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쏘닉스, 차세대 광 AI 반도체 국가연구개발사업 참여

2030년까지 정부지원금 90억 원 투입…광연산 칩 제작·시작품 구현 및 상용화 추진

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쏘닉스가 2030년까지 정부지원금 90억 원이 투입되는 차세대 광 기반 연산 반도체 국가연구개발사업에 참여해 광연산 칩 제작과 시작품 구현, 상용화를 추진한다.

 

첨단 통신 필터 기술 전문 파운드리 기업 쏘닉스는 과학기술정보통신부가 추진하는 ‘2026년도 차세대 광 기반 연산 반도체 핵심기술 개발사업’의 ‘초고집적 다차원 광연산 인공신경망 구현을 위한 광집적회로 기술 개발’ 과제 공동연구개발기관으로 선정됐다고 30일 밝혔다.

 

이번 과제는 차세대 고성능·저전력 인공지능(AI) 연산을 위한 광집적회로(Photonic Integrated Circuit, 이하 PIC) 기반 다차원·비선형 광학신경망 원천기술을 개발하는 국가연구개발사업이다.

 

한국과학기술원(KAIST)이 주관하고 대구경북과학기술원(DGIST), NTT리서치(NTT Research), 쏘닉스가 공동으로 참여한다. 사업은 2030년까지 진행되며 총 90억 원의 정부지원금이 투입된다.

 

과제는 AI 데이터 처리 속도와 전력 효율을 높이는 차세대 광연산 핵심기술을 개발하고 실제 AI 환경에서 상용화 가능성을 검증하는 것을 목표로 한다.

 

기존 전자 기반 AI 반도체는 전력 소모와 연산 속도에 한계가 있다. 차세대 광연산 반도체 핵심기술을 적용하면 데이터 이동에 따른 전력 소모와 발열, 병렬처리 한계 등을 극복할 수 있을 것으로 기대된다.

 

쏘닉스는 2029년부터 시작되는 2단계 연구개발에 참여한다. 회사는 빛의 신호를 빠르고 정밀하게 제어하는 데 적합한 박막형 광소재인 박막 리튬 나이오베이트(Thin-Film Lithium Niobate, 이하 TFLN)와 박막 리튬 탄탈레이트(Thin-Film Lithium Tantalate, 이하 TFLT) 기반의 PIC 공정 기술과 파운드리 역량을 활용할 계획이다.

 

이를 통해 광연산 칩 제작과 공정 이식, 시작품 구현을 담당한다. 연구개발 종료 후에는 연구성과를 양산 가능한 제조공정으로 전환해 광 AI 반도체 상용화 기반을 마련하고 국내 광반도체 제조 생태계 구축에도 기여할 계획이다.

 

쏘닉스 관계자는 “이번 국가연구개발과제 참여는 쏘닉스의 광반도체 파운드리 기술을 광 AI 반도체 분야로 확장하는 계기가 될 것”이라며 “연구성과가 시작품 제작을 넘어 양산과 상용화로 이어질 수 있도록 제조 경쟁력을 강화하고 국내 광반도체 산업 발전에 기여하겠다”고 밝혔다.

 

헬로티 이동재 기자 |









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