테크노트 병렬 SiC MOSFET: 임계전압의 숨겨진 역할

임계전압(Threshold Voltage) VGS(th)(또는 VTh)는 MOSFET의 주요 매개변수 중 하나이지만, 항복 전압(Breakdown Voltage)이나 온 상태(on-state) 저항 RDS(on)과 같은 주요 매개변수에 가려지는 경우가 많다. 그 이유는 간단하다. 두 번째 매개변수는 MOSFET이 애플리케이션에 적합한지 여부를 나타내는 반면, 임계전압은 스위칭 성능과 같은 동작을 정의’만’ 할 뿐이다. 단일 디바이스 작동에서는 동작이 양호하면 추가 조사가 필요 없다. 하지만 병렬 구조에서는 상황이 달라진다. 단일 디바이스는 일반적으로 10kW 이상의 전력을 처리할 수 없으므로 수십 kW 범위에서는 여러 개의 개별 SiC MOSFET을 병렬로 연결하거나 전력 모듈을 사용해야 한다. 모듈도 SiC MOSFET으로 구성되지만, 주어진 토폴로지는 보드가 아닌 모듈 내부에 있다. 내부의 실제 SiC MOSFET 칩은 개별 패키지에서 찾을 수 있는 것과 동일한 디바이스인 경우가 많으며 때로는 병렬로 연결되기도 한다. 하지만 병렬로 배치된 칩들은 일반적으로 최적의 기능을 위해 서로 가까운 매개변수를 갖도록 선택된다. 두 매개변수는 매칭 기준이 엄격한데,

• ST마이크로일렉트로닉스
• 2025-11-10 18:13