낮은 클램핑 전압과 결합돼 IVN 위한 높은 시스템 레벨 견고성 나타내 넥스페리아가 오늘 LIN, CAN, CAN-FD, FlexRay 및 SENT와 같은 자동차 차량 네트워크(IVN)의 버스 라인을 정전기 방전(ESD) 및 기타 과도 현상으로 인한 손상으로부터 보호하도록 설계된 6개의 ESD 보호 소자(PESD2CANFD36XX-Q)가 포함된 AEC-Q101 인증 포트폴리오를 출시했다. 데이터 속도가 증가하고 차량에 더 많은 전장 기술이 채택되므로 ESD 보호의 필요성이 더욱 중요해지는 추세다. 이에 따라 자동차 모듈에 적합한 보호 기능을 제공하는 일이 설계 엔지니어에게 지속적인 과제로 떠오르고 있다. 자동차 및 소형 차량의 배터리 전압과 달리 24V 보드 네트는 일반적으로 트럭 및 상업용 차량에 사용된다. 일반적으로 작동 전압이 32V 이상인 ESD 보호 소자들은 24V 보드 네트에서 민감한 신호 라인을 보호해야 한다. 이러한 요구 사항을 해결하기 위해 넥스페리아는 36V의 최대 역 스탠드오프 전압과 최대 22kV의 ESD 보호 기능을 제공하는 이 포트폴리오를 설계했다. 이 성능은 IPP=1A 에서 VCL=48V 의 낮은 클램핑 전압과 결합돼 IVN을 위
소자의 성능을 저하시키지 않고도 크기 감소 달성 넥스페리아가 11일인 오늘 업계 최소형의 DFN 패지징으로 제공되는 20V 및 30V MOSFET을 출시했다. 넥스페리아는 이미 이 패키지로 ESD 보호 소자들을 공급하지만 아직 업계에서 달성하지 못한 이 최소형의 패키지를 MOSFET 포트폴리오에 적용하는 데에 성공했다. 새로운 수준의 AI 및 머신러닝을 통합한 차세대 웨어러블 및 청각기기들은 제품 설계자에게 몇 가지 과제를 안겨준다. 여러 기능들이 추가됨에 따라 사용 가능한 보드 공간의 해결이 가장 큰 문제로 대두되며 전력 소비의 증가에 따른 발열도 문제가 된다. 넥스페리아는 이산 부품 생산 분야에서의 경험을 바탕으로 소형 MOSFET 제품군을 설계함으로써 이 두 가지 문제를 성공적으로 극복했다. 크기가 0.63 x 0.33 x 0.25mm에 불과한 초소형 DFN0603 패키지는 두 번째로 작은 패키지(DFN0604)의 MOSFET보다 13% 더 적은 공간을 사용한다. 이러한 크기 감소는 소자의 성능을 저하시키지 않고도 달성됐다. 실제로 이 소자의 RDS(on)는 74%나 감소해 효율성 향상에 도움이 되므로 웨어러블 기기 설계자들은 훨씬 더 큰 전력 밀도를
낮은 클램핑, 낮은 정전 용량, 높은 견고성 제공 넥스페리아가 고속 데이터 라인에서 리타이머 및 리드라이버와 함께 사용하도록 최적화한 두 개의 정전기 방전(ESD) 보호 소자 2종을 출시했다. PESD2V8Y1BSF는 USB4(썬더 볼트) 인터페이스를 보호하도록, PESD4V0Y1BCSF는 USB4 및 HDMI 2.1과 함께 사용하도록 설계됐다. 이 제품들은 넥스페리아의 입증된 TrEOS 기술을 사용해 낮은 클램핑, 낮은 정전 용량, 높은 견고성을 제공한다. 리타이머 및 리드라이버는 일반적으로 고속 USB4 인터페이스 설계에 사용된다. 그러나 낮은 기생 인덕턴스를 갖는 짦은 보드 트레이스로 인해 전체 시스템 레벨 ESD 견고성 감소라는 의도치 않은 결과를 가져온다. PESD2V8Y1BSF 및 PESD4V0Y1BCSF는 낮고 빠른 전송 라인 펄스(vfTLP) 피크 클램핑 전압을 제공하는데, 이 전압은 표준 I(V) TLP 곡선에서 가시적인 트리거 전압이 없는 USB4 보호 솔루션보다 훨씬 낮다. 그 결과 보호 기능과 리타이머 사이에서 일어나는 인덕턴스 감소가 보상되므로 전체 시스템 레벨 ESD의 견고성이 높아진다. 이 제품들은 ESD에 대한 예산 손실 권장 사