헬로티 조상록 기자 |
ACM리서치가 자사 최초의 300mm싱글 웨이퍼 과산화황 혼합물 시스템(Sulfuric Peroxide Mixture system, SPM) 장비를 출시했다.
이 장비는 첨단 로직, DRAM, 3D-NAND 칩, 기타 집적 회로 제조의 습식 세정 및 식각(etching) 공정에 널리 사용할 수 있으며 특히 고용량 이온을 활용한 포토레지스트 제거 공정과 금속 식각 및 스트립 공정에 적합하다.
이 제품은 기존 ACM리서치의 SPM 공정 제품을 확장한 것으로 10nm 이하의 첨단 공정에서 고온의 단계를 추가해 더욱 다양하고 세밀한 온도 단계를 지원한다.
이번에 개발한 싱글SPM 장비는 당사의 Ultra C Tahoe 장비를 기반으로 한다. 기존 Ultra C Tahoe 장비는 정상 온도에서 대부분의 SPM 공정단계를 지원하고 있으며, 이번 장비는 거기에 고온 SPM의 공정능력을 추가했다.
오늘날 대부분의 SPM 습식 공정은 145°C 미만의 황산 및 과산화수소를 혼합하며 PR 제거 및 식각 후 세정 공정, 중간 용량의 이온 주입 및 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 후 세정 공정에 널리 사용된다.
2018년에 소개된 ACM리서치의 Ultra C Tahoe는 벤치 SPM과 싱글 웨이퍼 세정을 하나의 시스템에 통합했다. 이들 공정의 처리는 업계에서 그 우수한 성능을 인정받았으며, 보다 우수한 세정 결과를 얻을 수 있음과 동시에 황산 및 폐기물 발생량을 대폭 감소시켜 관련 비용을 절감할 수 있다.
오늘날 기술 노드가 10nm 이하로 확장됨에 따라 145°C이상 또는 200°C 이상의 더 높은 온도를 사용해야 하는 SPM 공정 단계의 수가 증가하고 있다. 고용량 이온 주입 후 PR 제거, 건식 애시(dry ash) 공정을 사용하지 않는 습식 스트립 공정, 특수 금속 필름 제거 공정은 모두 보다 고온 공정을 지원하는 SPM을 필요로 한다.
ACM리서치의 새로운 싱글 SPM 장비는 고온 공정을 지원하여 사용자에게 공정 시간 단축, 유기 오염 제거, 세정 및 접착제 제거 후 필름 손실 감소 등의 추가적 이점을 제공한다.
또한 이번 SPM 장비는 독특한 다단계 구배 가열 시스템(multilevel gradient heating system)을 사용하여 황산을 예열한 다음, 이를 과산화수소와 혼합하여 초고온을 달성한다. 동시에 이 제품의 챔버는 다양한 화학 물질의 구성을 지원하며 공정에서 화학 물질 비율과 온도를 동적으로 설정하는 데 사용할 수 있는 온라인 화학 혼합 산(CIM) 시스템을 갖추고 있다.
챔버 구성은 ACM리서치의 특허 기술인 SAPS 및 TEBO 메가소닉 기술과 결합할 수도 있으며 더 많은 화학 물질 지원과 다양한 보조 세척 솔루션 지원이 가능하다.
ACM리서치는 올해 이미 중국의 고객사에 이 시스템 2대를 납품했다. 한 곳은 40nm 이하의 로직 공정 연구 개발 회사이고, 다른 한 곳은 메모리 공정 연구 개발 회사이다. 최근에는 중국 고객으로부터 새로운 싱글 SPM 장비에 대한 추가 주문을 받았으며 2022년 상반기 인도할 예정이다.
