맹추격 삼성전자와 격차 유지 위해 2㎚ 공정 도입 속도 내 올해 4분기 2㎚ 공정 기반 반도체 시험 생산팀 발족 목표 세계 파운드리(반도체 위탁생산) 업계의 최강자인 대만 TSMC가 업계 2위인 삼성전자의 추격을 따돌리려고 최첨단 2㎚(나노미터) 공정 도입에 속도를 내는 것으로 전해졌다. 대만 연합보(聯合報)는 1월 5일 TSMC가 올해 4분기 차세대 GAA(Gate-All-Around) 기반의 2㎚ 공정이 적용된 반도체 시험 생산팀을 발족하기로 결정했다고 전하면서 TSMC의 선진 제조 공정에 중대 돌파구가 마련되게 됐다고 평가했다. GAA는 기존 핀펫(FinFET) 기술보다 칩 면적은 줄이고 소비 전력은 감소시키면서 성능은 높인 신기술로 파운드리 업계 1·2위인 TSMC와 삼성전자가 경쟁적으로 도입을 서두르고 있다. TSMC는 업계에서 가장 먼저 2㎚ 공정 반도체를 양산하기 위해 신규 공장 부지 마련에 미리 들어간 것으로 알려졌다. TSMC가 2㎚ 공정 기술 개발을 서두르는 것은 파운드리 업계에서 삼성전자와 기술 격차를 유지하기 위한 노력의 일환이다. 연합보는 "삼성전자가 적극적으로 GAA 기술 분야에서 돌파를 시도하고 있는 상황이 TSMC로 하여금 2㎚
헬로티 서재창 기자 | IBM과 삼성전자는 15일인 오늘 수직 트랜지스터 아키텍처를 활용한 신규 반도체 디자인(VTFET)을 발표했다. 양사는 이번 신규 반도체 설계를 바탕으로 나노 공정을 뛰어넘는 혁신이 가능하며, 기존 스케일링된 핀펫(finFET) 아키텍처 대비 전력 사용량을 최대 85%까지 절감할 수 있다고 밝혔다. 이번 발표는 전 세계적인 반도체 부족 사태로 인해 칩 연구 및 개발에 대한 투자의 중요성은 물론, 컴퓨터, 가전제품, 통신 장비, 운송 시스템 및 중요한 인프라에 활용되는 반도체 자체의 중요성이 증가한 가운데 이루어져 더욱 눈길을 끈다. 이번에 발표된 혁신적인 반도체 기술은 IBM과 삼성전자가 뉴욕 올버니 나노테크 연구단지에서 진행한 공동 연구의 결과로, 이 곳에서 연구원들은 논리 회로의 확장과 반도체 성능의 경계를 넓히기 위해 공공 및 민간 부문 파트너와 긴밀히 협력하고 있다. IBM 올버니 나노테크 연구단지는 이러한 협업 접근 방식을 통해 반도체 연구를 위한 선도적인 에코시스템을 구축하고 신기술 개발 프로젝트를 끊임없이 진행해 제조 수요를 해결하고 글로벌 칩 산업의 성장을 가속화하도록 돕고 있다. 새로운 VTFET 아키텍처가 개발됨에 따
헬로티 서재창 기자 | 최시영 삼성전자 파운드리(반도체 위탁생산) 사업부 사장이 세계적인 반도체 학회 행사에서 "어떤 도전에도 대응할 준비가 돼 있다"며 자신감을 드러냈다. 최 사장은 16일 온라인으로 열린 'VLSI 심포지엄'에서 '팬데믹의 도전, 기술이 답하다'는 주제로 기조연설하며 이같이 밝혔다. 최 사장은 "핀펫(FinFET) 기술이 모바일 시스템온칩 시대를 열었던 것처럼, MBCFET 기술은 고성능·저전력 컴퓨팅, 인공지능, 5G 확산 가속화를 통해 '데이터 기반 사회'를 열 것으로 기대한다"고 말했다. MBCFET은 삼성전자의 독자적인 차세대 트렌지스터 공정 기술이다. 종이처럼 얇고 긴 모양의 나노시트(Nano Sheet)를 적층해 트렌지스터 성능과 전력효율을 높였다. MBCFET 공정은 기존 7나노 핀펫 트랜지스터보다 차지하는 공간을 45%가량 줄이면서 소비전력 50% 절감과 35%의 성능 개선 효과가 있을 것으로 삼성전자는 기대하고 있다. 최시영 사장은 "삼성의 파운드리 비전은 기술 경쟁력을 기반으로 고객에게 공정·설계 유연성을 제공하는 것"이라며, "어떤 도전에도 대응할 준비가 돼 있다"고 강조했다. 오하이오주립대 전자재료 박사 출신인 최 사