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넥스페리아, 내년까지 반도체 생산 확대 위해 7억 달러 투자해

기술, 연구 및 인적 투자를 통해 반도체 시장의 회복에 부응

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헬로티 서재창 기자 |

 

넥스페리아가 유럽의 웨이퍼 팹 라인, 아시아의 반도체 조립 공장 및 글로벌 연구개발 사이트를 대상으로 향후 12~15개월 동안 7억 달러를 투자하는 대대적인 성장 전략을 발표했다. 

 

 

넥스페리아는 이 새로운 투자를 통해 질화 갈륨(GaN) 기반의 와이드 밴드 갭 반도체 및 전력 관리 IC와 같은 분야로의 연구 개발을 지원하면서 글로벌 현장에서 제조 능력을 향상시키게 된다. 이 투자는 또한 새로운 칩 설계자와 엔지니어를 확보하기 위한 채용 활동 지원도 포함한다. 

 

아킴 캠프(Achim Kempe) 넥스페리아 최고운영책임자는 "이러한 투자는 작년 상반기 이후 회복을 시작한 글로벌 반도체 시장에서 흥미로운 시기”라고 말했다. 

 

아킴 캠프는 "당사는 특히 3분기와 4분기에 급격하게 늘어난 시장수요에 잘 대응해 2020년에 14억 달러의 견실한 판매실적을 달성했다. 지금까지 유지돼오고 있는 이 기세는 앞으로도 계속될 전망이다"고 덧붙였다. 

 

이어 그는 "이에 7억 달러의 투자를 통해 증가하는 고객 수요에 대응해 대량으로 제품을 공급하는 데에 필요한 기술과 제조 용량을 지속적으로 제공할 수 있게 됐다"고 말했다. 

 

이러한 투자로 인해 현재 매달 3만5000개 이상의 8인치 급 웨이퍼(연간 700억 개의 반도체)를 생산하는 독일의 함부르크 팹 생산량은 2022년 중반부터 20% 증가할 것으로 예상된다.

 

영국 맨체스터에 있는 넥스페리아의 TrenchMOS 전용 생산 공장의 월 최대 생산량도 현재의 2만4000개 8인치 급 웨이퍼에서 2022년 중반까지 10% 증가하게 된다. 

 

넥스페리아는 이러한 대대적 투자를 통해 아날로그 및 로직 비즈니스 그룹이 있는 네덜란드 나인메겐 소재 본사를 포함한 모든 글로벌 현장에서 실험실 및 기타 시설을 증설, 확대함으로써 연구와 개발 능력을 더욱 확대하게 된다.

 

넥스페리아는 이와 함께 다양한 기술 분야에서 역할을 담당할 200명 이상의 인력을 자사의 글로벌 현장에서 신규로 채용할 예정이다. 이러한 투자는 전 세계에서의 성장으로 시장 점유율을 증가해 업계에서의 위상을 높이고자 하는 회사의 전략에 부합한다.

 

토니 베르슬루이즈(Toni Versluijs) 넥스페리아의 MOSFET 및 GaN FET 사업부 총괄 매니저는 "당사는 코로나19가 시작되기 전에 이미 강력한 글로벌 성장 전략을 세웠다”며, "이러한 노력이 성과를 내고 있으며 그 예로 맨체스터의 새로운 8인치 생산 라인에서 첫 번째 전력 MOSFET가 곧 출시될 예정이다"고 말했다.  

 

반도체 업계의 회복이 계속됨에 따라, 넥스페리아는 글로벌 반도체 공장과 연구 개발 시설 전반에 걸쳐 제품, 프로세스 및 인력에 대한 투자를 지속하고 있다. 이러한 지속적인 활동이 전력 반도체 부문에 대한 당사의 장기적인 전망을 반영한다고 밝혔다. 

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