의 설비투자와 생산능력이 각각 삼성전자 파운드리 사업부의 3.4배, 3.3배까지 벌어진 상황"이라며 "7나노 미만 초미세공정에서 TSMC 점유율이 90%로 두 회사 격차가 크게 벌어졌다"고 덧붙였다. 이런 상황에서 삼성전자 파운드리가 이탈
TSMC, 대만 내 3나노에 이어 2나노·1나노 공정 위한 인프라도 설립 예정 대만 경제부장(장관)이 23일 3나노 이하 최신 반도체 공정은 대만에 남기는 방침을 밝혔다고 중국시보 등 대만언론이 보도했다. 보도에 따르면 왕메이화 대만 경제부장은 장중머우 TSMC 창업자가 21일 기자회견에서 미국 애리조나 공장에 향후 3나노 공장을 건설할 것이라는 발언으로 첨단 제조공정의 '탈 대만화' 우려가 나오자 이같이 밝혔다. 지난 22일 대만 중앙통신사(CNA)와 타이완뉴스 등에 따르면, '대만 반도체 아버지'로 불리는 장 전 회장은 아시아태평양경제협력체(APEC) 정상회의 참석차 태국 방콕을 방문하고 귀국한 뒤 기자들과 만나 미국 애리조나주에 5나노 반도체 칩 공장에 이어 첨단 3나노 칩 공장도 건설하겠다고 언급한 바 있다. 다만, 발언 당시 전 전 회장은 언제 애리조나주에 3나노 칩 공장을 건설할지에 대해 구체적으로 밝히지 않은 것으로 알려졌다. 왕 부장은 미국 애리조나 TSMC 공장의 장비 반입이 다음 달에 이뤄져 2024년이 돼야 생산이 가능하다면서 5나노 공정 다음 단계의 시기는 아직 확실하지 않다고 말했다. 이어 반도체는 시간과의 싸움으로 3나노 제조공정은
애리조나 공장서 2024년 5나노 공정, 2026년 3나노 공정 제품으로 확대 TSMC가 1nm 또는 1.4nm 공정 등 가장 앞선 핵심기술은 대만에 둘 것이라고 자유시보 등 대만 현지 언론이 2일 보도했다. 이에 따르면 대만경제연구원의 류페이전 연구원은 미 애리조나 공장에 3나노 공정이 설치될 것이라면서 이같이 전망했다. 미 애리조나주 피닉스에 공장을 짓겠다고 2020년 5월 공식 발표한 바 있는 TSMC는 해당 공장에서 다음 달 기계 장비 1차 도착식을 개최할 예정이다. TSMC는 애리조나 공장에서 2024년부터 5나노 공정 반도체 제품을 양산한 뒤 2026년부터는 3나노 공정 제품으로 확대할 계획인 것으로 전해졌다. 3나노 공정은 반도체 칩의 회로 선폭을 머리카락 굵기의 10만 분의 3 수준으로 좁힌 것으로, AI·슈퍼컴퓨터·고효율 컴퓨팅 등에 주로 사용된다. TSMC는 그러면서 대만 북부 타오위안 룽탄 지역을 1나노 공정 건설 예정지로 정하고 부지 선정 작업을 벌이는 것으로 알려졌다. 류 연구원은 "대만 TSMC는 2026년 1나노, 1.4나노 공정 반도체 제품 생산을 시작할 것으로 보이며 가장 앞선 공정의 기술은 대만에 남을 것"이라고 짚었다. 헬로
삼성-TSMC, 3나노 기술 포함 고객군, 공정 등 다양한 영역서 경쟁 구도 형성 글로벌 경기 침체 우려로 메모리 반도체 업황에 먹구름이 낀 가운데 비교적 수요가 탄탄한 글로벌 파운드리(반도체 위탁생산) 분야의 경쟁도 치열해지고 있다. 삼성전자가 TSMC에 한발 앞서 3나노 반도체를 양산하며 기술 경쟁에서 앞서가자 TSMC는 삼성전자 파운드리의 '이해관계 충돌' 문제를 주장하며 장외에서도 신경전을 벌이고 있다. 11일 외신과 업계에 따르면 TSMC 웨이저자(魏哲家) CEO는 지난달 말 타이베이에서 열린 연례 TSMC 기술포럼 연설에서 "2000명의 연구진을 보유한 TSMC는 상품을 설계할 수 있는 능력이 있지만 절대 내 제품을 만들지는 않는다"며 "고객은 TSMC에 설계를 빼앗길 걱정을 할 필요가 없다"고 말했다. 이어 그는 "TSMC의 성공은 곧 고객의 성공이지만 경쟁 상대는 감히 이렇게 말할 수 없을 것"이라고 덧붙였다. 웨이 CEO가 구체적으로 경쟁 상대가 누구인지 언급하지 않았지만 이는 파운드리 업계 2위인 삼성전자를 겨냥한 것으로 해석된다. 삼성전자는 파운드리 업계에서 TSMC의 가장 큰 경쟁상대다. 삼성전자는 또 자체적으로 반도체를 설계하고 스마트
TSMC 3나노 파운드리 첫 고객은 '애플 M2 프로 칩', 다음달 양산 시작 TSMC가 다음 달부터 3나노 반도체를 양산하면서 삼성전자와 TSMC 간 파운드리 기술 경쟁이 본격화될 것으로 보인다. 22일 업계와 외신 등에 따르면, TSMC는 3나노 공정 파운드리 첫 고객으로 애플을 확보하고 다음 달 3나노 칩 양산에 들어간다. 대만 IT매체 디지타임스 등은 애플이 자체 설계한 M2 프로 칩에 TSMC의 3나노 공정이 적용될 것이라고 보도했다. TSMC가 다음 달 3나노 양산에 돌입하게 되면 삼성전자에 이어 두 번째로 3나노 양산을 시작하는 셈이다. 삼성전자는 앞서 올해 6월 30일 세계 최초로 GAA(Gate-All-Around) 기술을 적용한 3나노 파운드리 공정 기반 초도 양산을 공식 발표한 뒤 7월 25일 제품 출하식을 개최했다. 3나노 공정은 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술로 평가된다. 3나노는 반도체 칩의 회로 선폭을 머리카락 굵기의 10만 분의 3 수준으로 좁힌 것으로, 삼성은 초미세 공정의 한계를 돌파하기 위해 기존의 '핀펫' 기술 대신 업계 최초로 GAA 기술을 적용했다. GAA는 기존의 핀펫 기술보다 칩 면적과 소비 전력은 줄이고
올해 초부터 국내 산업에서 눈에 띄기 시작한 키워드는 ‘초격차’였다. 이 단어에는 압도적인 기술력과 장기적인 시장 전략, 최적의 인력 구성, 준비된 인프라 등의 의미가 모두 내포돼 있다. 지난 5월, 새롭게 구성된 정부가 산업 경쟁력을 갖추기 위해 꺼내든 카드 역시 초격차 전략으로 불린다. 특히 정부는 초격차 국가전략기술로 다섯 가지 분야를 낙점하고, 이를 발전시키기 위한 밑그림을 그리고 있다. 반도체 초격차 위한 정부의 장단기 계획은? 정부는 내년 R&D 예산 증액으로 초격차 국가전략기술 강화에 나섰다. 초격차 전략기술에 투입되는 예산은 총 1조962억 원으로, 지난해보다 7.7% 증액된 수치다. 이 초격차 기술에는 반도체·디스플레이, 이차전지, 차세대 원전, 수소, 5G·6G가 선정됐다. 특히 반도체는 우리나라를 대표하는 기간산업이자 미래 먹거리로 손꼽힌다. 과기정통부는 강점을 보유한 반도체 분야에 대해 해외진출을 지원하고, 신기술이 최단 시간에 시장에 진입하도록 지원할 계획이다. 또한, 민관총력체제를 가동해 산학연이 보유한 장비와 인프라를 연계·공동 활용한다. 단기 계획으로는 수요맞춤형 인재를 양성하고 중장기로는 고급 인재 확보를 위한 프로그램을
지난달 세계 최초로 GAA 기술이 적용된 3나노 공정 양산 발표 삼성전자가 25일인 오늘 경기도 화성캠퍼스 V1라인(EUV 전용)에서 차세대 트랜지스터 GAA(Gate All Around) 기술을 적용한 3나노 파운드리 제품 출하식을 개최했다. 이 날 행사는 산업통상자원부 이창양 장관, 협력사, 팹리스, 삼성전자 DS부문장 경계현 대표이사(사장)와 임직원 등 100여 명이 참석해 3나노 GAA 연구개발과 양산에 참여한 임직원들을 격려했다. 삼성전자 파운드리사업부는 ‘혁신적인 기술력으로 세계 최고를 향해 나아가겠습니다’는 자신감과 함께, 3나노 GAA 공정 양산과 선제적인 파운드리 기술로 사업 경쟁력을 강화해 나가겠다는 포부를 밝혔다. 삼성전자 파운드리사업부 기술개발실장 정기태 부사장은 기술 개발 경과보고를 통해 파운드리사업부, 반도체연구소, 글로벌 제조&인프라총괄 등 사업부를 넘어서는 협업으로 기술개발 한계를 극복한 점을 강조하는 등 개발에서부터 양산에 이르기까지의 과정을 설명했다. 이어 삼성전자 DS부문장 경계현 대표이사는 “삼성전자는 이번 제품 양산으로 파운드리 사업에 한 획을 그었다”고 임직원들을 격려하며, “핀펫 트랜지스터가 기술적 한계에 다다
닛케이, "삼성의 3나노 공정, 소규모로 진행될 가능성 높아" 삼성전자가 세계 최초로 파운드리 3나노 공정 초도 양산을 시작했지만, 업계 1위인 대만 TSMC와의 격차는 커지고 있다고 니혼게이자이신문(닛케이)이 8일 보도했다. 닛케이는 삼성전자가 최근 3나노 양산 개시를 발표했고 TSMC는 연내에 3나노 양산을 시작할 예정이라서 첨단 경쟁에서 삼성이 일견 앞선 것으로 보이지만 "실태는 다르다"며 이같이 분석했다. 닛케이는 반도체 회로 선폭과 더불어 기술력을 평가하는 또 하나의 지표인 고객 이름을 삼성이 공개하지 않은 점을 짚었다. 삼성은 3나노 공정의 고객에 관해 "우선 고성능 컴퓨터에 채용"된다고만 밝혔다. 하지만 생산 장소가 최신 설비 도입이 진행되는 평택 캠퍼스가 아닌 제조 기술 개발을 겸하는 화성 공장이라서 "극히 소규모의 양산이 아니냐"는 추측을 낳고 있다고 신문은 분위기를 소개했다. 닛케이는 상품 공급자 등의 이야기를 종합해보면 삼성은 우선 중국의 가상화폐 채굴업자 등에게 연산 처리 반도체를 공급한다고 전했다. 그러나 최근 가상화폐 가격이 폭락하는 사태를 맞고 있어 장래 안정적인 고객이 될지는 불투명하다고 지적했다. 닛케이는 TSMC가 3나노 공정
강화되는 한미 반도체 동맹, TSMC와의 3나노 경쟁 '주목' 삼성전자가 조 바이든 미국 대통령의 방한을 계기로 파운드리 시장 공략에 박차를 가한다. 바이든 대통령은 방한 첫날인 지난 20일 삼성전자의 평택 반도체 공장을 찾아 세계 최초로 양산할 예정인 3나노미터 반도체 웨이퍼에 서명했다. 이는 한미 '반도체 동맹'을 보여주는 상징적인 장면이자 삼성전자에 대한 미국 정부의 강한 신뢰를 보여주는 것으로 해석됐다. 특히 미국 고객사들에 삼성전자의 높아진 위상을 각인시킨 만큼 삼성전자는 미국 투자를 더욱 가속화하고 미국 기업들과의 협력 강화를 통해 파운드리 시장 점유율을 끌어올린다는 계획이다. 23일 업계에 따르면 삼성전자는 다음 달 미국 텍사스주 테일러시에서 대대적으로 파운드리 공장 착공식을 열 것으로 알려졌다. 앞서 삼성전자는 지난해 11월 이곳에 170억 달러(약 20조 원)를 투자해 신규 파운드리 공장을 짓겠다고 발표했으며, 그간 부지 정지 작업을 진행해왔다. 삼성전자는 바이든 대통령 방한을 계기로 고조된 한미간 반도체 협력 분위기가 착공식에서도 이어질 수 있도록 대규모 행사를 준비하고 있는 것으로 전해졌다. 착공식에는 텍사스주 정관계 인사들이 대거 참석할
헬로티 서재창 기자 | 삼성전자가 ‘Adding One More Dimension’을 주제로 ‘삼성 파운드리 포럼 2021’을 온라인으로 개최했다. 삼성전자는 이번 포럼을 통해 ‘GAA 기술 기반 3나노 및 2나노 공정 양산 계획’과 ‘17나노 신공정 개발’ 등을 소개하고, 공정기술∙라인운영∙파운드리 서비스를 한 차원 더 발전시켜, 빠르게 성장하는 파운드리 시장에서 경쟁력을 강화하겠다고 밝혔다. 삼성전자 파운드리사업부 최시영 사장은 기조연설에서 “대규모 투자를 통해 생산 역량을 확대하고, GAA 등 첨단 미세공정뿐 아니라 기존 공정에서도 차별화된 기술 혁신을 이어갈 것”이라고 말했다. 이어 그는 “코로나19로 인해 급격한 디지털 전환이 이뤄지는 가운데, 고객의 다양한 아이디어가 칩으로 구현되도록 차별화된 가치를 제공해갈 것” 이라고 덧붙였다. 이번 ‘삼성 파운드리 포럼 2021’은 역대 파운드리 포럼 중 가장 많은 500개사, 2000명 이상의 팹리스 고객과 파트너들이 사전 등록하며 높은 관심을 끌었다. GAA 기술은 전력효율, 성능, 설계 유연성을 가지고 있어 공정 미세화를 지속하는데 필수적이다. 삼성전자는 2022년 상반기 GAA 기술을 3나노에 도입하고
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