일반뉴스 넥스페리아, 내년까지 반도체 생산 확대 위해 7억 달러 투자해
헬로티 서재창 기자 | 넥스페리아가 유럽의 웨이퍼 팹 라인, 아시아의 반도체 조립 공장 및 글로벌 연구개발 사이트를 대상으로 향후 12~15개월 동안 7억 달러를 투자하는 대대적인 성장 전략을 발표했다. 넥스페리아는 이 새로운 투자를 통해 질화 갈륨(GaN) 기반의 와이드 밴드 갭 반도체 및 전력 관리 IC와 같은 분야로의 연구 개발을 지원하면서 글로벌 현장에서 제조 능력을 향상시키게 된다. 이 투자는 또한 새로운 칩 설계자와 엔지니어를 확보하기 위한 채용 활동 지원도 포함한다. 아킴 캠프(Achim Kempe) 넥스페리아 최고운영책임자는 "이러한 투자는 작년 상반기 이후 회복을 시작한 글로벌 반도체 시장에서 흥미로운 시기”라고 말했다. 아킴 캠프는 "당사는 특히 3분기와 4분기에 급격하게 늘어난 시장수요에 잘 대응해 2020년에 14억 달러의 견실한 판매실적을 달성했다. 지금까지 유지돼오고 있는 이 기세는 앞으로도 계속될 전망이다"고 덧붙였다. 이어 그는 "이에 7억 달러의 투자를 통해 증가하는 고객 수요에 대응해 대량으로 제품을 공급하는 데에 필요한 기술과 제조 용량을 지속적으로 제공할 수 있게 됐다"고 말했다. 이러한 투자로 인해 현재 매달 3만5000