첨단 반도체·디스플레이 재료공학 솔루션 선도 기업 어플라이드 머티어리얼즈가 반도체 조립·패키징 전문기업 베시(Besi, BE 세미컨덕터 인더스트리스)와의 전략적 파트너십 확대를 발표했다고 2일 밝혔다. 이번 협력 확대에 따라 베시는 어플라이드 EPIC(Equipment and Process Innovation and Commercialization) 센터에 혁신 파트너로 공식 합류한다.
양사의 협력은 2020년 싱가포르 어플라이드 첨단 패키징 개발 센터에 공동 CoE(Center of Excellence)를 설립하면서 시작됐다. 이 센터에서 식각·평탄화·증착·웨이퍼 세정·계측·검사·파티클 결함 제어 분야의 어플라이드 공정 전문성과 베시의 다이 배치·인터커넥트·조립 기술을 결합했다. 그 성과로 업계 최초의 다이 투 웨이퍼(die-to-wafer) 하이브리드 본딩 통합 시스템 'Kinex™(키넥스)'를 개발한 바 있다. 이번 파트너십 확대는 이 협력의 연장선으로, AI 스케일링 로드맵을 지원하는 새로운 인터커넥트 아키텍처와 애플리케이션으로 공동 혁신의 범위를 넓힌다.
AI 인프라 구축이 가속화되면서 더 높은 집적도와 대역폭을 갖춘 칩 투 칩(chip-to-chip), 칩 투 패키지(chip-to-package) 인터커넥트 수요가 급증하고 있다. 양사는 이번 파트너십 확대를 통해 웨이퍼 레벨 하이브리드 본딩부터 패널 규모 집적까지 첨단 패키징 전체 플로우를 아우르는 공정 및 조립 솔루션을 공동 최적화한다. 예정된 R&D 프로그램은 새로운 다이 투 웨이퍼 하이브리드 본딩 플랫폼 개발, 열압착 본딩(TCB) 및 관련 공정 생태계 스케일링, 다이 온 웨이퍼·다이 온 다이·다이 온 패널 집적 플랫폼 구축, 공동패키징광학(CPO)과 AI 시스템 스케일링을 지원하는 포토닉스 기반 인터커넥트 애플리케이션 개발로 구성된다.
첨단 패키징은 그동안 후공정 조립 단계로 여겨졌지만, 하이브리드 본딩과 패널 레벨 집적 같은 기술은 이제 전공정 웨이퍼 제조와 동일한 재료공학 기술에 기반하고 있다. 이번 협력은 EPIC 센터라는 전공정 R&D 환경에서 베시 엔지니어들과 함께 기술을 개발함으로써 파편화된 개별 공정이 아닌 하나의 연결된 흐름으로 다루고, 개발부터 대량 양산까지의 기간을 한층 단축하는 것을 목표로 한다.
실리콘밸리에 위치한 어플라이드의 EPIC 센터는 50억 달러 규모로 미국 내 역대 최대 규모의 첨단 반도체 장비·공정 기술 R&D 투자다. 연내 가동 준비를 마칠 예정이다.
게리 디커슨 어플라이드 머티어리얼즈 회장 겸 CEO는 "베시가 EPIC 센터의 혁신 파트너로 합류함에 따라 고객이 AI 시스템을 확장하는 데 필요한 인터커넥트 기술 전반으로 협력을 넓히게 됐다"며 "양사는 기술 로드맵의 방향성을 보다 조기에 파악하고 패키징 전체 플로우를 공동 최적화할 수 있을 것"이라고 밝혔다. 리처드 블릭먼 베시 CEO는 "EPIC 센터에 혁신 파트너로 합류하는 것은 자연스러운 다음 단계"라며 "열압착 본딩 스케일링, 다이 온 패널 집적, 차세대 AI·포토닉스 시스템의 기반이 될 인터커넥트 기술을 발전시켜 나갈 것"이라고 말했다.
헬로티 김재황 기자 |
