온세미(onsemi)가 급증하는 AI 데이터센터의 전력 수요에 대응하기 위해 고전압 실리콘 카바이드(SiC) 기술과 반도체 변압기(Solid State Transformer, SST)용 차세대 전력 솔루션을 공개했다.
400V AC 버스 기반의 기존 전력 분배 시스템은 저전압 서버 공급장치까지 여러 변환 단계를 거쳐야 해 점차 한계에 직면하고 있다. 업계는 이를 해결하기 위해 800V HVDC 아키텍처로의 전환을 추진하고 있다. 엔비디아(NVIDIA)는 2027년부터 기존 12V 및 48V 시스템을 800V HVDC로 대체할 것이라고 발표한 바 있다. 이 방식은 13.8kV AC 전력을 800V DC로 직접 변환해 전력 변환 단계를 크게 줄일 수 있다.
SST는 이러한 전환을 가능하게 하는 핵심 기술로 주목받고 있다. 기존 변압기를 대체해 고전압 전력을 직접 변환할 수 있으며, 차세대 AI 시설에 더 효율적이고 유연하며 확장 가능한 전력 공급을 가능하게 한다. SST 아키텍처에는 일반적으로 캐스케이드 H-브리지 토폴로지가 적용되며 프론트엔드 AC-DC 변환 단계에는 2,300V에서 6,500V 정격의 SiC 소자가, 다운스트림 DC-DC 변환 단계에는 1,200V에서 2,300V 정격의 소자가 사용된다.
온세미는 상용 SiC 전력 모듈, 차세대 2.3kV 및 3.3kV SiC 기술, 비용 최적화 전력 솔루션, 수백 kW에서 메가와트 단위까지 확장 가능한 빌딩 블록 아키텍처, SiC 기반 반도체 차단기(SSCB) 등 전력 보호 솔루션을 아우르는 포트폴리오를 제공한다. 특히 차세대 2.3kV 및 3.3kV SiC 기술의 경우 고객이 더 적은 부품으로 효율적인 고전압·고전력 SST 시스템을 구축할 수 있도록 개발되고 있다고 밝혔다.
한편, SST 시장은 AI 데이터센터·전기차·전력망에 따른 전력 수요 증가로 초기 상용화 단계에 진입하고 있으며 SST 도입 확대에 따라 고전압 SiC 소자 수요도 함께 증가할 것으로 전망된다.
헬로티 구서경 기자 |
